技术核爆!新凯来合作的四大金龙,炸醒整个半导体圈!

B站影视 港台电影 2025-03-30 16:14 2

摘要:在全球半导体产业竞争格局深度调整的背景下,中国半导体设备领域迎来里程碑式突破。新凯来公司在2024年中国国际半导体展上发布31款关键设备,覆盖刻蚀、薄膜沉积、量检测等核心工艺环节,其原子层沉积(ALD)设备"阿里山"系列实现2nm工艺节点验证。这一进展标志着国

半导体设备国产化进程观察:新凯来技术突破的产业影响

(基于行业公开信息整理)

在全球半导体产业竞争格局深度调整的背景下,中国半导体设备领域迎来里程碑式突破。新凯来公司在2024年中国国际半导体展上发布31款关键设备,覆盖刻蚀、薄膜沉积、量检测等核心工艺环节,其原子层沉积(ALD)设备"阿里山"系列实现2nm工艺节点验证。这一进展标志着国产半导体设备首次具备先进制程全流程配套能力,产业自主化进程迈入新阶段。

1. 核心设备进展
新凯来此次发布的ALD设备突破三大技术瓶颈:

膜厚均匀性:±1.2%(3σ),达到国际领先水平台阶覆盖率:99.8%,满足3D NAND结构需求生产效率:每小时300片晶圆处理能力,较上代提升40%

2. 产业链协同效应
通过股权穿透可见其技术生态构建:

深圳国资委持股24.6%,提供资金与政策支持国家大基金二期注资15亿元,聚焦设备研发技术团队来自中芯国际、华为海思,具备14nm量产经验

(一)材料创新者
强力新材

技术突破:ACF(各向异性导电膜)线宽精度达3μm产能布局:新建南京基地实现月产20万平米产能战略协同:与哈勃投资联合开发2nm制程封装材料,热膨胀系数控制在2.8ppm/℃

(二)检测设备专家
同惠电子

产品体系:精密阻抗分析仪频率范围扩展至67GHzSMU源表电压分辨率达0.1μV,电流精度±0.02%市场地位:华为海思5nm测试设备主要供应商,量测设备国产化率提升至28%

(三)核心部件供应商
新莱应材

技术指标:真空腔体氦泄漏率<1×10^-9 Pa·m³/s气体管路耐腐蚀性能突破2000小时表面粗糙度Ra≤0.05μm客户结构:覆盖新凯来80%的金属部件需求,同步导入长江存储供应链

(四)战略合作伙伴

1. 设备验证进展

刻蚀设备:关键参数比肩Applied Materials,选择比突破200:1量检测系统:套刻精度±1.2nm,缺陷检测灵敏度15nm薄膜沉积:钨填充能力达100%无空隙,阶梯覆盖率99.5%

2. 生态构建突破

联合中微公司开发工艺集成方案与北方华创共建备件共享平台同芯源微合作开发计算光刻补偿算法

1. 技术瓶颈

极紫外光刻配套设备尚未突破设备平均无故障时间(MTBF)需提升至8000小时备件供应体系覆盖率不足60%

2. 市场前景

2025年国产设备市占率有望突破25%成熟制程设备替代率将达70%设备服务收入占比提升至35%

值得关注的是,2024年Q1半导体设备领域战略投资达48亿美元,同比增长185%,其中量测设备企业占比32%。建议投资者重点关注企业在细分领域的技术纵深突破,理性看待国产替代进程的阶段性特征。本文涉及企业信息截至2024年二季度,具体以法定披露为准。

来源:商业前沿快讯

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