摘要：尤其是在AI算力暴涨的这两年，谁能把芯片堆叠得更高、贴合得更紧、传输得更快，谁就能把握未来。这背后其实是一项叫“混合键合”的技术正在悄悄改变局面。

HBM芯片的战场，不只在“芯”，还在“封”。几十年来，芯片行业在晶圆制程上进展飞快，但现在封装成了性能提升的关键环节。

尤其是在AI算力暴涨的这两年，谁能把芯片堆叠得更高、贴合得更紧、传输得更快，谁就能把握未来。这背后其实是一项叫“混合键合”的技术正在悄悄改变局面。

这场变化的起点是在高带宽内存（HBM）的快速发展中，HBM芯片本质上是一堆DRAM芯片竖着叠起来，中间通过键合技术连接。

在过去几年里，行业主流用的是热压键合（TCB），也就是靠热和压力，把带有凸点的芯片一层层压在一起。这种方式成本不是很低，但效果稳定。

问题出现在堆叠层数突破16层之后，传统的凸点结构开始限制互连密度，良率下降，信号也不稳定。这直接影响到带宽和功耗，而这两点正是AI芯片最看重的。

混合键合就这样诞生，它不需要凸点，而是通过铜-铜之间的直接连接，芯片之间贴合得更紧，连接更密，信号传输更快。

根据荷兰设备制造商Besi的数据，混合键合的互连密度能提高15倍，带宽密度提升191倍，能效也能提升超过100倍。

但这些提升不是免费的，截至到今年，全球还没有一家厂商真正实现混合键合设备的量产。一方面是技术难度高，对设备精度要求极高；另一方面是设备价格太贵。

韩美半导体董事长Kwak Dong-shin透露，一台混合键合设备的成本超过100亿韩元，差不多是传统TCB设备价格的两倍多。

虽然贵但它的技术潜力还是吸引了很多厂商积极投入，主要还是因为谁先搞定混合键合，谁就有话语权。Besi在这方面走得最早，今年上半年，其混合键合设备营收已比去年同期翻了一倍多。

而且去年4月，美国半导体巨头应用材料（AMAT）入股Besi，拿下了9%的股份，双方开始联合开发集成式混合键合系统。Besi负责精密贴合，AMAT负责前端晶圆处理，技术互补，这一动作直接把混合键合推向台前。

另一边，韩国成了这场技术竞争的核心战场。韩国有三星和SK海力士两大HBM厂商，自然也吸引了本土设备企业的激烈竞争。

韩美半导体目前在HBM3E的12层TCB设备市场中占有90%以上份额，是SK海力士和美光的核心供应商。早在2020年，他们就做出了第一台混合键合设备。

为了推动量产，韩美投资1000亿韩元在仁川建设新工厂，计划2026年完工，2027年实现商业化。

而这个时候，韩华半导体也在加快步伐，今年他们宣布完成第二代混合键合设备开发，还拿下了SK海力士805亿韩元的TCB设备订单。

两家公司原本就是竞争对手，现在在混合键合设备上正面交手，竞争变得更激烈了。

最主要的是韩国消费电子巨头LG，也不甘落后。他们联合仁荷大学、庆北科技园等机构，参与了韩国国家层面的“HBM混合键合机开发”项目，目标是2030年实现全面商业化。

这种“绕道进场”的打法，虽然进度不快，但背后有国家支持，长期潜力不容小觑。

还有一家低调却关键的角色——三星。三星旗下的设备子公司SEMES正在为自家HBM封装业务研发混合键合机，预计最快今年底或2026年初就能交付试产机型。

中国厂商也在积极跟进。2025年初，青禾晶元正式推出全球首台C2W&W2W双模式混合键合设备SAB8210CWW。虽然起步晚，但这种灵活的技术路径可能成为中国厂商的突破口。

根据Besi预测到2030年，全球混合键合设备市场将达到12亿欧元，尤其是从2026年开始，HBM5将逐步取代HBM3，成为主流产品。

从数据到动向信号已经非常明显，封装技术的改变不再是实验室里的事，而是实实在在的商业竞争。

从Besi与AMAT的合作，到韩美、韩华、LG、三星的角力，再到中国企业的奋力追赶，混合键合已不再是“未来技术”，而是正逐步成为未来产业升级的重要组成部分。

来源：老徐述往事