摘要：随着人工智能（AI）计算带来更高的热能负荷，现有散热材料已难以满足需求，导致芯片性能下滑。 据台媒报道，台积电正广发“英雄帖”，号召设备厂与化合物半导体相关厂商参与，计划将12英单晶碳化硅（SiC）应用于散热载板，取代传统的氧化铝、蓝宝石基板或陶瓷基板。

随着人工智能（AI）计算带来更高的热能负荷，现有散热材料已难以满足需求，导致芯片性能下滑。 据台媒报道，台积电正广发“英雄帖”，号召设备厂与化合物半导体相关厂商参与，计划将12英单晶碳化硅（SiC）应用于散热载板，取代传统的氧化铝、蓝宝石基板或陶瓷基板。

近期媒体报道，台积电正号召设备与化合物半导体相关厂商参与，计划将12英寸单晶碳化硅应用于散热载板，取代传统的氧化铝、蓝宝石基板或陶瓷基板。

以往碳化硅主要应用在功率半导体、车用及储能领域，如今已进入新发展阶段，例如在AR智能眼镜镜片及高端3D IC封装中，需要碳化硅作为散热材料，尤其是应用在散热载板这个部分。

其中，3D IC封装的碳化硅应用有两个可能方向，首先是散热载板，将以导电型 SiC优先测试；下一阶段则可能在硅中间层导入半绝缘型 SiC。

碳化硅主要分为导电型（N型）与半绝缘型。 N型呈现黄绿色半透明，而半绝缘型则接近全透明。业界透露，当前6英寸SiC晶圆仍是主流、8英寸是未来扩产方向，台积电要求的12寸SiC若是作为中间层使用，对结构瑕疵的要求不像传统SiC那样严格，但中间层的关键在于切割技术，如果切割技术不佳，碳化硅的表面会呈波浪状，就无法用于先进封装。

日，这家总部位于比利时特森德洛 的纯代工厂宣布，正式推出面向耗尽型（D-Mode）器件的GaN-on-Si（硅基氮化镓）代工服务，并将其纳入现有的 XG035技术平台。对无晶圆厂设计公司而言，这意味着在 德国德累斯顿的 8 英寸产线 环境下，GaN-on-Si器件的原型验证与量产路径变得更为可及和可靠。

长期以来，GaN-on-Si因兼具高频率开关能力与低导通电阻，被视作下一代电力电子的核心材料。其紧凑的器件尺寸和高压适配性，能够覆盖电源转换、电动汽车充电、可再生能源并网以及数据中心电力管理等关键场景。然而，对许多设计公司而言，如何在稳定的产线环境中实现从样品到量产的跨越，始终是制约创新落地的难题。X-FAB此次的开放，正好补上了这一关键一环。

免责声明：

1、本号不对发布的任何信息的可用性、准确性、时效性、有效性或完整性作出声明或保证，并在此声明不承担信息可能产生的任何责任、任何后果。

2、本号非商业、非营利性，转载的内容并不代表赞同其观点和对其真实性负责，也无意构成任何其他引导。本号不对转载或发布的任何信息存在的不准确或错误，负任何直接或间接责任。

3、本号部分资料、素材、文字、图片等来源于互联网，所有转载都已经注明来源出处。如果您发现有侵犯您的知识产权以及个人合法权益的作品，请与我们取得联系，我们会及时修改或删除。

来源：Sug科技聚焦