摘要：在AI对存储旺盛需求推动下，影响已从HBM传导到DRAM和NAND Flash领域。

据闪德资讯获悉，在AI对存储旺盛需求推动下，影响已从HBM传导到DRAM和NAND Flash领域。

供应商难以完全满足所有需求，全球存储芯片市场正处于结构性增长阶段。

预计2027年全球存储市场规模近3000亿美元。

DRAM市场进入2024-2027年“四年定价上行周期”，2027年HBM占DRAM市场总价值43%。

预计HBM3E在2026年因供应增加而降价，HBM4溢价也将达到约35%。

SK海力士在HBM4竞争中占据超过60%的市场份额，三星电子和美光争夺剩余的HBM4订单。

由于存储芯片需求广泛，涉及多种应用场景，共同加剧了供应短缺的局面。

用于英伟达下一代Vera CPU的SOCAMM2内存模块，以及用于Rubin CPX GPU的GDDR7显存，将成为DRAM需求的新增长动力。

仅AI相关应用就将占DRAM市场的53%。

NAND市场因eSSD需求激增、HDD短缺，及AI推理需求等因素强劲复苏，存储产品交货时间已延长到52周，导致HDD为主的市场大规模采用eSSD作为替代解决方案。

NAND仍有进一步上涨空间，预计在2026财年同比增长7%。

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来源：随性自由的溪流qJt一点号