SOT-MRAM,中国公司实现关键突破
SOT-MRAM(自旋轨道矩磁性随机存取存储器)以其纳秒级写入速度和无限次擦写次数,是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术,有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。然而,SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性,特别是传统方案从原理上导致刻
SOT-MRAM(自旋轨道矩磁性随机存取存储器)以其纳秒级写入速度和无限次擦写次数,是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术,有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。然而,SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性,特别是传统方案从原理上导致刻
SOT-MRAM(自旋轨道矩磁性随机存取存储器)以其纳秒级写入速度和无限次擦写次数,是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术,有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。然而,SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性,特别是传统方案从原理上导致刻
早在2018年,中微公司的5nm等离子体的刻蚀机就通过了台积电验证,并用于全球首条5nm制程芯片生产线,是唯一进入台积电产线的国产刻蚀设备生产商。与此同时,在2020年,中微公司的电容性等离子体刻蚀设备CCP就可应用于64层的NAND量产,并于2022年突破1
受人工智能、物联网、5G、自动驾驶等领域推动,全球半导体设备需求持续增长,尤其是在高端芯片制造、先进封装技术等领域。今年来,多个国家开始加大对半导体设备产业的布局,以确保在全球半导体产业链中的竞争力。市场来看,上游半导体设备竞争日趋热烈,中国、俄罗斯近期均传来
美日荷相继加大对华半导体设备出口限制,国产替代迫在眉睫。尽管中国是全球最大半导体消费市场,但本土化缺口明显,2023 年芯片自产率仅 20%、半导体设备国产化率为 35%、高端刻蚀机等关键领域国产化率不足 10%。随着国产晶圆厂的逆势扩张、海外制裁趋紧,本土半