摘要：三星在1cnm DRAM生产测试中实现了50%至70%的良品率，相比于去年末不到30%的水平有了大幅的提升。传闻1cnm DRAM生产已经在三星内部获得批量生产许可，这标志着新一代DRAM技术已开发完成，遵循了以往两年迭代的DRAM技术升级的节奏。由于三星打算

此前有报道称，三星在1cnm DRAM生产测试中实现了50%至70%的良品率，相比于去年末不到30%的水平有了大幅的提升。传闻1cnm DRAM生产已经在三星内部获得批量生产许可，这标志着新一代DRAM技术已开发完成，遵循了以往两年迭代的DRAM技术升级的节奏。由于三星打算将1cnm DRAM用于HBM4，所以两者的进度紧密相连。

据TrendForce报道，三星为了抢占HBM4的先机，正在加紧提升1cnm DRAM的生产能力。有业内人士透露，三星计划在明年上半年之前在平泽P4完成1cnm DRAM生产设备的投资建设。

作为三星最先进的晶圆厂之一，P4分为四个阶段：ph1属于NAND-DRAM混合生产线，设备投资已经完成；ph3属于DRAM专用生产线，同样也完成了设备投资；ph2也将被指定为DRAM生产线，但最终用途尚未确定，正在进行洁净室的建设，预计今年末至明年初开始设备安装；ph4也与DRAM有关，项目正在推进当中，预计专注于1cnm DRAM的生产。

除了对P4的投资外，三星还准备在华城17号线对1cnm DRAM进行转换投资。考虑到三星大规模对生产线大规模的扩展，预计今年1cnm DRAM产能可达到每月6万片晶圆。相比于1cnm DRAM和HBM4的大规模量产，由于NAND闪存和代工业务的扩张需求存在不确定性，三星已经推迟了相关领域的投资计划。

来源：超能网