AI 引爆存储芯片涨价潮！国产龙头名单速览

摘要：2025 年 9 月，全球存储芯片市场上演 "冰火两重天"：一边是三星、SK 海力士、美光等国际巨头集体暂停报价，DDR4/DDR5 价格单月暴涨 20%-30%；另一边是行业机构 TrendForce 数据显示，Q3 全球存储供需缺口已达 12%，其中 AI

2025 年 9 月，全球存储芯片市场上演 "冰火两重天"：一边是三星、SK 海力士、美光等国际巨头集体暂停报价，DDR4/DDR5 价格单月暴涨 20%-30%；另一边是行业机构 TrendForce 数据显示，Q3 全球存储供需缺口已达 12%，其中 AI 服务器核心 HBM 内存价格飙升至 500 美元 / GB，较传统 DRAM 溢价 10 倍，创下 2013 年以来最大季度涨幅。

核心矛盾：在去年还深陷产能过剩泥潭的存储行业，在 AI 算力需求冲击下突然 "拐点" 反转。数据中心存储需求占比从 2023 年的 40% 跃升至 55%，单台 AI 服务器存储配置量达传统服务器的 5 倍，叠加智能手机、智能汽车、机器人等终端需求爆发，导致全球 80% 的存储产能（三星、SK 海力士）在 Q3 主动减产 20%，而 HBM 产能缺口更达 30%。

原厂端：美光 9 月宣布 "暂停所有消费级存储报价一周"，同步将车规级 DDR5 价格上调 30%；三星则对 DRAM 产品提价 30%、NAND 提价 5%-10%，并优先保障 AI 客户订单。渠道端：国内企业级 SSD 市场价格单月跳涨 15%，部分品牌已开始对终端厂商锁价，预计 Q4 消费级 SSD 价格将上涨 10%-15%。资本端：存储板块成为半导体资金新宠，科创芯片设计 ETF9 月 25 日单日成交额达 1.74 亿元，成分股中微半导、海光信息涨幅超 5%。

国产存储双雄：长鑫存储

国产存储双雄：长江存储

维度2023-2024 年涨价周期2025 年涨价潮驱动核心智能手机换机潮 + 数据中心补库存AI 大模型训练（PB 级存储需求）+ 车规电子渗透率提升涨幅传统 DRAM 涨价 30%-50%HBM 涨价超 100%，DDR5 涨价 20%-30%持续时间约 12 个月预计至少持续至 2026 年 Q1

特殊变量：地缘政治导致美光等厂商在华产能受限，国产存储厂商（长江存储、佰维存储）迎来进口替代窗口，长江存储 64 层 QLC NAND 量产进度超预期，已占据国内 20% 市场份额。

设计端：兆易创新（SPI NAND）、佰维存储（消费级 SSD），受益于终端需求放量，同时要关注未上市的存储双雄长存、长鑫双雄业链相关的公司制造端：华虹半导体（存储芯片代工）、长电科技（封测产能），承接国际大厂转移订单；设备端：华海清科（CMP 设备）、中微公司（刻蚀机），国产设备市占率提升至 35%。