摘要:太赫兹(THz)技术因其电磁波独特特性引发了学界广泛关注。本研究创新性提出两种超材料阵列结构,通过反向波传播实现功率分配。首种矩形阵列构型经解析定义,被证实可作为TE(横电)模式下的功率分配器。基于该矩形阵列,我们进一步提出腔体阵列结构,成功增强了超材料器件的
太赫兹(THz)技术因其电磁波独特特性引发了学界广泛关注。本研究创新性提出两种超材料阵列结构,通过反向波传播实现功率分配。首种矩形阵列构型经解析定义,被证实可作为TE(横电)模式下的功率分配器。基于该矩形阵列,我们进一步提出腔体阵列结构,成功增强了超材料器件的双负特性(DNG),在DNG条件下展现出更优的功率分配性能。
虽然单元结构与阵列构型的等效参数基本一致,但由于空气-介质-金属组合层的增加,部分参数仍存在差异。该功率分配器在0.91THz频段展现出显著特性:等效介电常数、磁导率及折射率均为-6。在0.94THz频段,双负反向波分配器的等效参数分别为介电常数-5.8、磁导率-5.8和折射率-5.8。这两种解析结构设计均适用于光功率分配器与分流器,可广泛应用于混频器、平衡放大器及天线阵列等微波电路领域。
该矩形功率分配器成功实现了理想的电场响应设计。在双负单频区域内,该功率分配器还展示了反向波传播特性。此外,通过改良矩形功率分配器(命名为腔体矩形超材料阵列结构),成功设计出能解析分离反向波的反向波分配器。整个仿真过程在TE波传播条件下完成,并基于鲁棒性方法提取了有效参数。所设计的功率分配器与波分配器可便捷应用于工业电力电子领域。
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