摘要：这份基于39位韩国专家问卷的评估，以全球顶尖水平为100%基准，明确指出截至2024年底，中国在高集成低阻抗存储、高性能低功耗人工智能芯片、功率半导体以及新一代高性能传感器四大基础领域已全面领先韩国，仅先进封装领域双方持平。
韩国科学技术企划评价院在2025年2月23日发布的最新报告，直击韩国半导体产业的痛点。
这份基于39位韩国专家问卷的评估，以全球顶尖水平为100%基准，明确指出截至2024年底，中国在高集成低阻抗存储、高性能低功耗人工智能芯片、功率半导体以及新一代高性能传感器四大基础领域已全面领先韩国，仅先进封装领域双方持平。
两年前的类似调查中，韩国还占据多数优势，如今格局彻底逆转。这份报告迅速登上韩联社头条，引发韩国业界震动，也让全球关注中国芯片实力的目光聚焦而来。
美国从2018年起层层加码对华芯片管制，2020年说服荷兰ASML彻底禁售EUV光刻机，2022年后扩展至DUV设备及配件出口限制，2024年进一步封锁高带宽存储器技术。
韩国三星和SK海力士长期霸占全球NAND闪存超50%、DRAM近70%市场份额，本以为能坐收渔利，却未料中国在封锁绝境中加速弯道超车。
面对无EUV可用，中国企业深挖DUV潜力，通过自对准四重图案化等技术，硬生生将193纳米波长设备推向7纳米节点，成本虽高但供应自主可控。这不仅是技术韧性，更是产业链重构的胜利。
报告中，高集成低阻抗存储领域中国得分94.1%，韩国90.9%。长江存储从2018年32层3D NAND起步，2022年推出Xtacking 2.0的232层产品，密度达15.8Gb/mm²，已与三星238层相当。
2025年1月第五代Xtacking 4.0登场，总层数294层，活跃层232层，通过混合键合将外围电路垂直堆叠于存储阵列之下，寄生电阻降30%，读写速度超7000MB/s。
相比韩国线性堆叠工艺，中国方案允许电路复用，单位面积容量多5%，良率从早期60%升至90%以上。武汉工厂月产能扩至15万片晶圆，占全球8%，2025年第三季度市场份额逼近10%，直接蚕食韩国出口空间。
这一跃升源于刻蚀与清洗设备的国产突破。中微半导体CCP刻蚀机处理高深宽比通道，均匀性99.9%；盛美上海单片式清洗机纳米颗粒去除率95%。过去依赖进口，中国如今设备组合成本降40%，层数迭代从三年一代加速至两年。
韩国虽有286层产品，但堆叠应力控制落后，裂纹率高2%，难以匹敌中国密度优势。这说明，自主创新路径让中国在存储战场从追赶者变身领跑者。
高性能低功耗AI芯片，中国88.3%对韩国84.1%。华为昇腾系列晶体管密度1.5亿/mm²，动态电压调节下功耗降30%，毫秒级响应支持服务器训练。韩国Arm内核设计优化有限，中国中芯国际N+2工艺等效7nm，四次以上曝光叠加线宽控3nm内，良率从2024年40%飙至70%。
光刻胶迭代与AI缺陷检测算法，将叠加误差从5nm缩至1nm。封装上，长电科技扇出型间隙10微米，散热升25%。韩国5nm线依赖EUV，成本虽低但供应链脆弱，中国方案稳定供应AI大模型需求。
功率半导体，中国79.8%大幅领先韩国67.5%。碳化硅从6寸扩8寸，击穿电压1200V，导通电阻5mΩ·cm。比亚迪、斯泰万通MOSFET应用于新能源逆变器，效率98%。
中国区熔提纯衬底杂质低10倍，化学气相沉积参数准0.1nm，产量翻番。韩国三安光电衬底纯度落后，开关频率低40%。
栅极氧化层变异从5%降0.5%，中国器件高压直流传输更优。这领域反超最明显，凸显中国在电力电子的产业化速度。
新一代高性能传感器，中国83.9%微超韩国81.3%。豪威科技背照CMOS像素0.7微米，动态范围120dB，低光噪点降30%。离子注入剂量准0.1%，暗电流控制优异，分辨率从4200万像素增1亿。
韩国索尼主导但迭代慢，中国像素隔离沟槽深化，信噪比领先。应用于安防、自动驾驶，产量是中国1.4倍。
先进封装双方74.2%。中国长电、通富微电子掌握2.5D硅中介层，带宽1TB/s。激光辅助键合良率追平韩国日月光，多芯片模块热导20W/m·K。
反超根基在产业链闭环。2025年半导体设备国产化率超50%，北方华创ALD沉积取代进口，宇量昇DUV测试7nm良率90%。
中芯国际9月启动国产浸没式DUV产线，成本低ASML 30%。韩国核心设备90%进口，一朝制裁即瘫痪。中国每年7万半导体毕业生，是韩国5倍，实验室全天攻关，迭代翻番。
目前，长江存储267层NAND规模出货，设计超300层，份额9%。中芯国际国产DUV良率超标，存储出口增30%。全球供应链重塑，中国经验证明封锁适得其反。
这份报告不是终点，而是中国芯片自主的里程碑。韩国专家直言“中国速度令人瞩目”，全球目光下，中国从进口依赖到技术输出，铸就半导体强国基石。
未来，EUV国产化将进一步巩固领先，产业链韧性让任何封锁失效。这场逆袭，源于坚持与创新，值得每位中国人自豪。
来源：千经不尽理复来
