摘要：EUV（极紫外）光刻机是制造 3 纳米及以下工艺芯片的核心设备，堪称半导体产业的皇冠明珠。目前，荷兰 ASML 公司垄断了全球 EUV 光刻机市场，而中国华为联合国内团队研发的 Hyperion-1 EUV 光刻机，正在试图打破这一垄断格局。

EUV（极紫外）光刻机是制造 3 纳米及以下工艺芯片的核心设备，堪称半导体产业的皇冠明珠。目前，荷兰 ASML 公司垄断了全球 EUV 光刻机市场，而中国华为联合国内团队研发的 Hyperion-1 EUV 光刻机，正在试图打破这一垄断格局。

ASML 的 EUV 产能规划清晰且权威，其 2025 年第二季度财报显示，2025 ~ 2026 年将实现 90 台的 EUV 光刻机产量，较 2024 年提升约 30%。其中，主力机型 NXE:3800E 的产能达185 片/小时，约 4440 片 / 天，这一数据已被台积电、三星等核心客户的实际生产验证。

在更先进的 High-NA（高数值孔径）技术领域，ASML 的 EXE:5000 系列（0.55 NA）已进入量产阶段，单台设备产能达 220 片/天，可支持 1.8 纳米工艺芯片制造。根据 ASML 财报电话会议透露，2025 年仅交付 5 ~ 10 台，主要用于英特尔 18A 节点（1.8 纳米）的研发。

华为的 EUV 研发采用激光诱导放电等离子体（LDP）技术，绕开了 ASML 的激光产生等离子体（LPP）专利壁垒（华为 2021 年提交的专利申请号：202110524685.X）。其核心突破包括：

（1）光源稳定性：通过碳纳米管冷却系统实现 50W 光源功率，约为 ASML 设备的五分之一，初期良率约 70%，目标 2026 年提升至 80%。

（2）试产进展：2025 年第三季度启动试产，产能为 10 片/小时，约 720 片/月，主要用于军用芯片、高端 FPGA 等小批量场景。

根据下一代计划，2026 年将推出 Hyperion-2，光源功率提升至 150W，目标产能达 150 片/小时，约 10.8 万片/月，并通过材料国产化，如福晶科技的光学晶体，降低成本至 ASML 设备的 45%。

华为的 EUV 研发并非孤立，国内产业链提供了关键支持。

在光源系统上，中科院上海光机所研发的固体激光光源，能量转换效率达 3.42%，已通过华为验证并应用于 Hyperion-1 原型机。

在光学组件方面，福晶科技通过欧洲代理与 ASML 签署保密协议，为其提供 EUV 光源用晶体材料，并与华为联合研发超快激光模块，2025 年中报显示，半导体业务营收占比 25%。

其中，华卓精科的DWSi 系列双工件台，定位精度达2nm，计划 2026 年升级至 EUV 级（0.1nm）。

市场研究机构 TrendForce 预测，国产 EUV 光刻机量产将使 3 纳米芯片成本降低50%，直接冲击台积电、三星的市场份额（2025 年 3 月报告）。根据此前的信息，也有专业机构指出，中国可能在 2030 年前成为全球第三个具备 EUV 光刻机量产能力的国家。

信息来源：ASML 财报电话会议 / WCCFTech / Digitimes Asia / GlobalSMTA Asia / 产业链消息 / 《中国激光》期刊 / 《半导体技术》杂志 / TrendForce 等。

来源：路边同学一点号