摘要：未来至少1—2年，存储芯片供需将维持偏紧—紧平衡态势，价格中枢抬升具有持续性。供给侧方面，头部原厂（三星、SK海力士、美光等）过去两年持续减产控开支并将产能优先投向HBM、DDR5，导致通用型DRAM（如DDR4）与部分NAND产能被动收缩；需求侧方面，AI服
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总体判断
未来至少1—2年，存储芯片供需将维持偏紧—紧平衡态势，价格中枢抬升具有持续性。供给侧方面，头部原厂（三星、SK海力士、美光等）过去两年持续减产控开支并将产能优先投向HBM、DDR5，导致通用型DRAM（如DDR4）与部分NAND产能被动收缩；需求侧方面，AI服务器对高带宽内存与企业级SSD的需求强劲，带动行业进入由AI驱动的“超级周期”。近期价格信号亦印证这一点：三星、SK海力士等已通知四季度DRAM合约价最高上调约30%，闪迪将11月NAND合约价上调约50%。机构普遍认为紧张格局将延续至2026年，部分品类（如HBM、DDR5）缺口更为突出。
分品类供需列表
DRAM（HBM/DDR5）供需状态：持续紧缺，头部原厂产能优先保障，部分2026年产能已被预订。关键驱动：AI服务器对高带宽内存需求强劲，HBM与DDR5成为优先供给对象。供给侧动作：三星、SK海力士、美光将更多产能转向HBM/DDR5；HBM4开始出货，HBM3E持续放量。价格与交期：合约价上行，结构性紧缺延续，交期偏紧。DRAM（DDR4/通用型）供需状态：紧张加剧、阶段性缺口，价格强势上行。关键驱动：原厂加速减产/停产并向高端转移；同时数据中心与部分存量平台对DDR4仍有刚性需求。供给侧动作：原厂陆续减产/停供DDR4，产能向DDR5/HBM倾斜；行业判断部分供应商最后出货至2026年初。价格与交期：2025年三季度DDR4合约价环比涨幅约8%—13%（含HBM则整体涨幅更高），现货价格一度出现倒挂。NAND（企业级SSD/3D NAND）供需状态：稳中趋紧至紧缺，数据中心端尤为突出。关键驱动：AI带动企业级SSD放量，云服务商为2026—2027年进行长期锁单与备货。供给侧动作：头部原厂对NAND扩产更谨慎，资本开支优先级低于DRAM/HBM；8TB+等高容量产品紧张，部分型号延迟超一年。价格与交期：合约价上行（四季度普遍看涨），客户提前锁量，部分需求已展望至2027年。NAND（消费级eMMC/UFS/渠道）供需状态：随行就市、波动加大，受上游控货与减产影响，涨价弹性存在。关键驱动：手机与PC季节性备货叠加渠道情绪，上游减产使供给弹性下降。供给侧动作：原厂对移动NAND投入趋谨慎，美光已宣布停止移动NAND新开发（含UFS 5.0），资源向数据中心/汽车等倾斜。价格与交期：四季度手机NAND价格小幅上行预期增强，渠道价格对情绪更敏感。需求侧三大引擎
AI数据中心：大模型训练/推理显著抬升“内存—存储”层级需求，单台AI服务器的DRAM容量可达1TB以上，并推动SSD对HDD的加速替代；数据侧，全球数据量预计从2024年的1.1ZB增长至2028年的2.4ZB，带动长期容量扩张。AI PC与智能手机：AI本地化推理提升内存/闪存标配容量与规格，带动单机价值量上行，对消费级价格形成持续传导。汽车电子：L3+自动驾驶对车规级存储（高可靠、耐温、长寿命）需求快速增长，单车价值量提升。上述动能在未来2—3年仍将强化，是存储需求“量价齐升”的主要来源，短期来看存储芯片价格有望持续上行。
来源：柯基的小号
