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摘要：国家标准委网站显示，我国首个EUV光刻胶标准——《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》作为拟立项标准，10月23日开始公示，截止时间为11月22日。标准的起草单位包括上海大学、张江国家实验室、上海华力集成电路制造有限公司、上海微电子装备（集团）股份有限公司。作为我

行业梳理

国家标准委网站显示，我国首个EUV光刻胶标准——《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》作为拟立项标准，10月23日开始公示，截止时间为11月22日。标准的起草单位包括上海大学、张江国家实验室、上海华力集成电路制造有限公司、上海微电子装备（集团）股份有限公司。作为我国首个EUV光刻胶标准，具有重要的现实意义。该标准的制定不仅能够填补国内在该领域的技术标准空白，更将通过建立统一的测试方法体系，为国内外EUV光刻胶的性能评价提供客观标尺。

标准实施后将实现三大目标：一是推动测试数据互认，降低晶圆厂对国产材料的导入风险；二是促进测试设备国产化替代，有效压缩研发成本；三是加速实现从进口依赖到自主可控的产业跃迁。

该标准的制定为我国EUV光刻胶关键核心技术的突破提供标准化支撑，推动国内高端光刻胶产业实现高质量可持续发展，提升我国在全球半导体材料领域的话语权和竞争力。北京大学团队通过冷冻电镜技术解析光刻胶分子在显影液中的行为，发现界面缠结导致的缺陷问题，并提出优化方案，可使12英寸晶圆的光刻胶残留缺陷减少超99%。这对7nm及以下先进制程尤为重要，因30纳米团聚颗粒即可引发电路短路，直接影响芯片良率。

2024年我国光刻胶市场规模达114亿元，预计2025年将增至123亿元。但高端产品国产化率仍低，尤其在EUV光刻胶领域，国产化率为零。此次突破为国产材料提供了研发工具和性能优化依据，加速了从验证到量产的进程。

光刻胶的高低端区别主要体现在应用领域、技术难度和产品价值上。低端，显示光刻胶主要用于LCD-TFT面板制造，技术门槛相对较低，国产化率较高。中端，PCB光刻胶用于电路板生产，国产化率较低（目前不足5%），技术实现难度适中。高端，芯片光刻胶应用于半导体制造，涉及AI芯片、算力芯片等领域，技术壁垒最高，国产化进程较慢。

低端通常为正性光刻胶，采用G线/I线光源，主要用于晶体管制造的前端工序。高端包含KrF、ArF、EUV等更先进类型，应用于芯片后端封装或更精密的电路加工，其中EUV光刻胶目前仅在实验室阶段。高端芯片光刻胶在精度、稳定性及材料工艺上要求最高，国产化进程面临技术积累不足和关键设备依赖进口的挑战；低端产品国产化进展较快，但市场竞争激烈

EUV光刻胶是极紫外光刻的关键材料，工作波长为13.5nm，主要应用于7nm及以下制程的集成电路制造，是实现先进逻辑芯片、高端存储芯片等微小化、高性能芯片生产的不可或缺的材料。全球市场被日本、美国企业垄断（如JSR、东京应化占据超95%份额）。此次突破填补了国内技术空白，为晶圆厂提供自主可控的解决方案，降低对进口材料的依赖。