多源供应强化竞争力，Tower王敏详解RF-SOI技术路线图

摘要：9月26日，2025国际RF-SOI论坛在上海香格里拉酒店顺利召开。会议期间，Tower Semiconductor中国区销售总监王敏围绕 RF-SOI 等核心技术，从营收、技术布局、市场趋势适配及行业合作成果等方面，介绍了公司在半导体领域的竞争力，同时强调

9月26日，2025国际RF-SOI论坛在上海香格里拉酒店顺利召开。会议期间，Tower Semiconductor中国区销售总监王敏围绕 RF-SOI 等核心技术，从营收、技术布局、市场趋势适配及行业合作成果等方面，介绍了公司在半导体领域的竞争力，同时强调其在 connectivity（连接）、汽车电子等领域的技术应用与价值。

图 | Tower Semiconductor中国区销售总监王敏，来源：新傲芯翼

众所周知，Tower Semiconductor（高塔半导体）是一家总部位于以色列的独立专业晶圆代工厂，成立于1993年，专注于模拟、混合信号、射频（RF）和电源管理等高价值特种工艺技术的半导体制造。王敏指出，Tower Semiconductor 提供从 45nm 到 0.25µm 的多节点晶圆代工服务，晶圆尺寸覆盖 300mm 和 200mm。其技术平台种类丰富，主要包括 SiGe、RF-SOI、RFCMOS、Logic、BCD、CIS 以及 SiPho 等。

图 | Tower Semiconductor晶圆代工技术布局；来源：新傲芯翼

其中，RF-SOI 技术作为核心技术之一，在多个领域发挥着关键作用。当前，公司在RF-SOI 技术上实现了以色列、美国、日本等多源供应，在提升300mm RF-SOI产品稳定性与供应能力的同时，也在持续优化200mm RF-SOI 工艺，以适配不同客户的需求。在具体市场布局方面，Tower Semiconductor聚焦人工智能、绿色能源和连接三大方向。在连接领域，公司基于 RF-SOI 和 SiGe 技术，为无线前端提供包括 RF 开关、天线调谐器、低噪声放大器、功率放大器及毫米波组件等关键部件，支持 5G 和 Wi-Fi 7 等通信标准对高性能前端的要求。在行业合作方面，公司与 Broadcom 合作推出基于 300mm RF-SOI 的 Wi-Fi 7 RF FEMs，用于下一代移动应用。此外，与 pSemi 合作的成果在 2025 年 IMS 上获奖，论文展示了宽带射频开关的性能突破。在汽车电子领域，公司提供包括 BCD、RF-SOI、CMOS 图像传感器、SiGe BiCMOS等多种技术，应用于 ADAS 雷达、V2X、激光雷达、摄像头、汽车以太网、电池管理等关键系统，满足高可靠性与低功耗需求。