摘要：2）NOR Flash、NAND Flash及MCU等产品验证周期长、替代门槛高。即便有新厂商尝试进入，从流片到规模化量产也需至少16个月。这意味着在未来一段时间内，现有供应商的市场地位将保持稳定，难以被快速替代。

今天，中芯国际调研中的两条信息：

1）目前存储行业供应存在缺口，预计高价位态势将持续。

2）NOR Flash、NAND Flash及MCU等产品验证周期长、替代门槛高。即便有新厂商尝试进入，从流片到规模化量产也需至少16个月。这意味着在未来一段时间内，现有供应商的市场地位将保持稳定，难以被快速替代。

这一条消息，说明存储扩产比较困难，竞争格局好，新厂商进入至少需要16个月，现有供应商供应商市场地位稳定。

机构数据显示：Q3全球DRAM市场规模环比增长24.7%至400.37亿美元，各应用领域供应紧张的局面持续发酵，随着供应商库存水位的进一步下降，DRAM和NAND市场价格已经全面上涨，在此情况下，预计四季度存储市场规模将续创季度新高。

11月14日消息，三星电子本月提高了某些内存芯片的价格，这些芯片因全球建设AI数据中心的热潮而供应短缺，提高后的芯片价格比九月份上涨了多达60%。

因为存储芯片涨价，影响下游的消费电子市场，多家手机厂商暂缓采购存储芯片，部分厂商库存不足三周。集邦咨询：下修2026年全球智能手机及笔电生产出货预测。

消费电子市场下降，对存储几乎没影响，服务器厂家往往愿意花费更高的价格来采购，也就是存储厂赚的更多。

存储超级周期继续，美股存储大幅反弹，美光科技创新高，大A的存储，看这周会不会也强势反弹。

短期：看模组（江波龙、佰维存储、德明利、香农芯创、时空科技）反弹情况。

中期：看芯片（兆易创新、普冉股份）和长鑫存储IPO的进展消息（合肥城建）。

晚上，普冉股份，拟1.44亿元收购诺亚长天31%股权，实现间接控股高性能闪存公司SHM。

另外，国产存储一条消息：华为主导的2025数据存储产业大会将于11月19日举办，磁电存储或成爆点（斯迪克）。

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来源：晋小乐