摘要：国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司申请一项名为“一种高精度的液口距测量方法”的专利，公开号CN 119737865 A，申请日期为2024年12月。

金融界2025年4月1日消息，国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司申请一项名为“一种高精度的液口距测量方法”的专利，公开号CN 119737865 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种高精度的液口距测量方法。包括以下步骤：固定视觉检测件的位置，使得视觉检测件获取单晶炉中导流筒下沿的特征点在硅熔液表面上倒影特征点P1 的图像；固定一参考液口距值，此时倒影特征点P1对应的像素坐标值为Y1；坩埚上下位移，且每次位移的距离为Δ mm，得到特征点P1＇对应的像素值Y1＇＝F( Δ mm)的近线型散点函数关系；基于近线型散点函数关系得到斜率K值，从而计算液口距的变化值Δ Gap，然后计算得到测量液口距，计算公式为：测量液口距＝Δ Gap+参考液口距值。基于该方法，进行固定液口距值下测量实验时，可以实现平均误差0.5mm内的液口距测量精度，从而控制单晶硅棒的品质。

天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币，实缴资本3035万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息219条，此外企业还拥有行政许可192个。

来源：金融界