拆20款服务器电源,浅探Si、SiC、GaN器件谁是未来主角?

B站影视 韩国电影 2025-09-15 18:25 1

摘要:服务器电源在数据中心和企业级计算中承担着为服务器主板、CPU、内存、硬盘及外设提供稳定电力的作用。其规格主要受外形尺寸、功率输出、接口兼容性、冗余能力、转换效率 等因素影响。从外观分类主要有,ATX/EPS电源、CRPS、OCP电源、电源柜等多种类型,

前言

服务器电源在数据中心和企业级计算中承担着为服务器主板、CPU、内存、硬盘及外设提供稳定电力的作用。其规格主要受外形尺寸、功率输出、接口兼容性、冗余能力、转换效率 等因素影响。从外观分类主要有,ATX/EPS电源、CRPS、OCP电源、电源柜等多种类型,

另外服务器电源也普遍遵循80 PLUS认证能效标准,该标准是由美国ECOS Consulting 于 2004 年推出的电源转换效率认证项目,旨在推动计算机、服务器等设备提升能效、降低能耗与发热。目前主要分为七大等级,白牌、铜牌、银牌、金牌、白金、钛金、红宝石。

服务器作为数据中心的核心供电单元,其连续输出性能远超传统PC台式机电源,广泛应用于企业数据中心、无盘系统、通信机房等高负载场景。面对7×24小时不间断运行的苛刻要求,服务器电源在设计与用料上更加严谨,普遍采用高可靠性元器件,并支持易于维护的冗余架构,以最大程度降低单电源故障带来的数据风险。

充电头网累计深度拆解20款服务器电源,从内部架构到器件布局进行系统化分析,重点聚焦高压功率器件的选型。随着碳化硅与氮化镓等第三代半导体技术的快速渗透,服务器电源在高功率密度与高效率设计上正迎来显著变化。希望通过本篇汇总案例,读者可以更直观地了解服务器电源的核心设计思路以及高压功率器件的应用趋势。

服务器电源内置高压功率器件

文中出现的高压功率器件如上表所示。

AcBel康舒

康舒550W服务器电源

康舒这款550W服务器电源采用了移相全桥架构设计,主要采用了TI德州仪器UCC28019A+UCC3895方案,CREE C3D04060A碳化硅二极管进行升压整流,隔离驱动采用UCC27324驱动变压器。另外设计有辅助电源供电电路,采用英飞凌ICE3AR0680JZ离线开关电源芯片;输出端采用微芯PIC16LF1937单片机进行电源整机控制。日化、红宝石电容进行输入输出滤波。

内置高压功率器件

Infineon英飞凌IPA60R380E6

散热片上固定有高压开关MOS管,两颗来自英飞凌,IPA60R380E6,耐压650V,导阻0.38Ω,采用TO220FP绝缘封装。

Wolfspeed C3D04060A

Wolfspeed C3D04060A,碳化硅二极管,耐压600V,155℃下额定电流4A,用于PFC升压整流,采用采用TO220封装。

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康舒1100W白金牌碳化硅服务器电源

康舒1100W白金牌服务器电源,这款电源支持100-127V输入,输出功率为1050W,在200-240V输入时达到额定输出功率1100W。电源额定输出电压为12.2V,辅助电源输出为12V,额定输出电流3A。电源模块采用长条形金属外壳,输入端设有散热风扇,把手,指示灯和电源插座,输出端设有金手指连接器。这款电源模块用于为联想服务器供电,采用PFC+移相全桥架构。

内置高压功率器件

Infineon英飞凌IPA60R190C6

移相全桥开关管来自英飞凌,丝印6R190P6,型号IPA60R190C6,NMOS,耐压650V,导阻190mΩ,采用TO-220 FP封装。

Infineon英飞凌IPA90R800C3

辅助电源开关管来自英飞凌,丝印9R800C,型号IPA90R800C3,NMOS,耐压900V,导阻800mΩ,采用TO220 FP封装。

ROHM罗姆SCS310AP

PFC整流管来自罗姆,型号SCS310AP,为碳化硅二极管,规格为650V 10A,采用TO-220ACP封装。

Vishay威世SiHG73N60E

PFC开关管来自威世,型号SiHG73N60E,NMOS,耐压650V,导阻32mΩ,采用TO-247AC封装。

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DELL戴尔

戴尔495W白金牌服务器电源

戴尔这款服务器电源由台达电子代工,固定12V输出,输出电流为41.25A,电源最大输出功率为495W。这款电源内部采用微芯科技的DSPIC用于PFC升压,TI德州仪器 UCC28950用于移相全桥和同步整流控制,辅助电源控制器来自安森美。

内置高压功率器件

Infineon英飞凌SPW20N60C3

PFC开关管来自英飞凌,型号SPW20N60C3,NMOS,耐压650V,导阻190mΩ,采用TO247封装。

Infineon英飞凌SPD06N80C3

辅助电源开关管来自英飞凌,型号SPD06N80C3,NMOS,耐压800V,导阻900mΩ,采用TO252封装。

ST意法半导体STF11NM60ND

开关管来自ST意法半导体,型号STF11NM60ND,NMOS,耐压600V,导阻370mΩ,采用TO220FP封装。

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戴尔600W存储阵列冗余电源

戴尔这款600W冗余电源用于存储阵列供电,采用双电源冗余配置,提升供电可靠性。这款电源由光宝科技代工,具备80PLUS银牌转换效率。电源支持100-240V宽电压输入,具备12V,5V和5V待机输出。

内置高压功率器件

FUJI ELECTRIC富士电机2SK3531

初级开关管来自富士电机,型号2SK3531,NMOS,耐压900V,导阻1.92Ω,采用TO-220AB封装。

Infineon英飞凌SPW15N60C3

PFC开关管来自英飞凌,型号SPW15N60C3,NMOS,耐压650V,导阻280mΩ,采用TO247封装。

Infineon英飞凌SPP11N60CFD

移相全桥开关管来自英飞凌,型号SPP11N60CFD,NMOS,耐压650V,导阻440mΩ,采用TO220封装。

Wolfspeed C3D06060A

PFC开关管来自Wolfspeed,型号C3D06060A,为第三代碳化硅肖特基二极管,规格为650V 6A,采用TO-220-2封装。

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戴尔870W银牌服务器电源

戴尔的这款电源大约为2011年生产,输出电压为12.1V,输出电流为70.4A,待机电源输出电压为12V,输出电流为1.5A,总输出功率为870W。这款电源由雅达电子代工,通过了80PLUS 银牌标准。

内置高压功率器件

Infineon英飞凌IPP60R199CP

PFC开关管来自英飞凌,型号IPP60R199CP,NMOS,耐压650V,导阻199mΩ,采用TO220封装。

Infineon英飞凌IDT02S60C

碳化硅二极管来自英飞凌,型号IDT02S60C,耐压600V,70℃下工作电流3A,采用TO220封装。

ST意法半导体STP6NK90Z

初级开关管来自ST意法半导体,型号STP6NK90Z,NMOS,耐压900V,导阻1.56Ω,采用TO220封装。

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戴尔1100W白金服务器电源

这款服务器电源大约为2014年以后生产,为12V输出,输出电流为91.6A,最大输出功率为1100W,通过了80 PLUS 白金标准。另外这款电源提供12V待机电源,输出电流为3A。电源为砖块造型,采用PCB金手指连接器。

内置高压功率器件

Infineon英飞凌IPW60R125C6

PFC开关管来自英飞凌,型号IPW60R125C6,为CoolMOS C6系列,是一颗耐压650V,导阻125mΩ的NMOS,采用TO247封装,在背面还焊接一颗型号相同的开关管,两颗并联。

Infineon英飞凌IDH10SG60C

PFC整流管来自英飞凌,型号IDH10SG60C,是一颗耐压600V,10A的碳化硅二极管,采用TO220封装。

Infineon英飞凌IPP60R199CP

开关管来自英飞凌,型号为IPP60R199CP,NMOS,耐压600V,导阻199mΩ,采用TO220封装。其中正反面各两颗。

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EMERSON艾默生

艾默生1725W开关电源模块

艾默生这款开关电源模块型号为7001490-J000,电源模块支持100-240V宽范围输入电压,输出电压为12.3V,额定输出功率为1725W。模块输入端设有品字插座,指示灯和脱扣把手,输出端设有连接器供电。在模块内部设有散热风扇,两端均设有散热孔用于空气流通。

内置高压功率器件

Infineon英飞凌IPW60R125CP

PFC开关管来自英飞凌,丝印6R125P,型号IPW60R125CP,NMOS,耐压650V,导阻125mΩ,采用TO247-3-1封装。

Infineon英飞凌IPI60R199CP

正激开关管来自英飞凌,丝印6R199P,型号IPI60R199CP,NMOS,耐压650V,导阻199mΩ,采用TO262封装。

ST意法半导体STTH8R06D

PFC整流管来自意法半导体,型号STTH8R06D,为Turbo 2超高速二极管,规格为600V 8A,采用TO-220AC封装。

ST意法半导体STTH3R06U

超快恢复二极管来自意法半导体,型号STTH3R06U,规格为3A 600V,采用SMB封装。

ST意法半导体STP10NK80Z

辅助电源开关管来自意法半导体,型号STP10NK80Z,NMOS,耐压800V,导阻780mΩ,采用TO-220封装。

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GreatWall长城

长城250W开关电源模块

长城250W功率CPRS电源模块用于网件M4300系列10G交换机供电,网件型号为APS250W。电源支持100-240V宽电压输入,输出电压为12V,输出电流20.0A,待机电源输出电压12V,输出电流1A,额定输出功率为250W。

内置高压功率器件

ROHM罗姆R6020ENX

PFC开关管来自罗姆,型号R6020ENX,NMOS,耐压600V,导阻196mΩ,采用TO-220FM封装。

ST意法半导体STTH8R06D

PFC整流管来自意法半导体,型号STTH8R06D,为快恢复二极管,规格为600V 8A,采用TO-220AC封装。

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长城550W白金牌碳化硅服务器电源

长城GW-CRPS550白金牌服务器电源支持100-240V宽电压输入,输出电压为12V,输出电流45A,待机电源输出电压为12V,输出电流3A,额定总输出功率为550W。电源模块输入端设有散热风扇,电源插座和指示灯,输出端设有金手指连接器。电源内部采用PFC+LLC架构,支持PMBus通信。

内置高压功率器件

Shindengen新电元SF10K60M

快恢复二极管来自新电元,型号SF10K60M,规格为600V 10A,采用FTO-220AG封装。

Sanken三垦STR-W6051S

待机电源芯片来自三垦,型号STR-W6051S,芯片内置650V耐压开关管,内部集成启动电路和待机功能,具备丰富的保护功能,支持30W输出功率,采用TO220F-6L封装。

ST意法半导体TYN816

可控硅来自意法半导体,型号TYN816,规格为16A 800V,采用TO-220AB封装。

ST意法半导体STPSC4H065

碳化硅二极管来自意法半导体,型号STPSC4H065,规格为650V 4A,为高浪涌碳化硅肖特基二极管,采用TO-220AC封装。

ST意法半导体STP24N60DM2

LLC开关管来自意法半导体,型号STP24N60DM2,NMOS,耐压600V,导阻175mΩ,采用TO-220封装。

Vishay威世SiHG30N60E

PFC开关管来自威世,型号SiHG30N60E,NMOS,耐压650V,导阻125mΩ,采用TO-247AC封装。

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长城730W白金牌服务器电源

长城的730W服务器输出电压为12V,输出电流为60A,待机电源输出功率为5V3A,额定输出功率为730W。电源通过了80PLUS白金标准,输出侧采用连接插座。这款电源由长城代工生产,为标准服务器电源,具有快拆设计。

内置高压功率器件

Infineon英飞凌SPW35N60C3

PFC开关管来自英飞凌,型号SPW35N60C3,NMOS,耐压650V,导阻100mΩ,采用TO247封装。

ST意法半导体STB25NM60ND

LLC开关管来自ST意法半导体,型号STB25NM60ND,是一颗耐压600V,导阻130mΩ的NMOS,采用TO220封装。

Wolfspeed C3D06060A

碳化硅二极管来自Wolfspeed,型号C3D06060A,耐压600V,135℃电流6A,采用TO220封装。

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长城2200W白金牌服务器电源

长城推出的一款2200W白金牌服务器电源,电源型号为CRPS2200DLW,支持100-240V宽电压输入,其中100-127V交流输入时电源输出功率为1100W,当200-240V交流输入或240V直流输入时,电源输出功率为额定2200W,电源模块输入端设有散热风扇,电源插座和指示灯,输出端设有金手指连接器。

内置高压功率器件

Infineon英飞凌IDH06G65C6

PFC开关管来自英飞凌,丝印D0665C6,型号IDH06G65C6,为碳化硅二极管,规格为650V 6A,采用TO220-2封装。

LITEON光宝S8MC

PFC旁路二极管来自光宝,型号S8MC,规格为1000V 8A,采用SMC封装。

ONSEMI安森美FCH067N65S3

PFC开关管来自安森美,型号FCH067N65S3,NMOS,耐压650V,导阻67mΩ,采用TO-247封装。漏极设有磁环组成的电流互感器,用于检测开关管电流。

Vishay威世SiHH070N60EF

全桥LLC开关管来自威世,型号SiHH070N60EF,耐压650V,导阻75mΩ,采用PowerPAK8*8封装。

WeEn瑞能TYN40-800T

两颗可控硅来自瑞能,型号TYN40-800T,规格为800V 40A,采用TO220封装。

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HUAWEI华为

华为750W钛金牌服务器电源

华为这款750W钛金牌服务器电源支持220V交流或240V直流输入,输出电压为12V,输出电流为62.5A,待机电源输出同样为12V,输出电流为2.5A,总输出功率为750W。电源符合80PLUS钛金标准,具备更高的转换效率。电源输入端设有散热风扇,连接器和指示灯,输出端采用PCB金手指连接。

内置高压功率器件

Infineon英飞凌IPP60R190C6

在散热片上固定PFC以及LLC开关管,来自英飞凌,丝印6R190C6,型号IPP60R190C6,NMOS,耐压650V,导阻190mΩ,采用TO220封装,共计四颗用于图腾柱PFC。

WeEn瑞能BYV25FD-600

两颗二极管来自瑞能,型号BYV25FD-600,为超快恢复二极管,规格为600V 5A,采用TO252封装。

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华为3000W氮化镓服务器电源

华为这款3000W功率的氮化镓电源采用短身设计,外观上看起来就像是1U电源折叠起来的样子。电源为金属外壳,在侧面通过螺丝装配,侧面的外壳上还有冲孔,用于空气流通,进行散热。这款电源型号为TMN1APSU,输出规格为53.5V 56.1A,计算输出功率为3000W,并且支持根据输入电压的降低,对应降低输出功率。电源端面设有散热风扇和电源输入插座,输出侧设有散热格栅和输出金手指。

内置高压功率器件

Infineon英飞凌IGT60R070D1

英飞凌IGT60R070D1氮化镓开关管特写,耐压600V,导阻70mΩ,使用PG-HSOF-8-3封装。

Infineon英飞凌IPT60R028G7

两颗MOS管为英飞凌IPT60R028G7,CoolMOS G7系列,耐压650V,导阻28mΩ,PG-HSOF-8封装。

Infineon英飞凌IPL60R075CFD7

八颗LLC开关管型号相同,均来自英飞凌,型号IPL60R075CFD7,为CoolMOS CFD7系列,耐压650V,导阻75mΩ,采用PG-VSON-4封装。

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华为3000W服务器电源R4850G2

内置高压功率器件

ST意法半导体STTH30L06W

PFC整流管来自ST意法半导体,型号STTH30L06W,是一颗600V 30A的超快恢复二极管。

ST意法半导体STP34NM60N

半桥开关管来自ST意法半导体,型号STP34NM60N,是一颗耐压600V的NMOS,导阻92mΩ,采用TO220封装。

TOSHIBA东芝TK31N60W

东芝TK31N60W是一颗耐压600V的NMOS,导阻为73mΩ,采用TO-247封装。

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华为3000W数字电源模块

华为R4850G1电源模块采用金属外壳,模块前端设有安装卡扣,使用螺丝组装固定。模块额定输入电压为200-240V,输出功率为3000W,低压输入时输出功率为1200W。模块前端设有散热风扇和指示灯,尾部设有连接器,用于交流输入和直流输出以及通信连接,便于替换维护。

内置高压功率器件

ST意法半导体STW43NM60ND

PFC开关管来自意法半导体,型号STW43NM60ND,NMOS,耐压600V,导阻75mΩ,采用TO-247封装。

Vishay威世VS-15ETH06-M3

两颗超快恢复二极管来自威世,型号VS-15ETH06-M3,规格为600V 15A,采用2L TO-220AC封装。

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Huntkey航嘉

航嘉2000W白金牌服务器电源

航嘉这款2000W白金牌服务器电源支持100-127V交流输入,输出功率为1000W。在200-240V交流输入时,达到额定输出功率2000W。电源额定输出电压为12V,待机电源输出为12V,额定输出电流3A。

内置高压功率器件

Oriental东微OSG65R038HZF

PFC开关管来自东微,型号OSG65R038HZF,NMOS,耐压700V,导阻38mΩ,采用TO247封装。

ST意法半导体STPSC8H065D

PFC整流管来自意法半导体,型号STPSC8H065D,为碳化硅二极管,规格为650V 8A,采用TO-220AC封装。

ST意法半导体STW65N60DM6

两颗LLC开关管来自意法半导体,型号STW65N60DM6,NMOS,耐压600V,导阻60mΩ,采用TO-247封装。

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intel英特尔

英特尔1600W钛金牌服务器电源

英特尔这款钛金服务器电源型号为PSSF162205A,电源支持宽范围输入电压,额定输出功率为1600W,电源输入端设有品字接口用于连接电源线,并设有LED灯指示运行状态。输出端设有PCB金手指,连接到服务器供电。电源内部设有散热风扇,从输出端吸入空气,从输入端吹出散热。

内置高压功率器件

Infineon英飞凌IPB65R045C7+IDK12G65C5

右侧为PFC开关管,来自英飞凌,丝印65C7045,型号为IPB65R045C7,NMOS,耐压700V,导阻45mΩ,采用TO263封装。左侧PFC整流管同样来自英飞凌,丝印D1265C5,型号IDK12G65C5,为碳化硅二极管,规格为650V 12A,采用TO263-2封装。

Infineon英飞凌IPP60R060P7

移相全桥开关管来自英飞凌,型号IPP60R060P7,NMOS,耐压650V,导阻60mΩ,采用TO220-3封装。

TOSHIBA东芝TK31V60W

主动整流管来自东芝,型号TK31V60W,NMOS,耐压600V,导阻78mΩ,采用DFN8*8封装。

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LITEON光宝

光宝460W白金牌服务器电源

这款光宝科技推出的服务器电源约为10年前生产,电源为12V输出,输出电流为38.3A,输出功率为460W,通过了80 PLUS 白金标准。此外电源还具备12V待机电压输出,输出电流为2.5A。电源采用板砖造型,采用金手指连接器,支持热拔插。

内置高压功率器件

Infineon英飞凌SPP11N60CFD

其中散热片一侧的开关管型号为SPP11N60CFD,来自英飞凌,NMOS,耐压650V,导阻440mΩ,采用TO220封装。

Infineon英飞凌IPP60R199CP

另一颗开关管型号为IPP60R199CP,NMOS,耐压600V,导阻199mΩ,采用TO220封装。

ST意法半导体STW18NM60N

PFC升压开关管来自ST意法半导体,型号STW18NM60N,是一颗耐压650V,导阻260mΩ的NMOS,采用TO247封装。

Wolfspeed C3D04060

PFC升压整流管来自Wolfspeed,型号C3D04060,是一颗600V耐压,6A的碳化硅二极管。

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Oracle甲骨文

甲骨文3060W碳化硅服务器电源模块

甲骨文SPAORCL-01G服务器电源模块采用长条造型,在机身外侧设有指示灯和进气口,底部设有锁定机构用于固定。机身内侧设有接线端子,为热拔插设计。电源支持200-277V交流输入,240-380V直流输入,最大输出功率达3060W。电源模块输出电压为12V,主输出为12.3V 244A,待机输出为12V5A。电源模块具备I2C通信功能,具备过热,输出过电压保护和过电流保护。

内置高压功率器件

Infineon英飞凌IPA60R165CP

PFC开关管来自英飞凌,丝印6R165P,型号IPA60R165CP,NMOS,耐压650V,导阻165mΩ,采用TO220封装。

Wolfspeed C3D10060A

PFC整流管来自Wolfspeed,型号C3D10060A,为碳化硅二极管,规格为10A 600V,采用TO-220-2封装。

Infineon英飞凌IPD90R1K2C3

开关管来自英飞凌,型号IPD90R1K2C3,NMOS,耐压900V,导阻1.2Ω,采用TO252封装。

Vishay威世S4PK

二极管来自威世,型号S4PK,规格为800V 4A,采用TO-277A封装。

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SUPERMICRO超威

超微720W金牌碳化硅服务器冗余电源

超微服务器720W冗余电源模块,型号为PWS-721P-1R,由肯微科技股份有限公司制造,电源模块采用PFC+移相全桥架构,具备80PLUS金牌转换效率。电源模块支持100-240V宽电压输入,具备12V输出和5V待机输出。

内置高压功率器件

Infineon英飞凌IPP60R190C6

PFC开关管来自英飞凌,型号IPP60R190C6,NMOS,耐压650V,导阻190mΩ,采用TO220封装。

ONSEMI安森美MURS360

两颗快恢复二极管来自安森美,丝印U3J,型号MURS360,规格为600V 3A,采用SMC封装。

ST意法半导体STW25NM60ND

升压开关管来自意法半导体,型号STW25NM60ND,NMOS,耐压600V,导阻130mΩ,采用TO-247封装。

ST意法半导体STTH15R06FP

整流管来自意法半导体,型号STTH15R06FP,为Turbo 2 超高速二极管,规格为600V 15A,采用TO-220FPAC封装。

ST意法半导体STW42N65M5

切换开关管来自意法半导体,型号STW42N65M5,NMOS,耐压650V,导阻71mΩ,采用TO-247封装。

ST意法半导体STP20NM50FD

开关管来自意法半导体,型号STP20NM50FD,NMOS,耐压500V,导阻220mΩ,采用TO-220封装。

Wolfspeed C3D10060A

PFC整流管来自Wolfspeed,型号C3D10060A,为第三代碳化硅肖特基二极管,规格为600V 10A,采用TO-220-2封装。

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XFUSION超聚变

超聚变2000W白金牌服务器电源

超聚变服务器电源220-240V交流或240V直流输入,输出电压为12.1V,输出电流为165.3A,总输出功率为2000W。在输入电压降额时,输出功率同步调整为1000W或1600W。服务器电源输入端设有散热风扇,电源插座和指示灯,输出端设有金手指连接器。电源内部采用PFC+LLC架构,符合80PLUS白金转换标准。

内置高压功率器件

Infineon英飞凌IPW60R041C6

PFC开关管来自英飞凌,丝印6R041C6,型号IPW60R041C6,NMOS,耐压650V,导阻41mΩ,采用TO247封装。

Infineon英飞凌IPL65R165CFD

LLC开关管来自英飞凌,丝印65F6165,型号IPL65R165CFD,NMOS,耐压700V,导阻165mΩ,采用VSON-4封装。

ONSEMI安森美MURHD560W1T4G

两颗串联的二极管来自安森美,型号MURHD560W1T4G,为超快恢复二极管,规格为5A 600V,采用DPAK封装。

WeEn瑞能NXPSC10650

碳化硅二极管来自瑞能,型号NXPSC10650,规格为650V 10A,采用TO220-2L封装。

Vishay威世US1K

左侧超快二极管来自威世,丝印UK,型号US1K,规格为800V1A,采用SMA封装。

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充电头网总结

通过对多款服务器电源的拆解分析可以看出,高压功率器件的选型已成为提升服务器电源效率的关键。在高压MOSFET方面,主流厂商普遍采用高效器件,以降低开关损耗并提升功率密度,且部分产品则开始引入碳化硅器件,以便在高压高频场景下表现出更优的效率与散热性能。

同时随着服务器算力需求和能效标准不断提升,高压功率器件的技术迭代将持续向第三代半导体器件替代的方向发展。以SiC、GaN为代表功率器件的规模应用,将成为下一代服务器电源提升功率密度、降低能耗的发展方向之一。

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来源:充电头网

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