摘要：请问CMOS工艺中ILD/PMD/IMD的区别是什么？一般用的什么介质材料？

知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：请问CMOS工艺中ILD/PMD/IMD的区别是什么？一般用的什么介质材料？

ILD/PMD/IMD是什么？

ILD（Inter-LayerDielectric），位于不同金属层之间，隔离相邻的金属层，可以借鉴图中的绿色层。

IMD（Inter-Metal Dielectric），位于同一金属层内的不同金属互连线之间的介质，确保每个互联结构相互独立，防止窜扰，可以借鉴图中灰色的部分。

PMD（Pre-Metal Dielectric），位于最底层金属互连（M1）之前，用于隔离多晶硅栅极、源极和漏极之间的金属互连，借鉴图中黄色的部分。

对于介质的要求？

具有低介电常数。低介电常数材料可以减少寄生电容，加快信号传播速度，使整体电路性能得到提升。

有哪些低介电常数的材料？

来源：乱九