摘要：半导体存储器作为数字信息的核心载体，是集成电路产业的关键分支。该类器件通过磁性材料或半导体等介质实现信息存储，其存储与读取机制本质上是电荷的存储与释放过程。作为电子系统中数据存储与运算的基础载体，半导体存储器是应用范围最广、市场份额占比最高的集成电路基础产品之

全球半导体存储器行业市场规模、技术演进及企业竞争态势

1、半导体存储器概况

半导体存储器作为数字信息的核心载体，是集成电路产业的关键分支。该类器件通过磁性材料或半导体等介质实现信息存储，其存储与读取机制本质上是电荷的存储与释放过程。作为电子系统中数据存储与运算的基础载体，半导体存储器是应用范围最广、市场份额占比最高的集成电路基础产品之一。

根据断电后数据保持能力的差异，半导体存储器可分为易失性存储器与非易失性存储器两大类别，具体分类如下：

半导体存储器分类

资料来源：普华有策

易失性存储器又可分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）；非易失性存储器主要包括快闪存储器（Flash）、掩膜型只读存储器（MROM）和可编程只读存储器（PROM/EPROM/EEPROM）。快闪存储器（Flash）的主流产品为NANDFlash和NORFlash。DRAM与NANDFlash在半导体存储占据主导地位。

2、半导体存储器行业市场规模分析

根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）数据显示，2024年全球半导体市场呈现强劲复苏态势，市场规模达到6,269亿美元。其中，半导体存储器细分领域表现突出，市场规模达1,671亿美元，占全球半导体市场总规模的26.65%。市场研究显示，该增长态势预计将在2025年持续，半导体存储器市场规模有望攀升至1,894亿美元，届时其占全球半导体市场的比重将进一步提升至27.17%。

2020-2024年全球半导体及半导体存储器市场规模

资料来源：普华有策

3、半导体存储器行业技术发展趋势

半导体存储器行业的技术迭代呈现出多路径并行的特点，先进制程研发与新型架构创新成为两大核心方向。在DRAM领域，制程节点持续突破，SK海力士的第六代10纳米级(1cnm)DRAM工艺良率已提升至约80%，满足大规模量产条件，该工艺将应用于DDR5、LPDDR6、GDDR7等产品。美光则率先出货1γ(1-gamma)第六代DRAM节点产品，其16GbDDR5芯片的数据传输速率可达9200MT/s，较前代提升15%，功耗降低超过20%，并已应用于EUV光刻技术。

与之形成对比的是三星在先进DRAM制程上的延迟，其1cnmDRAM良率提升未达预期，导致量产计划推迟至2025年底，这使得三星在HBM4等高端产品的布局受到一定影响。这种技术进度的差异正在重塑市场竞争格局，尤其在AI服务器所需的高带宽内存领域更为明显。

NAND闪存技术沿着"更高堆叠、更小颗粒"的路径演进，3D堆叠层数从100层向200层乃至300层突破。铠侠和西部数据计划2025年量产300层以上产品，三星则在下一代(V10)闪存芯片中计划实现420-430层堆叠，并通过获得长江存储的"混合键合"专利授权提升封装技术。长江存储已实现128层3DNAND稳定量产，良率提升至80%以上，192层产品进入试产阶段，与国际领先水平的差距缩小至1-2年。

新兴存储技术在2024年取得显著进展，其中阻变存储器(ReRAM)商业化提速最为明显。台积电推出22纳米嵌入式ReRAM产品，应用于低功耗无线物联网解决方案；国内厂商维信诺完成世界首颗采用嵌入式ReRAM技术的AMOLED显示驱动芯片开发，昕原半导体的ReRAM安全存储产品已在工业自动化控制领域实现商用量产。ReRAM凭借高速度、耐久性强和多位存储能力等优势，在智能汽车、边缘AI等领域展现出广阔应用前景。

磁性存储器(MRAM)方面，力积电与日本PowerSpin合作推进MRAM量产，计划2029年实现量产；台积电则持续研发STT-MRAM解决方案，其16/12纳米工艺产品线已获得车用市场订单。这些新兴技术虽然短期内难以撼动DRAM和NAND的主导地位，但在特定应用场景中正逐步实现替代，推动存储器市场向多元化方向发展。

4、市场格局与竞争态势

全球半导体存储器市场呈高度寡头垄断格局，DRAM领域三星、SK海力士、美光占近95%份额，2024年三星以11.8%全球半导体市占率居首，另两家分别以7.7%、4.8%紧随，均受益于AI相关需求；NAND闪存市场三星等五家企业占超90%，2024年一季度三星以33%领先，长江存储以6%销售额占比跻身，按容量算达13%，性价比优势凸显；HBM市场集中度更高，三星、SK海力士占超90%，2024-2025年产能售罄，2025年HBM3e将成主流，售价为传统DRAM的3-5倍。

中国企业正打破市场平衡，长鑫存储实现19nmDRAM量产、研发17nm，计划2025年将全球份额提至10%，2024年底量产HBM2并规划2026年推HBM3，通富微电加速HBM封装布局。竞争策略分化明显，头部企业缩减DDR4等传统产能、扩产DDR5及HBM，三星还出售西安NAND旧设备；中国企业则聚焦成熟制程规模化生产，形成差异化竞争。

行业内主要企业有长鑫存储、长江存储、通富微电、三星电子、SK海力士（SKHynix）等企业。

行业内主要企业情况

资料来源：普华有策

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