摘要：“美光暂停报价，计划提价20%至30%”、“闪迪宣布存储产品价格上调10%以上”、“三星通知客户第四季度移动端DRAM和NAND闪存价格分别上涨最高30%和10%”。近期，全球存储芯片市场涨价声四起。

▲文 | 外企君小编 图 | AI

“全球存储市场开启新一轮涨价潮。自闪迪、美光、西部数据后，三星也传出将涨价最高30%。”

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“美光暂停报价，计划提价20%至30%”、“闪迪宣布存储产品价格上调10%以上”、“三星通知客户第四季度移动端DRAM和NAND闪存价格分别上涨最高30%和10%”。近期，全球存储芯片市场涨价声四起。

存储芯片市场正在经历一场由AI驱动的供需结构重构。供给侧，头部厂商将产能从DDR4转向DDR5、LPDDR5及HBM高带宽内存；需求侧，全球AI算力军备竞赛愈演愈烈，国内外科技巨头纷纷增加资本支出。

市场见证了一个历史性时刻：2025年6月下旬，DDR4 16Gb现货价格飙升至12.3美元，而同容量DDR5价格仅为6.05美元，前代产品价格反超新一代产品一倍。

全球存储芯片市场正在经历一波强劲的涨价潮。美光科技已向渠道发出通知，所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部暂停报价，协议客户价格全部取消，相关产品价格或将上调20%至30%。

闪迪作为此次涨价潮的先行者，已经宣布存储产品价格上调10%以上。而三星电子也通知主要客户，2025年第四季度将上调移动端DRAM和NAND闪存产品合约价格。

根据韩媒Newdaily援引业内人士消息，三星的具体调涨幅度为：LPDDR4X、LPDDR5及LPDDR5X等DRAM产品价格预计上涨15%至30%；UFS和eMMC类型的NAND闪存产品合约价将上调5%至10%。

甚至机械硬盘厂商西部数据也表示将逐步上调所有产品售价，延长交货时间，反映出整个存储市场的供需变化。

这一波涨价潮覆盖了存储芯片的全产品线，从DRAM到NAND Flash，从企业级产品到消费级产品，显示出行业基本面的整体改善。

AI应用从“训练”转向“推理”和边缘设备，导致对大容量DRAM和NAND闪存的需求增长。AI创造的庞大数据量正冲击全球数据中心存储设施，作为传统海量数据存储基石的Nearline HDD已出现供应短缺，促使高效能、高成本的SSD成为市场焦点。

以英伟达Blackwell平台为例，单台AI服务器SSD配置从64TB向96TB升级，大容量存储需求激增。国内外头部科技厂商大力增加资本支出规模加码AI投入，阿里宣布未来三年投入3800亿元建设云和AI基础设施，腾讯2025年AI资本支出或达千亿元。

在供给端，三星、SK海力士、美光等头部厂商自2025年4月起将产能从DDR4转向DDR5、LPDDR5及HBM高带宽内存，导致DDR4供应缺口扩大。

市场分析指出，随着产能转向DDR5和HBM，过去几个月里DDR4的价格一直在上涨，预计三星的DDR4产能在2026年将降至2025年的20%水平。

根据TrendForce的最新调查，2025年下半年DDR4市场处于持续供不应求与价格上涨态势。该机构预计，各供应商DDR4的最后出货时间或将在2026年初。

从存储芯片自身的行业周期来看，自2024年第三季度触底后，2025年第二季度进入明确复苏通道。光大证券分析称，供需再平衡推动价格回升，技术迭代重塑产品价值，AI与边缘计算催生行业新需求。

据CFM闪存市场分析，基于下游应用市场的长尾需求，部分原厂决定针对特定客户维持一定产能供应，但市场需求始终难以得到完全满足。随着供需天平逐渐向卖方市场倾斜，DDR4、LPDDR4X价格自二季度起开启涨价潮，并将延续至今年底。

中金公司预计，2025/2026年全球半导体市场规模分别达7，009亿和7，607亿美元，同比增长11%和9%。其中逻辑芯片与存储芯片增速分别为13%和9%。3Q25 DRAM价格预计环比上涨10%-15%，NAND Flash上涨5%-10%。

有业内人士预测，存储器的这波涨价潮将持续到今年年底，甚至持续到明年上半年。这表明当前的价格上涨不是短期波动，而是行业周期根本性转变的信号。

海外巨头收缩产品线，为中国存储企业的发展打开了窗口。根据市场研究机构Omdia的预测，2025年全球DDR5市场的规模将达到620亿美元，而中国厂商有望占据30%以上的份额，全球市占率将从目前的不足5%提升至12%。

在利基市场方面，兆易创新的Nor Flash已经全线涨价。另一全球头部Nor Flash厂商普冉股份工作人员表示：“SLC NAND目前供需关系比较紧张，三季度、四季度都会涨价。”普冉股份近期披露，筹划收购珠海诺亚长天存储技术有限公司控股权，从而间接控制SkyHigh Memory Limited，而SHM拥有面向中高端市场的2D NAND及其衍生存储芯片产品。

香农芯创在2025年半年报中透露，公司自主品牌“海普存储”建设、开发进展顺利，已完成企业级DDR4、DDR5、Gen4 eSSD的研发、试产，产品性能优异，可用于云计算存储（数据中心服务器）等领域。

随着新的市场需求不断增长，从存储厂商的减产停产，到第三方渠道商的涨价缺货，都在共同推动市场供需双方加速向DDR5时代产品转换。

外企君小编观察认为，这一波需求增长，主要来自云侧。但随着AI大模型的发展，未来需要云侧与端侧协同。开源证券认为，随着AI模型持续迭代，端侧化与轻量化成为核心方向。大模型的规模化扩展依赖云端和终端的协同工作，通过云端搭配终端进行AI计算工作负载的分流，带来成本、能耗、性能等方面的优化。

AI处理的发展重心有望逐步从云端向手机、PC等终端载体转移。而Nor Flash、SLC NAND这些利基产品，广泛用于手机、PC和可穿戴设备等。若未来AI处理的重心转向端侧，利基市场或将受益。

东芯股份发布的投资者关系活动记录表显示，公司涉及的利基型存储芯片随着市场需求的逐步好转，销售价格逐步回升。分产品来看，SLC NAND从二季度开始需求逐步回升，价格有逐步上涨的迹象，预计下半年在需求持续增长推动下，价格抬升的趋势更加明显。

随着AI应用的推广和AI推理的需求增长，存储行业需求可能将从企业级向利基市场扩散，即AI将带来存储市场的全面繁荣。这意味着存储芯片行业的复苏不是局部的，而是全面的；不是短暂的，而是可持续的。

全球存储芯片市场的这场变革才刚刚开始。随着AI应用深入各行各业，存储芯片的AI属性不断增强，HBM占DRAM营收比重将从2024年的19%提升至2026年的41%。

市场供需天平已倾向卖方，未来几个季度存储芯片价格可能持续攀升。国内存储产业链有望抓住此次国产替代窗口期，在高端产品领域实现突破。

存储芯片行业的这次涨价潮，不同于以往的短期波动，而是AI驱动下的结构性重构，它将重塑未来五年的全球存储市场格局。

来源：汉语言文学中文系