摘要：今年8月，东芝器件与存储（Toshiba Devices & Storage）公司宣布与中国碳化硅（SiC）晶圆供应商天岳先进签署谅解备忘录，双方建立了一个技术合作框架，以提高半导体质量并确保晶圆的稳定供应。据东芝称，该协议已于上个月“经双方讨论”终止。

据报道，东芝一家子公司已退出最近与一家中国晶圆供应商达成的技术合作协议。

今年8月，东芝器件与存储（Toshiba Devices & Storage）公司宣布与中国碳化硅（SiC）晶圆供应商天岳先进签署谅解备忘录，双方建立了一个技术合作框架，以提高半导体质量并确保晶圆的稳定供应。据东芝称，该协议已于上个月“经双方讨论”终止。

一位知情人士表示：“芯片是经济安全的关键物资，也是一个敏感话题。该协议很早就终止了，因为任何超出采购范围的合作都应该更加谨慎。”

根据天岳先进当时发布的消息，公司将与东芝电子元件针对SiC功率半导体特性提升与品质改善的技术协作，以及运用合作成果扩大高品质稳定衬底供应的商业合作。

承担电力供应与控制功能的功率半导体，是实现所有电气设备节能化及碳中和不可或缺的半导体元件。在设备电力使用效率提升等需求背景下，预计未来其市场需求将持续扩大。其中采用SiC衬底的功率半导体，因其应用于电动汽车、可再生能源系统等要求高效电力转换场景，在电力效率之外，可靠性与品质稳定性也成为重要课题。

基于此，东芝电子元件以铁路用SiC功率半导体的开发、制造及供应实绩为基础，正加速推进服务器电源用、车载用等SiC器件开发，未来将致力于进一步降低SiC功率半导体损耗，开发面向高效电力转换应用的高可靠性、高效率产品。为此，除东芝电子元件自主研发外，与SiC衬底技术改良的紧密协作也至关重要。此次与在SiC衬底开发及量产技术领域具有全球领导地位的天岳先进达成具体合作，有望为各应用场景提供最优解决方案，加速业务拓展。

天岳先进自2010年创立以来，始终专注于单晶SiC衬底的开发生产。公司将品质与技术研发作为核心经营理念，碳化硅衬底领域相关专利数量全球前五。以2022年中国首家SiC概念企业上市为契机，实现了全球化业务拓展与市场份额垂直增长。2024年率先发布全球首款12英寸SiC衬底，2025年实现n型、半绝缘型及p型全系产品12英寸衬底布局。未来将继续通过卓越品质与尖端技术，致力于成为客户信赖的企业。此次与东芝电子元件达成合作，天岳先进将把SiC功率半导体产品的需求，以及东芝对SiC衬底核心技术应用的期待，转化为衬底品质与可靠性的提升，助力SiC功率半导体市场发展。

东芝电子元件与天岳先进将基于此次签署的基本协议，继续商讨具体合作内容，以推动双方业务发展。

近日，天岳先进披露其H股上市后的首份季度报告。2025年前三季度，天岳先进实现营业收入11.12亿元，同比下降13.21%；归母净利润111.99万元，同比下降99.22%。

针对上述业绩变化，天岳先进在财报中表示营收下降主要是为了应对激烈的市场竞争，扩大碳化硅产品的市场应用，争取更高的市场份额，才战略性地调低了产品销售价格。而利润下降主要是受产品销售价格下降的影响，营业收入及毛利有所减少；同时，新产品客户测试送样导致销售费用增加，大尺寸、新应用产品的研发投入导致研发费用增加，外汇汇率变动产生的汇兑损益则使财务费用同比增长。

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来源：半导体产业纵横一点号