摘要：这是一个锂电池管理电路板，上面有三颗PQFN封装的芯片，芯片型号为8326。经过查询应该是infineon的HEXFE功率MOS管。下面拆卸下来测试一下这颗功率管的特性，为之后使用积累经验。幸亏在嘉立创中有了这个器件的封装，下载到AD中，这样方便后面设计测试电

一款功率MOS管：8326。

这是一个锂电池管理电路板，上面有三颗PQFN封装的芯片，芯片型号为8326。经过查询应该是infineon的HEXFE功率MOS管。下面拆卸下来测试一下这颗功率管的特性，为之后使用积累经验。幸亏在嘉立创中有了这个器件的封装，下载到AD中，这样方便后面设计测试电路，节省了很多绘制原理图的时间。

测试电路很简单，使用三芯插针将MOS管的三个电极引出，这样便于在面包板上进行测试。中间是栅极，左边是源极，右边是漏极。

·首先测试一下MOS管的源极和漏极之间的寄生二极管。使用万用表测试从漏极到源极之间的二极管，可以测到这个体二极管的前向导通电压，在导通电流1毫安的情况下电压大约为0.517V。

·使用信号源产生1kHz，峰值5V的方波施加在MOS管的栅极，可以看到MOS管漏极输出与信号之间是反向的。特别是能够看到由于负载电阻为10kQ，漏极输出上升沿有些缓慢。展开之后可以看到上升时间大约为20微秒。

·将输入信号修改为三角波，这样可以测量MOS管导通栅极电压。2MOS管导通电压大约为1.9V左右。

·将输入信号频率增加到4KHz，可以看到输出信号有些变化。首先是上升沿变得更加缓慢，造成了输出信号高电平的占空比明显减少了。在栅极电压由下降到上升会造成输出信号有一个小的上升。猜测这是输入电压通过漏极和栅极之间的电容耦合到了输出负载电阻，形成了这个电压上升。

·直到栅极电压超过了MOS管的开启电压，输出信号下降到低电平。

·下面使用LCR镊子测量MOS管栅极与源极之间的电容，电容为2.5nF左右，漏极之间的电容大约由1nF。这就解释了前面输出信号中出现的耦合关系。

根据器件数据手册中给出的参数，栅极充电电荷大约为20NΩ，这相当于栅极充电到8V对应的充电电荷，给MOS管的栅极和源极之间并联一个10k欧姆的下拉电阻。使用晶体管耐压表测试，MOS管漏极和源极之间的耐压为33.1V。

本文测试了一款功率MOS管特性，它的封装非常小，可以应用于未来的实验当中。

参考链接：双手触摸知识。https：//blog.csdn.net/zhuoqingjoking97298。

来源：APPLE频道