摘要：倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半导体器件
倾佳电子碳化硅MOSFET短路特性与退饱和保护（DESAT）深度研究报告
倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半导体器件以及新能源汽车连接器。
倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！
倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：
倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！
倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和大于650V的高压硅MOSFET的必然趋势！
倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！
1. 引言
1.1 背景：宽禁带半导体技术的崛起
碳化硅（SiC）金氧半场效晶体管（MOSFET）作为新一代宽禁带（Wide Bandgap, WBG）半导体材料的代表，正引领着电力电子技术的革新。相较于传统的硅（Si）基绝缘栅双极晶体管（IGBT），SiC MOSFET凭借其卓越的物理特性，如高临界电场强度、高热导率及高电子饱和漂移速度，能够在更高的开关频率、更高的电压和更高的温度下稳定运行 。这些内在优势显著降低了开关损耗，为实现更高效率、更高功率密度和更小体积的电力电子系统提供了可能 。
例如，在高端工业电电源应用中，一项仿真对比研究揭示了SiC技术的巨大潜力。与传统的1200V IGBT模块相比，采用BASiC半导体的1200V 15mΩ SiC MOSFET半桥模块BMF80R12RA3，即使将开关频率从IGBT时代的20kHz提升至SiC的80kHz，其总损耗仍可降低至IGBT的一半左右，使整机效率提高近1.58个百分点 。这一显著的性能提升，使得SiC MOSFET在工业变频器、光伏储能、电动汽车充电桩等高频、高压应用领域迅速普及，成为替代传统IGBT的理想选择 。
1.2 挑战与研究动机
然而，SiC MOSFET技术的广泛应用并非没有挑战。一个核心问题在于，SiC MOSFET的短路耐受时间远低于传统的IGBT，通常仅为2至3微秒（µs）。这种固有的脆弱性使其在面对短路故障时极易在极短时间内发生灾难性损坏，对系统的可靠性构成了严峻威胁。因此，设计一个高效、可靠且响应迅速的短路保护电路，成为SiC功率系统设计中至关重要的一环 。
倾佳电子旨在为电力电子工程师和系统设计师提供一份深度研究参考。报告将从底层物理机制入手，详尽对比SiC MOSFET与IGBT的短路特性差异；随后，概述主流的短路保护方案，并重点围绕退饱和保护（Desaturation Detection, DESAT）这一行业公认的主流保护方法，对其工作原理、电路拓扑、关键参数设置及针对SiC MOSFET的优化策略进行深入剖析。报告旨在通过理论与实践相结合的方式，为SiC功率模块的可靠应用提供全面的技术指导。
2. SiC MOSFET与IGBT短路特性对比分析
2.1 IGBT的短路行为与电流自限流机制
IGBT是一种双极性器件，其短路行为表现出独特的自限流特性。在正常导通状态下，IGBT工作在饱和区，其集电极-发射极电压(VCE)很低。当短路故障突然发生时，集电极电流(IC)会急剧增加。然而，IGBT的特性决定了它会迅速从饱和区切换到有源区（或称线性放大区）。在这一区域，IGBT的IC主要由栅极-发射极电压(VGE)控制，而不再随V_{CE}的升高而显著增加，从而表现出明显的电流自限流特性 。
这种自限流机制将短路电流限制在一个相对可控的水平，通常是其额定电流的4至6倍 。由于电流和功率耗散的增长得到了有效限制，IGBT能够承受相对较长的短路时间。例如，英飞凌的IGBT3/4和IGBT7的短路耐受时间分别为10µs和8µs 。这为外部保护电路提供了足够的时间窗口来检测故障并安全地关断器件。
2.2 SiC MOSFET的短路行为与高电流密度
与IGBT不同，SiC MOSFET是一种单极性器件，其短路行为没有天然的自限流特性。在正常导通期间，SiC MOSFET工作在线性区，其导通电阻(RDS(on))决定了漏极-源极电压(VDS)。当发生短路事件时，器件进入饱和区，但其漏极电流(ID)并非完全恒定。相反，它会随着V_{DS}的升高而持续增加 。这种特性使得SiC MOSFET的短路电流峰值非常高，可以达到其额定电流的10倍以上 。
此外，SiC芯片的物理尺寸远小于同电流等级的IGBT，导致在短路状态下，极高的电流密度集中在狭小的芯片面积内。例如，文档指出，SiC MOSFET的芯片面积小于同电流等级的IGBT，使得其电流密度更高，热量也更加集中。这种高电流密度和高短路电流的叠加效应，使得SiC MOSFET在短路时的温升速度极快，远超IGBT。因此，SiC MOSFET的短路耐受时间非常短，英飞凌的CoolSiC™单管封装器件为3µs，功率模块则仅为2µs 。
2.3 核心差异解析：物理根源
SiC MOSFET和IGBT短路特性的显著差异，植根于二者在材料和器件结构上的根本区别。
首先，SiC材料的临界电场强度约为硅的10倍 。为了实现相同的1200V耐压等级，SiC MOSFET的漂移区厚度可以远小于Si IGBT。在短路状态下，器件承受母线电压，电场分布在整个漂移区。更薄的漂移区意味着热量产生的高度集中，加上SiC芯片较小的面积，导致其电流密度和功率密度远高于IGBT。这种高度集中的产热效应，使得SiC MOSFET的结温在微秒级别内迅速攀升至热极限，从而发生热失控。
其次，IGBT的自限流机制源于其内部复杂的PNP双极型晶体管结构，该结构在短路时进入有源区，能够对电流进行有效钳位。而SiC MOSFET的单极性结构则缺少这种内在的自限流能力，其电流会随电压升高而持续增加，导致短路功率耗散的急剧上升。
这些物理上的本质差异，共同导致了SiC MOSFET的短路耐受时间远低于IGBT，这并非SiC技术的缺陷，而是其高功率密度特性的必然结果 。因此，设计一个能够在这极短的“生命线”内完成保护动作的电路，对于SiC系统的可靠性至关重要。下表总结了二者短路特性的主要区别。
特性
SiC MOSFET
IGBT
备注
短路耐受时间
极短 (~2-3 µs)
相对较长 (~5-10 µs)
SiC耐受时间短是其高功率密度的副产品
短路电流
高，通常为额定电流的10倍以上
较低，通常为额定电流的4-6倍
SiC电流随VDS升高而持续增大，无自限流特性
热量集中度
极高，芯片面积小、漂移层薄
相对较低
SiC短路时温升速度极快
电流限流机制
无法自限流，需要外部保护
在有源区具有自限流特性
IGBT在短路时进入有源区，电流得到限制
保护难度
高，需要超高速、高精度保护
相对较低，保护时间窗口更宽
SiC保护需要兼顾极短响应时间与抗噪声能力
3. SiC MOSFET短路保护的必要性与挑战
3.1 保护的必要性：生存与可靠性的底线
SiC MOSFET的短路耐受时间通常仅为2µs至3µs ，这意味着从短路故障发生的那一刻起，保护电路必须在这极短的时间窗口内完成故障检测、处理和器件的完全关断。任何超过这一时限的保护延迟都可能导致器件永久性损坏。因此，短路保护对于确保SiC功率系统的长期稳定运行是必不可少的 。在电机驱动、电源转换等复杂应用环境中，短路故障并非罕见，可能由多种因素引起，例如负载短路、器件硬开关故障（Hard-Switching Fault, HSF）或半桥直通（Shoot-Through Fault, STF）等 。
3.2 短路保护的挑战
设计一个可靠的SiC短路保护电路面临着独特的挑战，这主要源于SiC器件本身的高速特性与高压应用环境的矛盾。
时效性与抗扰性的权衡： 保护电路必须足够快，以在2µs的短路耐受时间内完成整个保护流程。然而，SiC MOSFET极快的开关速度会产生高达数十kV/µs的dv/dt和数十kA/µs的di/dt，这些瞬态变化在PCB的寄生电感上会感应出电压尖峰，形成强烈的电磁干扰（EMI）。保护电路必须能够区分真实的短路故障信号与这些瞬态噪声，否则就会发生误触发。因此，短路检测时间需要在快速响应和屏蔽噪声之间找到一个精妙的平衡 。
短路电流的高幅值： SiC MOSFET的短路电流峰值可达额定电流的10倍以上，这给电流检测带来了挑战。传统的电流传感器可能因响应速度不足或动态范围有限而失效。
关断过程中的电压过冲： 即使短路电流被成功检测，其快速关断过程也会在主回路的寄生电感上产生巨大的电压尖峰（VOS=Lstray×di/dt），这个尖峰电压可能超过器件的额定电压，导致器件雪崩击穿，造成二次损坏 。
3.3 主流短路保护方案概述
为了应对上述挑战，业界发展出多种短路保护方案，其中最主流的包括：
分流电阻检测方案（Shunt Resistor）： 在主回路中串联一个低阻值的分流电阻，通过测量其两端电压来检测电流。该方案简单直接，但会在主回路中引入额外的功耗，降低系统效率 。
SenseFET电流检测方案： 这种方案利用集成在功率器件内部的微型检测晶体管（SenseFET）来获取与主电流成比例的微小电流，从而避免了主回路中的额外损耗。但该方案需要特定的功率模块支持，且会增加系统成本 。
退饱和保护（DESAT）方案： 该方案通过监测功率器件导通时的漏极-源极电压（VDS）来间接判断是否发生短路。在正常工作时VDS很低，而在短路时VDS会迅速升高。这种方案不增加主回路功耗，且其检测电路可以方便地集成在栅极驱动芯片中。由于其高性价比和可靠性，DESAT已成为SiC MOSFET短路保护的首选方案 。
4. 栅极驱动芯片退饱和保护(DESAT)的原理与应用
退饱和保护（DESAT）作为目前应用最广泛的短路保护方案，其设计精妙且可靠。该功能通常集成在专用的栅极驱动芯片中，为SiC MOSFET提供了一道关键的保护防线。
4.1 DESAT保护基础原理
DESAT保护的核心思想是基于对功率器件导通压降的实时监测。在正常导通状态下，SiC MOSFET的漏极-源极电压(VDS)非常低，其值等于导通电流与导通电阻(RDS(on))的乘积。当发生短路故障时，尽管栅极电压保持高电平，但由于短路电流的剧烈增加，器件会进入饱和区，其VDS会迅速攀升至接近母线电压的水平 。这种由低压降向高压降的突变被称为“退饱和”现象。
DESAT保护电路正是利用这一原理来工作的。它使用一个高压二极管将功率器件的VDS连接到栅极驱动芯片的DESAT引脚 。在正常导通时，VDS很低，二极管正向导通，DESAT引脚的电压被钳位在一个极低的水平。当短路发生，VDS}急剧升高时，二极管反向截止，驱动芯片内部的恒流源开始向一个外部电容充电。一旦DESAT引脚上的电压超过预设的阈值电压，芯片便会判定为短路故障，并触发保护关断 。
4.2 DESAT保护电路拓扑与关键组件
一个典型的DESAT保护电路通常由以下关键组件构成 ：
高压二极管 (DDESAT)：作为电压采样探头，将功率器件的漏极电压反馈到驱动芯片。该二极管必须具有足够高的反向耐压，且其反向恢复时间需极短，寄生电容要尽可能小，以减少噪声耦合和开关延迟，确保检测的准确性。
消隐电容 (CBLANK)：连接在DESAT引脚和地之间，其主要作用是定义“消隐时间”。
限流电阻 (RDESAT)：串联在D_{DESAT}和DESAT引脚之间，用于在器件开通瞬间抑制由于高dv/dt耦合产生的大电流尖峰，保护驱动芯片的DESAT引脚免受损坏。
内部恒流源 (IDESAT)：这是驱动芯片内部集成的核心组件，负责在短路发生时为消隐电容充电。其电流大小决定了充电速度，从而影响保护的响应时间 。
4.3 DESAT保护工作流程与时序分析
DESAT保护的工作流程是一个时序严谨的过程，其设计需要特别关注SiC MOSFET的动态特性 ：
开通后消隐阶段（Blanking Time）：当栅极驱动信号开通器件后，DESAT保护功能不会立即启动。相反，驱动芯片会进入一个预设的“消隐时间” (tblank) 。这个时间窗口的目的是为了屏蔽器件开通瞬间因高
dv/dt产生的电压尖峰噪声，防止保护电路发生误触发。消隐时间的长短由外部电容C_{BLANK}和内部恒流源I_{DESAT}共同决定，其计算公式为： t_{blank} = (C_{BLANK} \times V_{DESATth}) / I_{DESAT} 其中V_{DESATth}是内部比较器的阈值电压。针对SiC MOSFET极短的短路耐受时间，消隐时间必须经过精心的设计和校准，以确保它既能有效滤除噪声，又不会占用过多的保护时间。
故障检测阶段：消隐时间结束后，DESAT电路正式开始工作。
在正常导通状态下，V_{DS}$电压低，D_{DESAT}正向导通，DESAT引脚电压被钳位在二极管的导通压降，远低于V_{DESATth}，保护功能保持静默。
在短路故障发生时，V_{DS}迅速升高，D_{DESAT}反向截止。此时，内部恒流源开始对C_{BLANK}充电。当C_{BLANK}上的电压（即DESAT引脚电压）超过V_DESATth}时，芯片立即识别为短路故障，并触发关断信号。
关断阶段：检测到故障后，驱动芯片会激活故障报警输出，并进入关断流程。为了抑制高di/dt引起的电压过冲，现代栅极驱动器通常采用软关断（Soft Turn-off）机制 。软关断通过一个受控的内部弱下拉电流源或一个额外的小型MOSFET，缓慢地将栅极电压拉低，从而减缓短路电流的下降速度，有效降低 di/dt和由此产生的电压尖峰，防止器件在关断瞬间被损坏 。
4.4 针对SiC MOSFET的DESAT保护设计优化
针对SiC MOSFET的DESAT保护设计，其核心在于在响应速度和抗干扰能力之间寻找最佳平衡点 。这需要从以下几个方面进行优化：
阈值电压设置： SiC MOSFET的正常导通压降远低于IGBT，且其短路时电流无法自限流。因此，为SiC MOSFET设计的DESAT阈值电压需要根据其具体的短路行为进行调整，通常需要设置得更低，以确保在短路电流达到危险水平前就能触发保护 。
消隐时间设置： SiC MOSFET的短路耐受时间极短，总保护时间窗口被严格限制。因此，必须将消隐时间设计得尽可能短，同时又要确保其足以屏蔽开通瞬态噪声。选择具有可配置DESAT参数（如充电电流、滤波时间）的栅极驱动芯片，可以为工程师提供更大的设计灵活性 。
米勒钳位功能与DESAT保护的协同作用： 在半桥拓扑中，SiC MOSFET的高dv/dt会通过栅-漏电容(Cgd)在对管的栅极产生感应电压，可能导致误开通，引发直通短路 。米勒钳位功能通过在器件关断时提供一个低阻抗通路将栅极钳位至负电源，有效地抑制了这种米勒效应引起的误开通。因此，米勒钳位与DESAT保护并非相互独立，而是在应对不同类型的故障模式时协同工作，共同提升了系统的整体可靠性 。
5. 典型案例分析与设计建议
5.1 BASiC SiC模块与驱动方案分析
文档中提供了BASiC半导体一系列SiC模块的详细信息，包括34mm封装的BMF80R12RA3、BMF120R12RB3、BMF160R12RA3和E2B封装的BMF008MR12E2G3、BMF240R12E2G3，以及62mm封装的BMF540R12KA3、BMF360R12KA3等产品 。这些模块都强调了其低导通损耗、低开关损耗和高功率密度等特性，并集成了NTC温度传感器，以提升产品的可靠性。
BMF80R12RA3模块具有较低的反向传输电容(Crss)和栅源阈值电压(VGS(th)) ，这些参数直接关系到器件的开关速度和对噪声的敏感性。其配套的驱动方案提到了BTD5350MCWR驱动芯片 。该芯片集成了米勒钳位功能，可以有效应对SiC MOSFET在半桥拓扑中因高 dv/dt引起的误开通问题 。
5.2 行业主流DESAT驱动芯片剖析
现代的栅极驱动芯片已经将多种保护功能高度集成，以满足SiC MOSFET苛刻的短路保护要求。例如，德州仪器（TI）的UCC217xx系列隔离式栅极驱动器，就是专为SiC MOSFET和IGBT设计的高性能产品。
该系列芯片集成了多项先进功能，包括：
快速过流和短路检测：通过DESAT引脚实现，具有可编程的响应时间，能够快速关断器件 。
软关断：当检测到故障时，芯片会通过一个内部受控电流源（例如400mA）缓慢地关断器件，以抑制电压过冲 。
有源米勒钳位：主动钳位栅极电压，防止米勒效应引起的误开通 。
故障报警：通过故障（FLT）引脚向控制器（MCU）发送报警信号，实现系统级的保护联动 。
欠压锁定（UVLO）：确保驱动芯片在电源电压不足时不会误工作 。
这些功能的协同作用构成了完整的故障保护链。例如，米勒钳位功能在正常运行时防止了桥臂直通短路，而DESAT保护则在真正的短路故障发生时，通过软关断机制安全地关断了器件，并抑制了关断过压。这表明，一个可靠的SiC系统需要依赖多种保护功能的有机结合，而非单一的保护措施 。
5.3 SiC模块短路保护电路设计建议
综合上述分析，为SiC MOSFET设计短路保护电路时，应遵循以下关键建议：
精确配置DESAT参数： 根据所选SiC模块的短路耐受时间（通常为2µs至3µs），精确计算和配置DESAT的消隐时间和阈值电压。消隐时间必须足够长以避免误触发，但总保护时间（消隐时间 + 关断延迟）必须严格小于器件的短路耐受时间。
优化PCB布局： 减小栅极驱动回路和主功率回路的寄生电感至关重要。主回路的寄生电感越小，短路关断时的电压过冲越低，保护难度越小。
合理选型外部组件： 选择具有低寄生电容和极低反向恢复时间的高压二极管用于DESAT检测，以提高检测精度和响应速度。
利用集成保护功能： 优先选择集成了DESAT保护、米勒钳位和软关断等高级功能的专用SiC栅极驱动芯片，以简化设计，同时确保多重保护的协同作用，全面提升系统的鲁棒性。
6. 结论与展望
6.1 报告总结
倾佳电子探讨了SiC MOSFET的短路特性与保护机制，清晰地阐明了其与传统IGBT在短路耐受时间、电流限流机制和热失控机理上的本质区别。SiC MOSFET因其高功率密度而带来的短路电流高、热量集中等特性，使其短路耐受时间远低于IGBT，对保护电路的时效性提出了极为严苛的要求。
在众多保护方案中，退饱和保护（DESAT）因其不增加主回路损耗、易于集成在栅极驱动芯片中等优点，成为SiC短路保护的主流选择。倾佳电子详述了DESAT保护的电路原理、工作流程和关键参数设置，并强调了在设计中必须在快速响应和抗干扰能力之间取得平衡。同时，米勒钳位和软关断等协同保护功能对于应对SiC MOSFET的独特动态特性至关重要。
深圳市倾佳电子有限公司（简称“倾佳电子”）是聚焦新能源与电力电子变革的核心推动者：
倾佳电子成立于2018年，总部位于深圳福田区，定位于功率半导体与新能源汽车连接器的专业分销商，业务聚焦三大方向：
新能源：覆盖光伏、储能、充电基础设施；
交通电动化：服务新能源汽车三电系统（电控、电池、电机）及高压平台升级；
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公司以“推动国产SiC替代进口、加速能源低碳转型”为使命，响应国家“双碳”政策（碳达峰、碳中和），致力于降低电力电子系统能耗。
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6.2 未来展望
随着SiC技术的持续发展，未来的SiC MOSFET器件短路耐受能力有望得到改善，但其短路时间短于IGBT的本质特性将长期存在。因此，栅极驱动芯片作为保护电路的核心，将继续向高集成度、高灵活性和高智能化方向发展。未来的栅极驱动器可能会提供更精细、可配置的保护参数，如通过数字接口（如SPI）实现DESAT阈值和软关断斜率的实时调整，从而更好地适应SiC器件的动态特性和多样化的应用需求。这些技术进步将进一步简化SiC系统的设计，全面提升其在新能源、工业、航空航天等高可靠性领域的应用前景。
来源：杨茜碳化硅半导体