摘要：三安光电是全球 LED 外延芯片龙头，亦是国内化合物半导体领军企业，当前处于 “传统 LED 业务筑底 + 第三代半导体爆发前夜” 阶段。2025 年上半年，公司营收 89.87 亿元（同比 + 17.03%），业务韧性凸显；但归母净利润 1.76 亿元（同比
三安光电是全球 LED 外延芯片龙头，亦是国内化合物半导体领军企业，当前处于 “传统 LED 业务筑底 + 第三代半导体爆发前夜” 阶段。2025 年上半年，公司营收 89.87 亿元（同比 + 17.03%），业务韧性凸显；但归母净利润 1.76 亿元（同比 - 4.24%），扣非净利润 - 1.00 亿元，盈利未实现实质性改善。
技术突破方面，Mini LED 芯片批量供应三星等国际客户，车用 LED 全球市场份额前三；碳化硅业务布局完整，湖南三安 6 英寸产能 1.6 万片 / 月、8 英寸衬底产能 1000 片 / 月，8 英寸芯片产线已通线；与意法半导体合资的重庆安意法项目 2025 年四季度预计量产，将成国内首条 8 英寸车规级碳化硅功率芯片规模化产线。
核心挑战集中于盈利质量与现金流：近五年扣非净利润累计亏损超 12 亿元，2025H1 政府补助占净利润比 157%；经营活动现金流净额同比降 38.51%，应收账款占净利润比达 1353.16%。不过，随着 Mini LED 渗透率 2025 年预计突破 10%、碳化硅营收预计达 35-40 亿元，公司 2025-2026 年有望迎来业绩拐点。
三安光电 2000 年 11 月成立，2008 年 7 月沪市上市，是国内最早布局化合物半导体的企业之一。总部位于厦门，在厦门、长沙、泉州、鄂州、重庆设生产基地，欧美、日韩设研发与销售网点，形成全球化研发布局。
主营业务涵盖 LED 外延片及芯片、化合物半导体（砷化镓、氮化镓、碳化硅等）集成电路产品研发生产，是国内 LED 外延芯片绝对龙头，亦是化合物半导体布局最全面的企业之一。采用垂直整合（IDM）模式，覆盖衬底材料、外延生长、芯片设计制造到封装测试全产业链，提供一站式解决方案。
截至 2025 年 6 月 30 日，股权结构中，厦门三安电子持股 24.33%（控股股东），福建三安集团为实际控制人；国家集成电路产业投资基金持股 2.28%，体现政策支持。公司治理完善，设健全的股东大会、董事会、监事会及管理层体系，决策科学透明。
业务分三大板块：
LED 外延芯片：传统优势业务，收入占比最高（2025H1 约 65%），产品含高亮度 LED、Mini/Micro LED 芯片，应用于通用照明、显示背光、车用照明等领域。集成电路产品：战略新兴业务（2025H1 收入占比 17%），含射频前端芯片、碳化硅 / 氮化镓电力电子芯片，应用于手机、新能源汽车、光伏储能等领域，2025H1 收入同比 + 7.64%。LED 应用产品：含照明产品、显示模块等（2025H1 收入占比 15%），另有材料废料销售等其他业务（占比 3%）。商业模式以 IDM 垂直整合为核心，兼顾专业化分工与产业链协作，有效控本提效，增强综合竞争力。
收入规模：2025H1 营收 89.87 亿元（同比 + 17.03%，环比 + 9.45%），Q2 营收 46.75 亿元（同比 + 13.41%，环比 + 8.43%），增长受益于集成电路、LED 应用产品及材料废料销售。业务细分看，LED 外延芯片收入同比 - 3.97%（但毛利率提升），Mini/Micro LED 在车用、植物照明份额增长，研发费用同比 + 33.35%。利润表现：2025H1 归母净利润 1.76 亿元（同比 - 4.24%），扣非净利润 - 1.00 亿元（较去年同期减亏 65.20%）；Q2 归母净利润 - 3542.29 万元（同比 - 154.04%），盈利未实质性改善。盈利指标：2025H1 毛利率 15.16%（同比 + 3.46pct），净利率 2.09%（同比 - 0.31pct）；加权平均净资产收益率 0.48%，投入资本回报率 0.45%，资本回报与产品附加值偏低。资产结构：2025 年 6 月末总资产 58.75 亿元（同比 - 0.51%），在建工程降 29.11%（产能释放），固定资产增 4.30%，存货增 7.44%（需关注减值），预付款项增 107.48%（上游采购加大）。负债结构：总负债 23.30 亿元（同比 + 1.22%），短期借款增 28.21%，长期借款增 14.52%，有息负债占比上升；应付票据及应付账款降 5.42%，对上游议价能力或减弱。偿债能力：流动比率 1.56，速动比率 1.14，货币资金 / 流动负债 76.06%（低于 100%，短期偿债压力），有息资产负债率 20.74%，需关注债务结构与融资成本。经营现金流：2025H1 净额 9.44 亿元（同比 - 38.51%），与营收增长背离，主因应收账款周转效率下降（占资产总额 5.82%）及存货减值（存货 59.84 亿元，计提跌价 6.51 亿元）。投资现金流：净额 - 9.50 亿元（同比减少支出），用于购置固定资产与无形资产。筹资现金流：净额 9.59 亿元（同比 + 15.46 亿元），依赖借款筹资。现金流质量：经营现金流净额 / 净利润 = 5.36（质量较好但同比降），应收账款 / 净利润 = 1353.16%（回收风险高）。订单情况：2025 年 6 月末在手订单充足，集成电路领域与国际客户签长期协议，订单可见度高。产能布局：厦门基地产 LED 外延与射频芯片，长沙基地（湖南三安）产碳化硅 / 氮化镓（6 英寸 1.6 万片 / 月、8 英寸衬底 1000 片 / 月），泉州基地产化合物半导体，鄂州基地（湖北三安）产 Mini/Micro LED（芯片月产能 12.5 万片），重庆基地（安意法）规划 8 英寸车规碳化硅产线（年产 48 万片）。产能利用率：整体稳步提升，但碳化硅、Mini/Micro LED 等新业务处产能爬坡期，良率与利用率待提升。规模增长：2024 年全球 LED 市场 85 亿美元（同比 + 12%），2025 年预计 95 亿美元（同比 + 11.8%），增长来自 Mini/Micro LED、车用 LED、植物照明。细分市场：通用照明渗透率超 80%（2025 年规模 55 亿美元，同比 + 7%）；Mini LED 背光（2025 年 25 亿美元，同比 + 40%）；车用 LED（2025 年 10 亿美元，同比 + 25%）；植物照明（2025 年 8 亿美元，同比 + 30%）。竞争格局：三安光电、晶电、首尔半导体等主导，三安全球市占率近 30%，Mini LED 领域与晶电、隆达竞争，Micro LED 与索尼、三星合作推进商业化。规模增长：2025 年全球市场超 50 亿美元（同比 + 30%），碳化硅 30 亿美元（同比 + 31.6%）、氮化镓 20 亿美元（同比 + 25%）；2030 年预计 150 亿美元（CAGR 25%）。细分市场：碳化硅主用于新能源汽车（占比 71.4%）、光伏储能（14.4%）；氮化镓分硅基（快充、5G 基站）与氮化镓 - on - 碳化硅（高频通信）。竞争格局：国际巨头（Wolfspeed、英飞凌）主导，国内三安、士兰微等加速替代，三安碳化硅全产业链布局（6/8 英寸产能），国内领先。LED 趋势：Mini/Micro LED 成高端显示主流（2025 年背光电视渗透率超 10%），车用 LED 随汽车智能化增长，植物照明受农业现代化推动。第三代半导体趋势：碳化硅加速应用于新能源汽车（提升续航 15%），氮化镓拓展快充与 5G，国产化替代加速。驱动因素：政策支持（第三代半导体入 “十四五”）、市场需求（新能源汽车、5G）、技术进步（良率提升、成本下降）。规模增长：2025H1 收入占比 17%（同比 + 7.64%），射频前端（砷化镓代工 1.8 万片 / 月、滤波器 150KK / 月）与电力电子（碳化硅小批量交付）驱动。射频前端：砷化镓芯片用于 2G-5G 手机、物联网，客户超 90 家；滤波器（SAW/BAW）覆盖高中低频，WLP 产品批量供应旗舰机型。电力电子：碳化硅覆盖衬底 - 外延 - 芯片，6/8 英寸产能释放，产品用于新能源汽车电驱、光伏逆变器；氮化镓（硅基 2000 片 / 月）用于快充、5G 基站。客户前景：客户含华为、小米、比亚迪、阳光电源，2025 年碳化硅营收预计 35-40 亿元（占集成电路 60%+），成核心增长点。布局产能：湖北三安项目总投 120 亿元，芯片月产能 12.5 万片、特种封装 1000KK / 月，厦门、长沙基地配套产线。市场客户：Mini LED 应用于电视、车载显示，供应三星、比亚迪；Micro LED 与消费电子巨头合作，覆盖穿戴、AR 眼镜。技术前景：芯片良率与效率提升，成本下降，2025 年全球 Mini LED 背光 25 亿美元（同比 + 40%）、Micro LED 3 亿美元（同比 + 50%），业务收入预计 40-50 亿元。规模地位：2025H1 收入同比 + 25%（占 LED 外延 20%），高端车用照明市占率全球前三，进入博世、比亚迪供应链。技术产品：ADB/DLP 智能车灯技术应用于高端车型，Mini/Micro LED 背光用于仪表盘、中控屏。客户前景：客户含通用、理想、宾利，随汽车智能化，2025 年全球车用 LED 市场 10 亿美元（同比 + 25%），业务有望持续增长。布局产能：湖南三安 6 英寸 1.6 万片 / 月、8 英寸衬底 1000 片 / 月、外延 2000 片 / 月，重庆安意法 8 英寸产线（2025Q4 量产）。技术产品：8 英寸衬底良率 60%（目标 2025 年 75%），成本较 6 英寸降 40%，650V-2000V 碳化硅二极管 / MOSFET 量产。客户前景：车规 SiC MOSFET 送样比亚迪、理想，光伏领域合作阳光电源，2025 年全球碳化硅市场 30 亿美元（新能源汽车占 71.4%），业务成增长核心。投入规模：2025H1 研发费用 6.40 亿元（同比 + 33.35%，费率 7.12%），2024 年研发 13.23 亿元（费率 8.21%），约 50% 研发投入资本化。团队平台：研发人员 3500 人（占比 25%），设多区域研发中心与国家级平台（国家企业技术中心等），承担国家级项目。专利成果：累计专利超 4200 件（授权 2564 件，海外 1000 + 件），自有专利占比 98%，曾获两次国家科技进步一等奖（氮化镓射频芯片）。来源：千千杂谈