摘要：一场由三星电子发起的HBM3E价格战正在全球存储市场掀起波澜，降价30%的激进策略直指英伟达供应链份额，可能重塑AI芯片内存市场格局。

一场由三星电子发起的HBM3E价格战正在全球存储市场掀起波澜，降价30%的激进策略直指英伟达供应链份额，可能重塑AI芯片内存市场格局。

全球存储龙头三星电子近日祭出杀手锏，对其12层HBM3E产品实施高达30%的降价措施，这一激进定价策略正在业内引起强烈反响。作为对比，竞争对手SK海力士的同类产品价格仍维持在约300美元的水平。

这一举动发生在三星HBM3E认证延迟、市场份额落后的背景下。经过约18个月的测试与修正，三星终于在2025年下半年通过英伟达全部认证，成为继SK海力士与美光之后，英伟达的第三家HBM3E合格供应商。

01 迟来的认证：三星HBM3E为何落后？

三星此次大幅降价的根本原因在于其HBM3E产品认证进度严重落后于竞争对手。

技术瓶颈是首要障碍。据报道，三星数月来一直难以满足英伟达的散热和认证标准。其HBM3E产品相比竞争对手运行温度更高，需要与液冷AI服务器集成使用。

时间差距明显。SK海力士于2024年下半年就开始量产12层HBM3E，美光也在2025年初成功通过认证。而三星直到2025年下半年才完成所有认证流程，相比竞争对手晚了3-4个季度。

市场格局已经初步成型。在三星艰难通过认证的同时，SK海力士和美光已经锁定到2026年的销售份额，这使得三星在出货排期上处于不利地位。

三星的12层HBM3E最终在2025年第四季度开始向英伟达出货，尽管当季预计出货量达到数万片，但相对于竞争对手仍然滞后。

02 价格战略：降价30%背后的市场考量

三星此次降价幅度之大、目标之明确，在HBM市场实属罕见。

单价差距拉大。市场消息显示，三星目前为12层HBM3E提供的单价约为200美元，较SK海力士的300美元低了整整三分之一。这一价差反映出三星急切希望扩大在HBM市场的影响力。

目标直指英伟达。据报道，三星的降价策略主要针对英伟达的HBM3E（12层）产品，目的就是在大客户层面抢占市场份额。

全行业价格压力。三星电子在7月的财报电话会议上已坦言，“对于HBM3E产品，由于供给增加量超过需求增长率，预计供需将发生变化”。这一表态为此次降价行动埋下了伏笔。

有分析认为，如果三星继续每季度降价10%左右，而SK海力士保持现有价格水平，到明年年底，两家公司的产品价格差距可能会逐渐缩小甚至消失。

03 市场格局：HBM三足鼎立态势生变

当前HBM市场原本稳定的“三足鼎立”竞争格局，因三星的降价策略而面临重塑。

现有份额分布。根据长城证券报告，2025年HBM市占率分布为：SK海力士约50%，三星30%，美光20%。三星明显处于相对弱势地位。

SK海力士业绩亮眼。2025年第三季度，SK海力士营业利润预计将首次突破10万亿韩元（约73亿美元），成为继三星电子后，第二家跻身“获利10兆韩元俱乐部”的韩国企业。

美光信心十足。美光科技表示，有信心其2026年的HBM市场份额将超过2025年，这表明随着HBM4竞争的开始，任何市场变化都不太可能对其地位产生实质性影响。

花旗环球市场分析师Lee Se-chul指出：“占SK海力士HBM总收入50%以上的12层HBM3E销售额的增长，加上通用存储器有利的定价环境，将推动公司第三季度业绩强劲增长。”

04 供需关系：HBM3E面临的价格压力

HBM3E面临的价格压力不仅来自于三星的降价策略，更源于整个市场供需关系的变化。

供给快速增长。三星电子在7月的财报电话会议上明确表示，“对于HBM3E产品，由于供给增加量超过需求增长率，预计供需将发生变化”。

产能大幅提升。根据TrendForce最新预测，2025年高带宽存储器（HBM）位元出货量将达237亿Gb，年增率高达94%。

三星加速推进认证。三星电子正加速推进各大客户的量产认证流程，预计至2025年下半年，HBM3E在其HBM出货中的占比将突破90%，进一步增加市场供应。

与此同时，预计到2026年，HBM3E的平均价格将下降。三星此次大幅降价只是提前反映了这一趋势。

05 技术演进：HBM4成下一竞争焦点

在HBM3E价格竞争加剧的同时，主要厂商已开始布局下一代产品——HBM4，这将是存储巨头的下一个竞争战场。

HBM4上市时间表。根据行业报告，HBM4预计将于2026年正式登场，并将在2026年下半年开始接棒市场主流。

三星的技术跨越。由于三星上一代1b DRAM节点良率低且存在设计问题，为避免在即将到来的HBM4中再次遭遇挫折，三星直接跳转到更先进的1c DRAM节点进行HBM4开发。

SK海力士的稳健路线。与三星相比，SK海力士选择更为稳健的路线：采用台积电12nm制程制造基底芯片（base die），并叠加自研的1b DRAM。

美光已开始送样。美光近日宣布已开始出货12层HBM4样品，其带宽达2.8TB/s、速率高达11Gbps，超过了JEDEC官方8Gbps规范。

06 成本控制：良率与自动化成关键

面对价格压力，成本控制成为HBM厂商的核心竞争力，而在这方面，各家策略各有不同。

良率挑战。生产良率是影响成本的关键因素。12层HBM3E的良率普遍低于8层HBM3E，这使得其价格跌幅相对有限，因为厂商需要维持一定利润水平。

SK海力士的自动化之路。SK海力士已在全公司范围内努力提高盈利能力，正在评估运营新生产线的可能性，其中机器人将取代30%的劳动力。该公司已在清州园区的部分生产线上部署了机器人自动化系统。

HBM4成本上升。对于SK海力士而言，尽管面临价格压力，但其HBM4预计成本将比12层HBM3E增加约30%。加之英伟达等客户的降价压力，利润率的提升空间将受限。

外包与自产成本差异。SK海力士选择将HBM4的关键部件“基底芯片”生产委托给台积电。这一选择虽保障了技术领先性，却也带来了成本负担——外包生产的基底芯片成本可能高达自主生产的6倍。

三星电子对HBM3E实施30%的降价，是一场为挽回落后局面而采取的激进市场策略。认证延迟、散热问题以及市场份额压力，是促成此次大幅降价的主要原因。

然而，存储市场的其他领域并未受到此次降价影响，传统DRAM和NAND闪存价格仍在上涨。据业内人士透露，三星、SK海力士等主要供应链已通知客户，将在2025年第四季度把DRAM和NAND闪存的价格上调最多30%。

随着2026年HBM4的到来，存储巨头们的竞争将进入新阶段。在保证技术领先的同时，如何平衡成本与价格、维持盈利能力，将成为未来一年中的关键挑战。

来源：爱生活的奶茶a一点号