摘要：不过中国早就不只是被动挨打了。逻辑芯片突破14纳米、NAND闪存冲到128层以上、DRAM内存跨过18纳米，这些突破背后有多难，懂的人都懂。但就算突破了，产能也有限——毕竟先进设备买不到，只能靠国产替代或者改造旧设备。

美国一直想卡住中国芯片产业的脖子，重点盯着14纳米逻辑芯片、128层NAND闪存和18纳米DRAM内存这些节点。

能制造这些工艺，或更高工艺的芯片设备不让卖给中国，就是想拖慢咱们的芯片产业发展速度。

不过中国早就不只是被动挨打了。逻辑芯片突破14纳米、NAND闪存冲到128层以上、DRAM内存跨过18纳米，这些突破背后有多难，懂的人都懂。但就算突破了，产能也有限——毕竟先进设备买不到，只能靠国产替代或者改造旧设备。

可光“扛住”不够，咱们得反击。最近商务部正式宣布：对14纳米及以下逻辑芯片、256层及以上存储芯片相关的稀土物项实施出口管制。这个操作，就是“精准反制”。

为什么选14纳米以下和256层以上？因为这才是先进芯片的命门。卡得太宽，比如28纳米或者128层存储，伤敌也伤己；卡得太窄，比如更先进的制程，又打不痛对方。

中国手握全球60%以上稀土产量、90%以上的冶炼能力，美国芯片制造和军工生产都高度依赖中国稀土。这一招，直接打到了美国的“芯片软肋”上。

更深远的意义在于，中国把稀土出口和高端芯片制造能力绑在了一起。以前不卡，是希望美国能回头；可美国不但没收敛，反而变本加厉，那就别怪我们出手。

接下来，中美在芯片领域的博弈只会更激烈。但真正能分出胜负的，还是中国在先进芯片上的自给能力。只要我们能稳住产能、持续提升技术，美国想靠封锁打压中国的路子，只会越走越窄。

稀土管制不是终点，而是中国在芯片战中主动出击的开始。这场较量，拼的是技术，也是耐心——谁能更稳地推进自己的节奏，谁就能笑到最后。中国已经亮明了态度：被动防守不是我们的风格，主动反击才是硬道理。

来源：只说数码科技一点号