摘要：2024年9月5日，一则工商注册信息悄然释放重磅信号：长存三期（武汉）集成电路有限责任公司正式成立，注册资本高达207.2亿元。更关键的是，长江存储直接出资104亿元，联合湖北、武汉、东湖高新区三级国资共同推进——这不仅是扩产，更是国家意志下的一次战略升级。
2024年9月5日，一则工商注册信息悄然释放重磅信号：长存三期（武汉）集成电路有限责任公司正式成立，注册资本高达207.2亿元。更关键的是，长江存储直接出资104亿元，联合湖北、武汉、东湖高新区三级国资共同推进——这不仅是扩产，更是国家意志下的一次战略升级。
长江存储，是中国唯一在高端NAND Flash（闪存）领域实现突破的领军企业。其核心产品是NAND Flash闪存芯片，这是一种非易失性存储芯片，即断电后仍能保存数据。其产品主要以闪存晶圆及固态硬盘两种形态面上市场，被广泛应用于智能手机、个人电脑及数据中心服务器等领域。
自2016年成立以来，它肩负着打破国外垄断、保障国家数据安全的使命。
其自主研发的Xtacking®架构，通过创新的晶圆键合技术，实现了高密度、高性能与高灵活性的统一，让中国在全球存储芯片的顶级竞争中拥有了“一席之地”。如今，从手机、笔记本到数据中心，越来越多设备用上了国产闪存芯片。
长江存储不同阶段技术突破进度
这笔207亿的投资，远不止是“多建一条生产线”那么简单。它的真正意义，在于拉动整个国产半导体产业链的升级。
东莞证券指出，一条先进的半导体产线，70%-80%的投资都会流向设备和材料。这意味着，这200亿将转化为对刻蚀机、薄膜沉积设备、清洗机、检测设备，以及硅片、光刻胶、电子特气、靶材等关键材料的巨大需求。
而这些，恰恰是当前国产化最薄弱的“卡脖子”环节。长江存储的扩产，为国内设备和材料厂商提供了最宝贵的实战场地和验证机会——只有在真实产线上跑通，技术才算真正成熟。
与二期项目不同，此次长江存储亲自主导并大比例出资，显示出更强的技术自信与战略紧迫感。产线建设将更快落地，上游企业的订单兑现周期也有望缩短，形成“制造带动上游”的良性循环。
三级国资联合支持，更凸显国家打造完全自主可控半导体供应链的决心。长存三期的启动，标志着中国半导体正从“制造突破”迈向“设备材料全面崛起”的新阶段。
面向AI时代的“存力”竞争
AI爆发让“算力”成为焦点，但“存力”同样关键。没有高速、大容量的存储，再强的算力也“喂不饱”。
目前，AI训练依赖的HBM（高带宽存储器）市场被三星、SK海力士、美光三家垄断，CR3高达100%。虽然长江存储主攻NAND Flash，而非HBM所在的DRAM领域，但其“兄弟”企业长鑫存储正在攻坚DRAM技术，未来双方在技术、供应链上的协同潜力巨大。
RAM/HBM存储市场呈现海外寡头垄断格局，CR3高达97%/100%
数据来源：长城证券
此外，AI对存储的需求是多元的。除了昂贵的HBM，高速大容量SSD在AI推理、边缘计算等场景中同样不可或缺。华为等企业已提出“AI SSD”构想，试图用优化算法让SSD部分替代HBM，降低成本。
这正是长江存储的优势所在。随着产能扩大、技术迭代，国产高速SSD有望在AI存储的“第二赛道”上走出一条差异化创新之路。
对普通投资者而言，精准押注某一家公司难度大、风险高。更高效的方式是通过指数化工具，一键布局整个半导体核心产业链。
例如，科创半导体ETF，聚焦科创板中半导体设备（约59%）和材料（约25%）龙头企业，覆盖了从碳化硅衬底、光刻设备、薄膜沉积到先进封装的完整链条。当长江存储这样的明星公司扩张业务的时候，受益的半导体设备及材料公司将会多种多样，当投资者无法准备把握投资机会的时候，这类覆盖范围广的ETF能帮助投资者更全面地捕捉技术变革带来的红利，扩大捕捉优质投资机会的可能性。据公开信息显示，科创半导体ETF有以下优势：
1. 更科创：20CM弹性+半导体主阵地
2020至今半导体企业选择在科创板上市的比例高达86%，覆盖芯片设计、制造、材料、设备全产业链，是国产替代的“主战场”！如今，科创板融资环境持续优化，摩尔线程等国产GPU明星企业蓄势待发，硬科技生态愈发澎湃。
2. 更聚焦：核心环节占比最高
科创半导体材料设备指数为首只聚焦科创板半导体设备和材料行业的指数，指数中半导体设备含量超60%，半导体材料含量近24%，合计权重占比超84%，领先半导体类指数。
3. 更低估：指数估值性价比突出
对于处于快速成长阶段的科技新兴企业，利润可能波动较大，因此市盈率并不准确。相比之下市销率更为合适，企业销售额相对较为稳定，能更好地反映其市场份额和销售能力。我们以市销率为主，科创半导体材料设备估值为11.79倍，估值分位相对主流半导体指数偏低。
4. 更强势：近两年反弹超一倍
指数具备20cm涨停板优势，更快捕捉牛市弹性，基日以来涨幅超63%，年化涨幅超9%，近两年自最低价的最大涨幅超100%。
数据来源：Wind，截至2025.8.20。科创半导体设备材料指数2020-2024年完整会计年度业绩为：67.41%、-5.14%、-25.65%、14.99%、-0.13%。指数业绩不代表基金业绩，历史业绩不代表未来预测。
5. 规模、流动性领先
科创半导体ETF作为首只跟踪科创半导体材料设备指数的ETF，目前场内规模达到5.48亿元，为同指数场内规模最大的ETF，近两月份额增加了2.14亿份，份额增长率达到88%，反映资金的高度认可。同时，科创半导体ETF近一月日均成交额达到9600万元，流动性充足！
（数据来源：Wind，截至2025.9.3。规模数据来源：上交所，Wind。截至2025年9月3日，科创半导体ETF规模为5.48亿元。全市场同指数规模第一指全市场跟踪上证科创板半导体材料设备指数且上市交易的ETF产品中对应数据位列第一。）
科创板特别风险提示:本基金的基金资产可投资于科创板,会面临因投资标的、市场制度以及交易规则等差异带来的特有风险,包括但不限于如下特殊风险:流动性风险、退市风险、股价波动风险。
风险提示：1.以上基金为股票基金，主要投资于标的指数成份股及备选成份股，其预期风险和预期收益高于混合型基金、债券基金与货币市场基金，科创半导体ETF属于中高风险（R4）品种，具体风险评级结果以基金管理人和销售机构提供的评级结果为准。2.本基金存在标的指数回报与股票市场平均回报偏离、标的指数波动、基金投资组合回报与标的指数回报偏离等主要风险。3.投资者在投资本基金之前，请仔细阅读本基金的《基金合同》《招募说明书》和《产品资料概要》等基金法律文件，充分认识本基金的风险收益特征和产品特性，并根据自身的投资目的、投资期限、投资经验、资产状况等因素充分考虑自身的风险承受能力，在了解产品情况及销售适当性意见的基础上，理性判断并谨慎做出投资决策，独立承担投资风险。4.基金管理人不保证本基金一定盈利，也不保证最低收益。本基金的过往业绩及其净值高低并不预示其未来业绩表现，基金管理人管理的其他基金的业绩并不构成对本基金业绩表现的保证。5.基金管理人提醒投资者基金投资的“买者自负”原则，在投资者做出投资决策后，基金运营状况、基金份额上市交易价格波动与基金净值变化引致的投资风险，由投资者自行负责。6.中国证监会对本基金的注册，并不表明其对本基金的投资价值、市场前景和收益做出实质性判断或保证，也不表明投资于本基金没有风险。7.本产品由华夏基金发行与管理，代销机构不承担产品的投资、兑付和风险管理责任。8.本内容提及的个股不构成个股推荐。基金有风险，投资需谨慎。
来源：华夏基金
