隆基光伏申请硅基底、太阳能电池及光伏组件专利,提升凹坑对倾斜入射光的吸收

B站影视 2024-12-10 10:53 2

摘要:国家知识产权局信息显示,鄂尔多斯市隆基光伏科技有限公司申请一项名为“硅基底、太阳能电池及光伏组件”的专利,公开号 CN 119092566 A,申请日期为2024年9月。

金融界2024年12月10日消息,国家知识产权局信息显示,鄂尔多斯市隆基光伏科技有限公司申请一项名为“硅基底、太阳能电池及光伏组件”的专利,公开号 CN 119092566 A,申请日期为2024年9月。

专利摘要显示,一种硅基底,包括相对的第一表面和第二表面。第一表面设置有多个凹坑。硅基底的厚度为h1,凹坑的深度为h2,其中h1与h2的差△h满足h1>△h≥1/A(λ=300nm),其中A(λ=300nm)为硅基底在波长λ=300nm的光吸收系数,单位为cm‑1。本申请还提供一种包括上述硅基底的太阳能电池和光伏组件。通过设置凹坑,并通过凹坑的深度与硅基底的厚度与硅基底在相应波长的光吸收系数建立起联系,提升凹坑对倾斜的入射光的吸收,且满足对特殊波长响应的要求。

本文源自金融界

来源:金融界一点号

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