摘要：存储芯片板块正迎来由AI算力需求驱动的历史性发展机遇。2025年以来，存储芯片市场一改以往的周期性波动特征，进入前所未有的"超级周期"新阶段。这一轮行情的核心驱动力并非传统库存周期，而是AI大模型发展引发的结构性供需失衡。与以往单纯由供需关系主导的周期不同，本
存储芯片板块正迎来由AI算力需求驱动的历史性发展机遇。2025年以来，存储芯片市场一改以往的周期性波动特征，进入前所未有的"超级周期"新阶段。这一轮行情的核心驱动力并非传统库存周期，而是AI大模型发展引发的结构性供需失衡。与以往单纯由供需关系主导的周期不同，本次存储芯片涨价潮呈现出持续性、广泛性和结构性三大新特征。
截至2025年10月，存储芯片市场价格呈现全面上涨态势。DRAM现货价格同比暴涨近一倍，DDR4部分型号价格较4月涨幅超300%。更值得关注的是，第四季度涨势非但没有趋缓，反而进一步加剧，DDR4 16Gb 3200现货报价单周暴涨30%，512Gb Flash Wafer十月累计涨幅超20%。这种持续半年以上的全面上涨在此前存储行业从未出现过，国内存储模组厂员工直言"从业多年从未见过如此持久的涨价潮"。
产业格局重构成为本轮周期的显著特征。全球存储巨头为追求更高利润，纷纷将产能战略性转向HBM（高带宽内存）和DDR5等高端产品。三星电子2025年6月已停止DDR4接单，预计12月完成最后出货；SK海力士将DDR4产能压缩至20%，计划2026年4月全面停产；美光第四季度停供DDR4，只保留少量工业定制订单。这种产能转移并非战术调整，而是基于长期趋势的战略性调整。
表：存储芯片板块2025年核心数据概览
维度现状与趋势市场影响价格走势DDR4价格较4月涨幅超300%，512Gb Flash Wafer十月涨幅超20%企业盈利能力改善，板块景气度提升技术驱动HBM市场年复合增长率达33%，2030年将占DRAM市场50%以上推动产业升级，重塑竞争格局产能转移三大存储巨头全面转向HBM和DDR5，DDR4逐步停产成熟制程产品供应紧张，涨价持续库存状况DRAM库存周期从2023年初31周降至8周，创历史新低供需紧张局面短期难以缓解国产替代国产替代率提升至47%，较去年增长15个百分点国内企业迎来发展机遇资本市场表现强劲反映行业高景气度。2025年以来，A股存储芯片板块指数飙升超60%，普冉股份、香农芯创等存储芯片概念股强势涨停，佰维存储、江波龙等涨幅超10%。全球对冲基金正密集增持芯片股，其加仓动作与产业链的囤货潮形成共振。国际电子企业为锁定供应，开始与存储巨头签订2-3年的长期协议，打破以往按季度签约的惯例，凸显市场对存储芯片长期缺货的担忧。
存储芯片行业已进入由AI驱动的强劲上行周期。本次周期的独特之处在于供需两侧同时发生的结构性变革。需求端，AI大模型训练带来的算力需求正重塑存储产业生态，摩根士丹利数据显示，2025年全球科技巨头在AI基础设施上的投入将达4000亿美元。单台AI服务器DRAM容量是普通服务器的8倍，NAND需求达3倍，HBM配置从64TB升级至96TB。这种"吞噬式需求"彻底改变了存储市场的传统逻辑。
供给端收缩与需求端扩张形成强烈反差。HBM生产对DRAM晶圆消耗量是标准产品的3倍以上，在总产能有限的情况下，存储巨头不得不将产能重点转向利润更高的HBM和DDR5。这一产能转移导致DDR4、LPDDR4X等成熟制程产品陷入"计划性牺牲"，供应紧张局面持续加剧。TrendForce集邦咨询分析师许家源指出，原厂已将产能优先保障生产Server DRAM及HBM，DDR4的紧缺或持续到2026年上半年。
库存状况凸显市场供应紧张局面。2025年第三季度DRAM平均库存已降至仅8周，远低于去年同期的10周和2023年初的31周水平，也明显低于半导体行业通常认为的10-12周健康库存水平。这种历史低位的库存数据加剧了市场的恐慌性采购行为，威刚董事长陈立白更表示第四季度才是"存储严重缺货的起点"。
存储芯片产业链各环节在本次涨价潮中受益程度分化明显：
存储原厂：在本轮涨价潮中占据绝对优势地位，盈利能力大幅提升。三星电子第三季度营业利润达到12.1万亿韩元（约85亿美元），创下三年多来新高。HBM因毛利率达50%-60%，远高于传统DRAM的30%-40%，成为原厂利润增长的核心驱动力。模组厂：通过积极囤货享受价格红利。江波龙证券部表示，上游涨价对公司毛利率有正向贡献，因为公司提前有存货。许家源也指出，八月以来模组厂已积极储备颗粒及晶圆库存，并调涨模组产品定价。芯片设计公司与分销商：面临不同的价格传导机制。普冉股份证券部人士表示，公司正与下游客户商谈涨价，"四季度开始有一些供给紧张，然后肯定是跟下游商谈，想要博弈去看一下是不是能有涨幅"。分销商的香农芯创则表示，毛利水平基本稳定，上游采购价格上涨会传导至下游销售价格。终端应用厂商：承受成本压力并调整策略。小米集团创始人雷军公开表示"最近内存涨价实在太多"，Redmi K90系列手机部分版本售价较上一代上调了100-400元不等。面对成本压力，终端厂商采取长期协议锁定价格、供应链多元化和技术替代方案等策略应对。存储芯片市场定价机制正在发生根本性变化。当前市场已步入"一日一价"时代，部分国际厂商的DRAM及Flash产品已暂停常规报价，即使提供报价也仅限短期有效。这种定价机制的颠覆性变化反映出市场供需失衡的严重程度。
市场心态从谨慎观望转向恐慌性囤货。随着涨价趋势持续，下游厂商采购策略日趋激进，多家国际电子企业和服务器厂商不仅疯狂扫货，还主动与存储巨头签订2-3年的长期供货协议，打破以往按季度、年度签约的惯例。这种"越涨越缺、越缺越涨"的正反馈循环进一步加剧了市场紧张局面。
表：存储产业链各环节盈利表现与策略调整
产业链环节盈利变化应对策略代表企业存储原厂利润大幅增长，HBM毛利率50%-60%产能转向HBM和DDR5，逐步停产DDR4三星、SK海力士、美光模组厂存货升值，毛利率改善积极储备颗粒库存，调涨产品定价江波龙、佰维存储芯片设计公司与下游客户博弈涨价调整产品结构，推动价格传导普冉股份分销商毛利稳定，靠量增获利拓展客户资源，优化库存管理香农芯创终端厂商成本压力增大，利润受挤压签订长协、供应链多元化、技术替代小米、PC OEMsHBM技术引领存储产业升级浪潮。作为AI服务器的"专属高能口粮"，HBM需求呈现"井喷式增长"。HBM通过多层DRAM芯片与逻辑芯片堆叠，利用TSV(硅通孔)和微凸块实现垂直互连，形成2.5D SiP或3D堆叠结构。这种先进封装技术显著提升了存储带宽，但同时也大幅增加了晶圆消耗量，是标准DRAM的3倍以上。
技术发展路径清晰向高端存储延伸。Yole Group预测，HBM市场将在2030年前保持33%的年复合增长率，届时营收将占DRAM市场总营收的50%以上。技术路线图显示，HBM3e之后，HBM4因技术门槛仍将维持紧缺态势，12层HBM4单价预计达500美元，较现有产品高出60%。许家源预测，随着各大原厂的HBM产能释放，虽然预计2026年HBM3e可能面临供过于求压力，但新世代的HBM4具有技术门槛，仍呈供不应求态势。
国产技术突破加速推进。在HBM产业链上，国内企业已在检测设备、先进封装等环节取得进展。赛腾股份的HBM检测设备已得到海外大客户的认可并已批量出货；中微公司已在先进封装领域全面布局，包含刻蚀、CVD、PVD、晶圆量检测设备等；佰维存储的晶圆级先进封测制项目正处于投产准备过程中。这些技术突破为国产存储产业链切入高端市场奠定基础。
存储芯片板块估值呈现显著分化。截至10月21日，美股的美光、西部数据的市盈率（TTM）分别为27.18、22.14；而A股的存储厂商兆易创新、香农芯创、普冉股份的市盈率（TTM）分别为125.87、183.19、88.45。这种估值差异反映出A股市场对存储芯片板块给予更高溢价。
业绩与估值匹配度存在疑虑。2025年前三季度，部分存储厂商并未因存储涨价带来业绩显著提升。香农芯创2025年前三季度公司实现归母净利润3.59亿，同比增长-1.36%；江波龙2025年上半年公司实现归母净利润1477万，同比增长-97.51%。这表明当前国内存储公司股价的上涨主要靠国产替代的叙事逻辑以及资金持续关注半导体板块带来的流动性溢价。
长期估值预期已提前透支。据wind的一致性预测，以2027年的业绩基准来看，江波龙、香农芯创、兆易创新、佰维存储、德明利的市盈率分别为47.71、44.06、56.19、50.94、39.89。不考虑未来几年的业绩增长，当下美光的市盈率为27、三星的市盈率为19、SK海力士市盈率为8.15、西部数据市盈率为22。相比海外大厂，国内存储厂商的市盈率明显偏高。
资金动向显示融资资金持续涌入。截至10月22日，10月以来存储芯片板块获融资资金净流入28.58亿元，19股获得融资净买入均超过1亿元，北京君正、雅克科技和兆易创新融资净买入居前，分别为7.03亿元、5.27亿元、4.77亿元。这种持续的资金流入为板块提供了强有力的流动性支撑。
多重因素支撑存储芯片行情向纵深发展。四季度既是消费电子旺季，叠加"双十一"促销带动终端需求，又恰逢北美云服务商释放2026年DRAM需求展望，CFM闪存市场预测服务器eSSD、DDR5 RDIMM等产品季度涨幅将达10%-15%。在这样的产业背景下，存储芯片的"超级周期"有望延续至2026年上半年。
供需关系短期难以逆转。从供给端看，旧款内存产能恢复基本"没戏"。国内厂商想扩产，但半导体制造的先进设备受出口限制，想快速提升产能难度极大。从需求侧看，破局的關鍵可能在HBM身上：如果HBM的需求增长变慢，或者生产技术有突破，单位产能消耗大幅降低，那么传统DRAM的供应压力才会缓解。
价格展望显示上涨趋势将持续。TrendForce预计，DRAM的整体价格在第四季度将季增13%-18%。许家源指出，未来DDR4供给预计将持续紧缺，至少延续至2026年上半年。摩根士丹利在最新报告中也指出，AI的蓬勃发展正引发一场"存储超级循环"，目前仅是存储芯片上行的前期阶段。
全球竞争格局重塑带来国产替代机遇。HBM产能主要由DRAM三巨头——美光、三星、SK海力士掌控，2025年Q2这三家巨头在DRAM的市场份额超过90%。美国正加紧向韩国施压，要求其配合美方对华出口管制，敦促韩国只向盟国提供HBM等先进芯片。这种技术封锁反而为国内存储企业创造了国产替代的战略窗口期。
国产替代在政策支持下加速推进。相关部门发布政策，要求企事业单位采购向国产设备倾斜。工业和信息化部发布《"十四五"信息通信行业发展规划》，要求2025年关键信息基础设施领域国产化率超70%；国务院办公厅发布《关于在政府采购中实施本国产品标准及相关政策的通知》，自2026年1月1日起，政府采购活动中对符合本国产品标准的产品给予20%的价格扣除。这些政策为国内存储厂商腾出发展空间。
应用领域拓展推动存储需求多元化。除AI服务器外，汽车电子、智能物联网、工业控制等新兴领域对存储芯片的需求持续增长。企业级存储需求占比持续提升，SSD替代HDD进程加速。美光数据显示，企业级SSD在数据中心的渗透率已达65%，QLC NAND成本优势凸显，进一步推高存储芯片在AI基建中的成本权重。
基于上述分析，针对不同风险偏好的投资者，我们提出以下差异化策略：
稳健型投资者：重点配置技术壁垒高、产业链地位稳固的存储原厂及相关设备材料企业。美光、三星等国际巨头在HBM领域技术领先，直接受益于AI驱动的高端存储需求增长。同时，可关注国内在先进封装、检测设备等环节取得突破的企业，如中微公司、赛腾股份等。成长型投资者：可聚焦在细分领域具有竞争优势的国产存储企业。推荐在企业级存储市场实现国产替代的标的，如长江存储的企业级SSD已进入阿里云、腾讯云供应链，佰维存储的晶圆级封测项目也进入投产准备阶段。这些企业在国产替代浪潮中有望获得更大成长空间。机会型投资者：适当关注业绩弹性较大的存储模组厂。在存储涨价周期中，模组厂通过提前储备颗粒库存可享受价格红利，如江波龙等企业证券部坦言上游涨价对毛利率形成正向贡献。但需警惕部分企业仍处于亏损状态，存储涨价并未在业绩上很好体现的风险。从投资时机把握，可关注以下催化剂：一是季度财报超预期，如美光科技业绩屡超市场预期；二是产品价格持续上涨，如DDR4价格单周涨幅创新高；三是技术突破进展，如HBM4研发送样；四是政策利好释放，如国产替代政策加码。在板块经历技术性调整时介入，可能获得更好的风险收益比。
存储芯片板块投资面临多重风险，投资者需保持理性认知：
周期逆转风险：存储行业具有强周期性，当前上行周期结束后可能进入下行阶段。摩根士丹利指出，存储芯片大约每3-4年出现一次明显的"上升到下行"的轮替。应对措施是紧密跟踪存储价格、库存水平等领先指标，及时调整仓位。技术迭代风险：HBM等技术快速迭代，企业若未能跟上技术发展可能被淘汰。许家源预测，虽然预计2026年HBM3e可能面临供过于求压力，但新世代的HBM4具有技术门槛。应对措施是关注研发投入持续、技术路线清晰的企业。地缘政治风险：美国加紧向韩国施压，要求其配合对华出口管制，可能影响国内HBM供应。应对措施是关注供应链布局均衡、国内市场占比高的企业。估值过高风险：A股存储公司股价的上涨主要靠国产替代的叙事逻辑以及资金持续关注半导体板块带来的流动性溢价。据wind的一致性预测，以2027年的业绩基准来看，多家存储厂商的市盈率已透支未来业绩。应对措施是避免盲目追高，关注估值相对合理的标的。风险控制是存储芯片投资的重中之重。建议采取分散投资策略，跨市场、跨细分领域配置；严格控制仓位，高估值板块的配置比例不宜过高；设定明确的止损条件，包括技术面止损和基本面止损。同时，紧密跟踪产品价格、库存水平、技术进展等关键指标，动态调整投资策略。
存储芯片产业在AI算力需求爆发、产能结构性转移、国产替代加速等多重因素驱动下，正迎来历史性的"超级周期"。从投资视角看，这一板块已从传统的强周期属性向"成长+周期"双轮驱动转变，估值体系面临重构。
从投资逻辑梳理，存储芯片板块的核心价值来源于：一是AI驱动算力需求爆发，HBM市场将在2030年前保持33%的年复合增长率；二是供需结构改善，DRAM库存周期降至8周的历史低位，DDR4紧缺或持续到2026年上半年；三是国产替代空间广阔，国产替代率已提升至47%，政策要求2025年关键信息基础设施领域国产化率超70%。
从投资时机判断，存储芯片板块正处于上行周期前半段。摩根士丹利指出，AI的蓬勃发展正引发一场"存储超级循环"，目前仅是存储芯片上行的前期阶段。威刚董事长陈立白更看好第四季才是存储大多头的起点，也是存储严重缺货的开始。这种行业景气度与资本市场表现形成共振，为投资者提供了难得的布局机会。
对于投资者而言，存储芯片板块适宜作为组合中的科技成长配置部分，根据风险偏好配置不同比例的资产。建议关注以下关键信号作为投资决策的参考依据：一是存储价格变化趋势，特别是DDR4、HBM等主要品种的价格走势；二是库存水平变化，如DRAM库存周期能否回升至健康水平；三是技术突破进展，如HBM4研发与量产进度；四是地缘政治变化，如美国对华半导体出口管制政策演变。
在AI算力革命与国产替代的双重背景下，存储芯片作为数字经济的"粮食"，其战略价值将进一步凸显。投资者应把握周期与成长的平衡，在产业发展的浪潮中，聚焦技术领先、国产替代、周期受益三条主线，关注业绩兑现，避免盲目追高，分享存储芯片产业超级周期带来的投资回报。
来源：投资逻辑库
