摘要：台积电在2纳米生产线中全面排除中国大陆半导体设备，这一决策背后，是技术迭代与地缘政治双重作用的必然结果，也将重塑全球半导体产业竞争格局！

台积电在2纳米生产线中全面排除中国大陆半导体设备，这一决策背后，是技术迭代与地缘政治双重作用的必然结果，也将重塑全球半导体产业竞争格局！

失业君小编 | 文
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8月25日，据日经亚洲等外媒报道，台积电在2纳米工艺的设备选型上已全面排除中国大陆制造的半导体设备。这一决策主要受到美国拟议的《中国设备法案》影响，该法案明确禁止接受联邦资金的芯片制造商使用中国设备。

台积电为确保亚利桑那州工厂的1650亿美元投资顺利获得美国补贴，必须严格遵守这一政策。事实上，台积电早期先进芯片生产线曾使用部分中国大陆设备，但如今情况已然改变。

2纳米工艺是半导体制造技术的一个重要分水岭。这一工艺采用了全新的全环绕栅极（GAA）晶体管架构，取代了沿用多年的FinFET技术。

GAA技术对设备精度要求极高。以蚀刻环节为例，中微公司的3nm刻蚀机虽已通过台积电验证，但2nm工艺需要更先进的原子层蚀刻（ALE）技术，目前该领域仍由应用材料、泛林集团等美企主导。

台积电在2nm量产前已与这些供应商签订独家协议，确保设备供应安全。技术迭代的脚步，已经超出了中国大陆设备商目前的研发水平。

2nm工艺带来的不仅是技术飞跃，还有成本飙升。台积电将每片晶圆的定价从3nm的2万美元提升至3万美元，涨幅高达50%。

这样高的涨幅背后有三个主要原因：技术复杂性增加，2nm需首次导入GAA晶体管结构，光罩层数增加至120层以上，制造良率初期不足50%。

设备投资巨大，新一代High-NA EUV光刻机单台售价超4亿美元，较现有设备涨价近70%。地缘政治风险，美方对大陆芯片设备出口限制间接推高了研发与验证成本。

全球能负担2nm芯片的厂商仅剩苹果、英伟达、AMD和英特尔等毛利率超过50%的企业。

失业君小编观察认为，台积电此举很大程度上是为了规避美国政策风险。以参议员麦克·凯利为首的美国立法者提出了“芯片设备法案”，拟禁止接受美国联邦资助和税收抵免的企业购买“受关注外国实体”的设备。

业內高管普遍认为该说法涵盖中国大陆供应商。台积电董事长兼首席执行官魏哲家表示，公司正加速美国亚利桑那州工厂的建设，待扩产完成后，美国或将承担其2纳米及更先进制程约30%的生产份额。

台积电也在审查半导体材料的产地，计划降低其在台湾和美國業務中的中國大陸供應占比。這一舉措顯示出台積電在全球化與地緣政治之間的平衡藝術。

台积电2nm产能分布呈现“中国台湾地区+美国”双中心模式。台湾新竹/高雄工厂：2025年下半年量产，月产能6万片晶圆，设备全部采用美日欧供应商。

美国亚利桑那工厂：2026年投产，产能占比30%，同样使用非中国设备，并配套建设先进封装厂以实现“晶圆-封装”全流程本土化。

这种布局既规避了地缘政治风险，又能利用美国的能源补贴降低2nm工艺的高耗能负担。据供应链消息，宝山、高雄至2025年底2奈米月產能共計约4.5万~5万片，2026年月產能超過10万片。

短期内，大陆设备企业可能因失去台积电订单而营收承压，设备的全球推广遇阻。成本上，新设备采购、调试及生产停滞会增加直接投入，失去大陆供应商的价格与响应优势。质量上，需重新适配新设备工艺参数，可能导致良品率波动，影响芯片性能与稳定性。

但长期来看，此举或倒逼大陆设备企业加大研发投入。中微公司等正加速突破高端技术，推动形成自主产业生态，减少对外依赖。

面对外部制约，中国半导体产业正在寻找破局路径。2025年中国半导体生态发展大会近日在上海举行，与会专家指出了多个发展方向。

半导体产业高度集中在珠三角、长三角、环渤海以及中西部地区，拥有约168条2-12英寸半导体生产线，其中8-12寸产线接近80条。但目前我国IC自主率仍小于5%，产能占比小于15%，进口依赖程度较高。

先进封装成为突破摩尔定律的关键路径。Chiplet技术通过异质集成提升芯片性能。国内企业如华天科技已实现2.5D/3D封装产线通线，FOPLP封装通过多家客户验证。

AI与EDA工具深度融合，重塑芯片设计范式。芯和半导体推出覆盖信号、电源、热、应力多物理场的Chiplet仿真平台，将系统验证周期缩短30%。

台积电预计2025年全年收入以美元计算增长约30%，其美股ADR自4月以来已上涨近70%至历史新高。

但市值狂欢背后，全球半导体产业正在分裂。一条无形的技术鸿沟正在延伸，从代工制造到设备材料，从先进工艺到成熟制程。

未来可能形成两个平行的半导体生态系统：一个以美国为主导，涵盖台日韩欧企业；另一个则是中国大陆自主打造的产业链。

这种分裂必然带来效率损失和成本上升，但也可能催生多元化技术路径和创新活力，为全球半导体产业带来新的变量。

议

网友热议

@深圳宋木杖（IP粤）：
技术壁垒越筑越高，中国半导体还是要靠自己突破，不能总指望别人开绿灯。

@BarabasLee（IP京）：

台积电也是被迫站队，美国法案一把刀架在脖子上，1650亿投资换谁都不敢冒险。

@红蝶门996（IP吉）：

中微3nm刻蚀机刚闯进赛道，2nm又被甩开…差距比想象中更大，但至少我们在追！

@腾子琪Thamas（IP晋）：

一片晶圆3万美元！以后只有苹果旗舰机用得起2nm了，手机又要涨价…

@黄朔云penny（IP川）：

原子层蚀刻（ALE）才是真门槛，应用材料/泛林垄断十几年，短期很难绕过专利墙。

@无影无踪1997（IP沪）：

良率不到50%就敢量产？台积电拼良品率的速度可能比我们追设备更快…

最后一条，
那可没准。

来源：汉语言文学中文系