限购+延期!消费级内存陷供应荒

B站影视 港台电影 2025-11-17 17:44 1

摘要:随着 DRAM 和 NAND 闪存芯片短缺态势持续加剧,全球科技产业链正面临前所未有的供应压力。各大 PC 品牌、系统集成商及内存制造商纷纷加入抢购行列,从长期合约采购到现货市场扫货,全行业的库存囤积行为进一步收紧了本就紧张的供应端。华硕等头部厂商明确表示,当

随着 DRAM 和 NAND 闪存芯片短缺态势持续加剧,全球科技产业链正面临前所未有的供应压力。各大 PC 品牌、系统集成商及内存制造商纷纷加入抢购行列,从长期合约采购到现货市场扫货,全行业的库存囤积行为进一步收紧了本就紧张的供应端。华硕等头部厂商明确表示,当前内存库存仅能支撑两个月生产,足以覆盖 2025 年剩余需求,但 2026 年起将直面短缺压力,产品价格调整已箭在弦上。这场由 AI 产业爆发引发的内存供需失衡,正从数据中心向消费电子领域蔓延,催生全球存储市场的深度重构。

半导体存储市场的结构性短缺并非偶然,其核心驱动力是全球人工智能数据中心基础设施的爆发式建设。Meta 计划 2025 年底前部署 130 万块 GPU,微软两年内将数据中心规模扩大一倍,谷歌、亚马逊等科技巨头的年度资本支出均突破千亿级别,这场 "算力军备竞赛" 直接拉动了对高带宽内存(HBM)和注册内存(RDIMM)的极致需求。与普通服务器相比,单台 AI 服务器的 DRAM 搭载量高出 3-5 倍,而英伟达 Blackwell 平台的 AI 服务器更是将 SSD 配置从 64TB 升级至 96TB,成为名副其实的 "内存吞噬者"。这种需求结构的剧变,使得存储芯片制造商纷纷调整产能策略,将现有 DRAM 生产线改造为 HBM 和 DDR5 等高附加值产品生产线,直接挤压了消费级内存的产能空间。

供需失衡的直接后果是内存价格的飙升。2025 年下半年以来,存储芯片涨价潮呈现加速态势,进入 11 月后,DDR5 高性能存储芯片现货价格一周内飙升 25%,服务器 DRAM 报价第四季度累计上涨近 70%,NAND 合约价也同步上涨 20-30%。日本市场的表现尤为极端,英睿达 DDR5 6400 16GBx2 套条价格从 8 月的 15000 日元(约合人民币 688 元)涨至 11 月的 32000 日元(约合人民币 1469 元),涨幅超 110%。面对货源紧缺,秋叶原的 PC SHOP Ark、TSUKUMO 等商店纷纷出台限购措施,部分店铺限制每位顾客最多购买四条内存或两块 SSD,未限购店铺则出现消费者抢购甚至整盒扫货的现象。价格压力已全面传导至终端市场,小米 Redmi K90 系列因存储成本上涨全系调价 100-400 元,不同存储版本价差从 400 元拉大至 600 元,成为消费电子行业成本压力的缩影。

市场供应的持续紧张,迫使下游企业改变传统采购模式。以往,华硕、微星等大型科技公司主要通过长期合约采购内存芯片,以锁定供应和稳定成本,现货市场仅用于满足小额补充或应急需求。但当前合约市场供应不足的现状,让这些企业不得不转向现货市场大规模采购,这一变化进一步加剧了价格波动。更严峻的是,内存套装制造商已开始推迟新品发布,原定于 2025 年第四季度推出的多款产品被延期至 2026 年。对于消费电子行业而言,内存供应短缺不仅推高生产成本,更可能导致产品迭代放缓,市场选择空间收窄。

上游存储芯片制造商则在这场短缺中赚得盆满钵满。2025 年第三季度,三星电子存储业务营收达 26.7 万亿韩元,环比增长 26%,营业利润占集团整体利润的半数以上;SK 海力士净利润同比激增 119%,净利率高达 52%,其 HBM 业务在 DRAM 总销售额中占比已达 40%;美光科技同期净利润也达到 85.39 亿美元,创下佳绩。三大巨头的业绩爆发,主要得益于产品价格上涨和高端产品结构优化,其中 SK 海力士的 HBM4 单价已达 560 美元,较 HBM3E 上涨 50% 以上。但即便盈利丰厚,主流厂商仍对扩产持谨慎态度,核心担忧在于 AI 市场可能存在的泡沫风险,以及存储行业周期性波动的历史教训。

产能扩张的滞后性进一步加剧了短缺的持续性。建设一座全新的 DRAM 晶圆厂需要投入百亿美元级资金,且建设周期长达 2-4 年,即便现在启动项目,也需等到 2028 年后才能形成有效产能。美光位于纽约州的晶圆厂项目已多次延期,预计投产时间推迟至 2030 年底,而其爱达荷州工厂的建设优先级调整,也反映出厂商对长期产能规划的审慎。更关键的是,HBM 生产对产能的消耗远超传统内存,达到同等芯片密度需消耗三倍晶圆,这种产能占用进一步压缩了消费级产品的供应空间。尽管 2025 年全球 HBM 总产能理论上能满足需求,但三星等厂商的客户认证进度滞后,导致实际有效供给不足,形成结构性短缺。

面对供应困境,部分终端厂商开始推进国产存储替代计划,长江存储、长鑫存储等国产厂商成为重要补充力量。长鑫科技的 LPDDR5X 产品已实现量产,最高速率达 10667Mbps,提供多容量封装解决方案;长江存储的 Xtacking 架构产品在存储密度和能耗控制上具备优势,其价格较进口产品低 15%-20%,有效缓解了成本压力。但客观来看,国产厂商在 HBM 等高端领域仍存在技术差距,短期内难以完全替代国际巨头的市场地位,消费级内存供应紧张的局面仍将持续。

这场内存短缺浪潮预计将对全球科技产业产生长期影响。对于上游厂商而言,AI 存储的高利润将持续吸引产能倾斜,消费级市场供需失衡可能延续至 2027 年后;对于下游企业,成本控制和供应链多元化将成为核心战略,现货与合约结合的采购模式可能常态化;对于消费者,内存价格高企或将成为常态,产品配置选择可能面临限制。尽管部分专家担忧 AI 泡沫破裂可能引发需求回调,但从当前巨头投入规模和技术发展趋势来看,AI 对存储的需求增长具备一定持续性。这场由技术变革引发的市场重构,正推动存储行业从传统消费驱动向 AI 驱动转型,而供需失衡的阵痛,或将成为产业升级的必经之路。

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来源:半导体产业纵横一点号

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