摘要：半导体圈又炸响一颗惊雷。9月末，一则“长江存储计划进军DRAM市场，重点研发HBM”的消息，不仅让美国存储巨头美光股价单日重挫3%，更搅动了全球HBM（高带宽内存）市场的竞争格局。这个曾以NAND闪存技术突破闻名的“国产存储尖兵”，为何突然转向DRAM？这场突

半导体圈又炸响一颗惊雷。9月末，一则“长江存储计划进军DRAM市场，重点研发HBM”的消息，不仅让美国存储巨头美光股价单日重挫3%，更搅动了全球HBM（高带宽内存）市场的竞争格局。这个曾以NAND闪存技术突破闻名的“国产存储尖兵”，为何突然转向DRAM？这场突围背后，又藏着国内半导体产业链怎样的机遇？

作为国内NAND闪存的“破局者”，长江存储凭借自主研发的Xtacking架构，已跻身全球NAND第一梯队。此次转向DRAM尤其是HBM领域，并非偶然。HBM作为AI芯片的“算力血管”，通过3D堆叠技术将多颗DRAM芯片垂直集成，带宽较传统DRAM提升10倍以上，是英伟达、AMD等AI芯片巨头的核心配套。当前全球HBM市场被韩美企业垄断——Counterpoint数据显示，2025年二季度SK海力士以62%份额稳坐头把交椅，美光21%次之，三星仅17%。长江存储此时入局，既是为补上国内DRAM产业链短板，更是瞄准AI算力爆发的长期机遇。

技术储备上，长江存储已开始研发硅穿孔（TSV）技术，这是HBM堆叠的核心工艺；同时计划将新工厂部分产能转向DRAM，足见决心。尽管2022年被列入美国“实体清单”，但国内半导体产业链的协同支持，为其提供了突围底气。

HBM的高门槛在于3D堆叠、散热设计和与GPU的协同优化。SK海力士能一家独大，靠的是早于2013年就布局TSV技术；美光此次被长江存储“刺激”到股价下跌，本质是担忧新玩家打破其21%的份额防线。对长江存储而言，挑战同样明显：HBM量产需要成熟的先进制程（目前主流为10nm级）、高良率的TSV工艺，以及与AI芯片厂商的适配经验。但换个角度看，国内AI算力需求井喷（如大模型训练、智能驾驶），为HBM提供了本土市场“试验田”，长江存储若能与长鑫存储（专注DRAM）、国内AI芯片厂形成联动，或能走出一条“以需求带技术”的差异化路径。

长江存储的HBM布局，将直接拉动国内半导体设备、材料及封测产业链的需求。以下领域值得关注：

1. 半导体设备商：TSV工艺的“卖水人”

HBM的核心是TSV（硅通孔）技术，需要在硅片上打孔并填充金属实现芯片堆叠。中微公司的刻蚀设备可应用于TSV孔加工，其高精度等离子体刻蚀技术已进入国际先进制程产线；华海清科的化学机械抛光（CMP）设备，用于TSV孔壁平整化，是保障堆叠良率的关键。

2. 先进封测厂：HBM的“最后一公里”

HBM需通过2.5D/3D封装与GPU集成，对封测厂的技术要求远超传统封装。长电科技拥有XDFOI全系列2.5D/3D封装技术，已为国际客户量产HBM相关封装；通富微电与AMD深度绑定，其Chiplet封装产线可适配HBM堆叠需求。

3. 材料与耗材：隐形冠军的机遇

HBM制造中，低介电常数（low-k）材料、键合胶等耗材需求激增。安集科技的CMP抛光液已覆盖14nm以下制程，可用于TSV工艺；雅克科技的电子特气与光刻胶配套材料，受益于存储厂扩产。

长江存储从NAND到DRAM的跨越，与长鑫存储的DRAM攻坚形成“存储双雄”格局，标志着国内存储产业链从“单点突破”迈向“生态构建”。尽管HBM市场高手如云，但在AI算力刚需与国内政策支持下，这条赛道已不再是韩美企业的“专属游戏”。对A股而言，长江存储的技术突破如同投入湖面的石子，激起的产业链涟漪，或许才刚刚开始。

来源：机智的圆月JnHBMFr