摘要：软银为最大股东，初期研资 150 亿日元，此举有望助日本重返存储芯片主要供应国行列。Saimemory 的成立折射全球半导体产业在 AI 浪潮下的战略调整，其技术若成熟或重构 AI 硬件架构，对日本半导体产业重拾竞争力意义重大。韩国要哭？

DRAM 战场硝烟再起：日本借 AI 东风，剑指替代HBM

英特尔与软银成立 SAImemory，开发堆叠式 DRAM 替代 HBM。

目标 2027 年完成原型设计、2030 年前商业化，力求容量翻倍、功耗降 40% 以上且成本更低。

软银为最大股东，初期研资 150 亿日元，此举有望助日本重返存储芯片主要供应国行列。Saimemory 的成立折射全球半导体产业在 AI 浪潮下的战略调整，其技术若成熟或重构 AI 硬件架构，对日本半导体产业重拾竞争力意义重大。韩国要哭？

1、（技术）英特尔成立初期专注晶体管半导体存储器研发，1969 年推出世界第一款 64bit SRAM 芯片，1970 年推全球首款商用 DRAM 芯片，1974 年 DRAM 市占率达 82.9% 成行业龙头。

2、（市场）日本曾是全球存储器行业霸主，1970-1980 年代借政府企业协同攻关，DRAM 市占率 1986 年达 80%，主导技术标准。后因美日贸易战、未转向 NAND 闪存等，1990 年代后衰退，市占率暴跌，仅存材料等领域优势。

美国持续扶持日本？日本 DRAM 能否借 AI 与美合作再掀风云？欢迎大家留言发表看法。

一、英特尔 + 软银 联手： 替代HBM

在 AI 算力需求爆发的当下，高带宽存储器（HBM）因适配 AI 处理器的数据吞吐需求而成为市场焦点，但复杂制程导致的高成本、高功耗及发热问题却日益凸显。

英特尔与软银合资成立的 Saimemory 公司，正以低功耗、低成本的堆叠式 DRAM 技术为突破口，试图改写存储芯片市场格局。

新公司的技术路径聚焦于3D 堆叠架构优化：通过垂直堆叠多颗 DRAM 芯片，并改进芯片间的互连技术（如采用英特尔的嵌入式多芯片互连桥接技术 EMIB），在提升存储容量的同时降低数据传输功耗。

根据规划，其目标产品将实现容量较传统 DRAM 提升至少一倍，功耗较 HBM 降低 40%-50%，且成本显著低于现有 HBM 方案。

这一技术路线与三星、NEO Semiconductor 等企业聚焦容量提升的 3D DRAM 形成差异化 —— 后者目标是单模块 512GB 容量，而 Saimemory 更侧重解决 AI 数据中心的电力消耗痛点，契合当前绿色计算的行业趋势。

技术合作层面，英特尔提供先进封装技术积累，东京大学等日本学术机构则贡献存储架构专利，软银则以 30 亿日元注资成为最大股东，初期 150 亿日元研发资金将用于 2027 年前完成原型设计及量产评估，计划 2030 年实现商业化落地。（这个金额还是不够看）

二、日本存储器复兴野心

Saimemory 的成立背后，承载着日本半导体产业重返存储器芯片赛道的战略意图。

在 1980 年代，日本企业曾占据全球 70% 的记忆体市场，但随着韩国、中国台湾地区厂商的崛起，日本企业逐渐退出竞争。

此次合作被视为日本时隔二十余年首次向主流记忆体市场发起冲击，若技术成功，有望重塑全球存储供应链格局。

从市场竞争看，当前 HBM 市场由三星、SK 海力士、美光三家垄断，且供需矛盾尖锐 ——AI 服务器需求推动 HBM 价格在 2024 年上涨超 50%，2025 年仍供不应求。

Saimemory 的替代方案若能在 2030 年前量产，有望切入日本本土数据中心市场，并凭借低功耗优势吸引对电费敏感的互联网企业。

软银作为大股东，更计划优先获得芯片供应权，为其投资的 AI 业务（如 ARM 架构芯片）构建供应链协同优势。

然而，技术落地仍面临多重挑战：3D 堆叠 DRAM 的良率控制、量产成本能否真正低于 HBM、与现有 AI 处理器的兼容性适配等均需时间验证。

三星等竞争对手已在 3D 存储领域布局多年，Saimemory 需在研发速度与技术独特性上建立壁垒。

对于英特尔而言，此次合作亦是其 “IDM 2.0” 战略的延伸 —— 通过开放技术合作扩大生态影响力，而非仅依赖自有制造能力。

三、RISC-V 2030 研究报告

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来源：芯榜一点号