摘要：近日，多家企业在氮化镓功率半导体领域动作频频，市场布局进一步加速。从代工厂到器件厂商，全球GaN技术商业化正迎来新一轮推进。

近日，多家企业在氮化镓功率半导体领域动作频频，市场布局进一步加速。从代工厂到器件厂商，全球GaN技术商业化正迎来新一轮推进。

晶能微电子：

积极布局GaN产品

据“余杭时报”9月18日报道，晶能微电子正前瞻性布局GaN功率器件产品，并引入智能机器人参与芯片制造，以智能制造优化生产流程。

据了解，今年7月，晶能微电子与中车时代半导体签署战略合作协议，双方将在Si、SiC、GaN等功率半导体器件的芯片设计、工艺创新、模块封装及测试验证等领域展开深度合作，共同推动技术创新与产业化。

目前，晶能微电子已与华润微电子、积塔半导体、捷捷微电、中车时代半导体、芯迈半导体等行业领先企业建立“功率朋友圈”，有望进一步增强在SiC、GaN等领域的技术与市场优势。

东芝电子元件：

今年进军GaN，瞄准数据中心市场

9月19日，外媒报道称，东芝电子元件计划于2025年进入氮化镓市场，瞄准电力系统与人工智能数据中心等新兴需求。

产品方面，东芝电子元件预计2026年推出“常关型”产品，以简化驱动设计，提升易用性。对此，该公司常务董事、半导体事业部副总裁栗原纪泰进一步指出，GaN在AI服务器电源等应用中具备明确需求。

此外，尽管当前电动汽车市场增长放缓影响碳化硅需求，东芝电子元件仍将通过微控制器和功率半导体的协同整合提升产品竞争力。

报道显示，为支持该战略，东芝计划在2024至2026财年投入约1000亿日元（约合人民币48.13亿元）用于半导体设备投资，包括维护与升级生产设备。未来，该公司将重点拓展电动车车载充电器与AI服务器电源市场。

X-FAB：

8吋产线开启 D-Mode氮化镓代工

据X-FAB官方宣布，自2025年9月起面向XG035 D-Mode项目开放多项目晶圆、原型设计及量产服务。X-FAB表示，该举措凸显其作为纯代工厂在宽禁带半导体（包括GaN和SiC）方面的全套工艺技术支持能力，助力无晶圆厂客户实现从设计到产品的快速转化。

该服务由X-FAB位于德累斯顿的8英寸晶圆厂提供，可满足汽车、数据中心、工业、可再生能源、医疗等领域的客户需求。

据介绍，该公司的XG035 D-Mode技术作为开放代工平台，提供硅基氮化镓代工服务，涵盖100V至650V的D-Mode HEMT晶体管，适用于功率转换应用。同时，X-FAB还可定制开发D-Mode与E-Mode HEMT、肖特基势垒二极管等器件，应用于高频整流、电源管理和太阳能光伏等领域。

X-FAB德累斯顿首席执行官Michael Woittennek表示，公司致力于成为专注GaN领域的代工合作伙伴，凭借350nm工艺的灵活性，可快速实现大规模量产，为客户提供可靠的市场化路径。

DB HiTek：

8吋产线即将启动GaN代工

据外媒报道，韩国东部高科DB HiTek于近日宣布，其650VGaN HEMT工艺开发已进入最终阶段，计划于10月底推出专属氮化镓多项目晶圆（MPW）项目。

报道显示，完成650V工艺开发后，DB HiTek还计划在2026年底前推出200V GaN工艺及针对集成电路优化的650V GaN工艺，并逐步拓展更广泛的电压范围。该公司负责人透露，“通过新增氮化镓工艺能力，我们将以更广泛的技术组合增强市场竞争力。”

为支持以上举措，DB HiTek还在进一步完善产能建设，高科公司的韩国忠清北道Fab2洁净室设施正在扩建，预计每月将新增约3.5万片8英寸晶圆产能，用于氮化镓、BCDMOS和碳化硅工艺的生产。扩建完成后，DB HiTek的晶圆月总产能将提升23%，从15.4万片增至19万片。

VisIC：

推出第2代氮化镓器件

据外媒近日报道，以色列厂商VisIC推出了第2代D3氮化镓650V功率器件，这是继第1代、第1+代后的又一次技术迭代。VisIC首席执行官Tamara Baksht表示：“通过降低RDS(ON)，新产品可帮助客户设计出更高效、紧凑且成本更优的的系统。”

据介绍，第2代D3氮化镓650V功率器件实现芯片尺寸较Gen 1+缩小33%，较第1代缩小50%，性能显著提升，专为下一代电动汽车逆变器、车载充电器和高效功率转换器设计，有助于提升续航、缩小冷却系统并降低总成本。

作为无晶圆厂供应商，VisIC现已制定了一条通过优化RDS(ON)性能来实现最大能效的技术路线图。VisIC还透露，单芯片顶部散热TC封装预计将于2025年底前上市，并联芯片的半桥功率模块也即将面世。

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来源：宽禁带联盟