摘要：在最新的2025财年第四季度及全年财报电话会议上，美光科技披露了DRAM与NAND闪存业务的关键进展。财报数据显示，公司该季度营收达113.2亿美元（较上季度的93亿美元增长显著），全年营收从251.1亿美元提升至373.8亿美元。目前，美光正通过下一代技术方

美光确认向客户交付业界最快 11 Gbps HBM4 DRAM 并与台积电合作研发下一代 HBM4E

在最新的 2025 财年第四季度及全年财报电话会议上，美光科技披露了 DRAM 与 NAND 闪存业务的关键进展。财报数据显示，公司该季度营收达 113.2 亿美元（较上季度的 93 亿美元增长显著），全年营收从 251.1 亿美元提升至 373.8 亿美元。目前，美光正通过下一代技术方案持续拓展性能边界。

在高带宽内存（HBM）领域，美光表示其 12 层堆叠的 HBM4 DRAM 方案按计划推进。为响应近期激增的性能需求，公司已完成业界最快 HBM4 解决方案的首批样片交付，该方案实现超 11 Gbps 引脚传输速率与 2.8 TB/s 带宽。美光强调，新款 HBM4 产品在性能与能效比上全面超越竞品。

“我们欣喜地看到，HBM 市场份额在本公历第三季度将再度增长，并与整体 DRAM 份额保持同步，兑现了我们连续多个季度的目标承诺。尽管 HBM4 对带宽和引脚速率的要求不断提升，美光科技的 12 层 HBM4 仍按计划支持客户平台的规模化量产。

近期我们已向客户交付 HBM4 样片，其 2.8 TB/s 以上的带宽与 11 Gbps 以上的引脚速率均达行业领先水平。我们坚信，美光 HBM4 凭借业界顶尖的性能表现与能效比，全面优于所有竞品。成熟的 1-γ DRAM 工艺、创新低功耗的 HBM4 架构、自研先进 CMOS 基底芯片及前沿封装技术，构成了这款标杆产品的核心竞争力。”

—— 桑杰・梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra），美光总裁兼首席执行官

除 HBM4 外，美光还披露了下一代 HBM4E 内存规划。与完全基于自研先进 CMOS 基底芯片的 HBM 不同，HBM4E 的基底逻辑芯片将与台积电合作制造，涵盖标准品与定制化产品。美光预计 HBM4E 将于 2027 年正式推出。

“针对 HBM4E，美光科技将提供标准产品及基底逻辑芯片定制服务。我们正与台积电合作，为标准品与定制化产品同步开发 HBM4E 基底逻辑芯片。定制化方案需与客户深度协同，预计搭载定制基底逻辑芯片的 HBM4E 将较标准品实现更高毛利率。目前美光 HBM 客户群已扩展至 6 家。

我们已与几乎所有客户达成 2026 年 HBM3E 主力供应的定价协议，正与客户积极磋商 HBM4 的规格与供货量，预计未来数月内将达成协议，售罄 2026 年剩余的全部 HBM 产能。”

在其他技术领域，美光透露已与英伟达深度合作推进服务器用 LPDDR 内存部署，成为数据中心领域 LPDDR DRAM 的独家供应商。针对 AI 与客户端产品的 GDDR7 内存，美光表示该技术未来迭代产品的引脚速率将突破 40 Gbps。目前英伟达是唯一在 GPU 中采用 GDDR7 的厂商 —— 美光最初发布的 GDDR7 产品引脚速率为 32 Gbps，40 Gbps 规格将实现 25% 的性能提升。

“通过与英伟达的紧密协作，美光率先推动 LPDRAM（低功耗 DRAM）在服务器领域的应用。自英伟达在 GB 产品系列中引入 LPDRAM 以来，美光始终是数据中心 LPDRAM 的独家供应商。除在 HBM 与 LP5（低功耗 DDR5）领域保持领先外，美光 GDDR7 产品亦占据优势地位 —— 其设计旨在通过超 40 Gbps 引脚速率实现极致性能，同时以顶尖能效比满足未来 AI 系统的特定需求。”

制程工艺方面，1-γ DRAM 节点实现创纪录的良率爬坡速度，较上一代工艺提升 50%。G9 NAND 技术量产进展顺利，将同步推进 TLC 与 QLC NAND 闪存方案的规模化应用。作为业界首个推出数据中心级 PCIe Gen6 SSD 的厂商，美光将持续基于 16Gb 1-γ DRAM 拓展解决方案矩阵。

来源：新浪财经