摘要:国家集成电路产业投资基金(简称“大基金”)三期于2024年5月24日正式成立,注册资本3440亿元人民币,规模超过前两期总和(一期1387亿元、二期2042亿元)。与前两期相比,大基金三期的核心战略目标聚焦于“解决卡脖子问题”与“构建全产业链竞争力”,其投资方
一、国家大基金三期的战略定位与投资方向解析
国家集成电路产业投资基金(简称“大基金”)三期于2024年5月24日正式成立,注册资本3440亿元人民币,规模超过前两期总和(一期1387亿元、二期2042亿元)。与前两期相比,大基金三期的核心战略目标聚焦于“解决卡脖子问题”与“构建全产业链竞争力”,其投资方向呈现三个显著特征:
1、投资领域精准化
大基金三期明确将资金投向“先进晶圆制造”、“先进封装”、“关键设备及零部件”以及“AI相关芯片研发”四大领域。其中,半导体设备及零部件作为产业链中技术壁垒最高、国产化率最低的环节,成为优先级最高的投资方向。根据瑞银证券预测,半导体设备将是大基金三期最受益的子行业,预计设备相关投资占比可能达到30%-40%,对应资金规模超过1000亿元。
2、产业链协同强化
与一期聚焦制造、二期侧重设备材料不同,大基金三期更注重产业链上下游的协同效应。例如,在投资逻辑类晶圆厂(如中芯国际、华虹半导体)的同时,将同步加大对配套设备厂商(如北方华创、中微公司)的扶持力度,形成“晶圆厂扩产→设备采购需求上升→国产设备验证机会增加”的正向循环。
3、技术攻关前沿化
大基金三期首次将“HBM(高带宽存储器)”、“先进封装设备”、“光刻机核心组件”等尖端领域纳入重点支持范围。以HBM为例,这类高附加值存储芯片是AI算力的关键载体,但其制造需要超薄晶圆键合、高精度电镀等设备支持,目前国产化率不足5%。大基金三期通过资本注入,有望加速相关设备的研发突破。
二、半导体设备行业的投资逻辑与核心变量
半导体设备行业在2025年的投资价值由三大核心变量驱动:
1、全球半导体资本开支回暖
根据SEMI数据,2024年全球半导体设备市场规模达1130亿美元,同比增长8.4%;2025年预计进一步增长至1280亿美元。细分市场中,中国大陆晶圆厂资本开支占比超过30%,成为全球最大设备采购地区。以长江存储、长鑫存储为代表的存储厂商,以及中芯国际、华虹半导体等逻辑芯片制造商,2025年规划资本开支合计超过500亿美元,为国产设备厂商提供庞大市场空间。
2、国产替代进入深水区
截至2024年底,中国半导体设备国产化率约为25%,但结构性差异显著:
成熟制程设备:清洗设备(盛美上海)、刻蚀设备(中微公司)国产化率已超过40%;
先进制程设备:28nm以下光刻机、涂胶显影设备(芯源微)国产化率不足10%;
关键零部件:真空泵(汉钟精机)、射频电源(英杰电气)等核心部件仍依赖进口。
大基金三期通过股权投资、联合研发等方式,将重点支持国产化率低于20%的“卡脖子”环节。例如,北方华创在2024年通过并购芯源微9.49%股权,补全涂胶显影设备能力,形成“刻蚀+薄膜沉积+涂胶显影”全流程解决方案,这正是大基金推动产业链整合的典型案例。
3、技术迭代与政策红利共振
2025年半导体设备技术呈现两大趋势:
先进封装设备需求激增:随着AI芯片对3D堆叠、硅通孔(TSV)技术的依赖加深,电镀设备(北方华创Ausip T830)、临时键合设备(芯源微)的市场规模有望实现30%以上年复合增长;
设备智能化升级:AI驱动的缺陷检测(中科飞测)、工艺参数优化(华峰测控)等技术渗透率快速提升。
政策层面,除大基金三期外,财政部于2024年推出半导体设备采购补贴政策,对采购国产设备的晶圆厂给予15%-20%的购置税减免,进一步降低国产设备导入门槛。
三、重点投资标的分析
公司名称核心业务技术壁垒2024年营收(亿元)国产化率(2024)大基金投资预期北方华创刻蚀、薄膜沉积设备14nm逻辑芯片设备量产276-317.835%注资50-80亿元,推动并购整合中微公司刻蚀、MOCVD设备5nm以下介质刻蚀技术突破72.528%定向增发30-50亿元芯源微涂胶显影设备28nm Track设备量产17.715%通过北方华创间接持股富创精密设备结构件、真空腔体7nm工艺零部件认证通过24.312%战略投资10-15亿元华海清科CMP设备28nm逻辑芯片CMP设备市占率25%18.620%联合研发项目资助5-8亿元中科飞测量检测设备纳米级缺陷检测精度9.28%参股+订单补贴核心标的解析:
北方华创:作为国内唯一覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、退火四大工艺的设备平台,北方华创在14nm逻辑芯片设备领域已实现批量出货。2024年其12英寸电镀设备(ECP)突破TSV铜填充技术,填补国产空白。大基金三期可能通过注资支持其28nm以下先进制程设备研发,并推动与芯源微的深度整合。
中微公司:在介质刻蚀领域,中微公司的Primo AD-RIE设备已进入台积电5nm生产线验证阶段。大基金三期有望联合地方政府产业基金,为其7nm以下刻蚀设备研发提供资金保障,预计2025年刻蚀设备营收占比将提升至60%以上。
芯源微:涂胶显影设备(Track)是光刻工艺的核心配套设备,长期被日本东京电子垄断。芯源微通过自主研发,已在28nm节点实现量产,并开始向长江存储供货。北方华创的入股将加速其14nm设备的客户导入,预计2025年营收增速超过50%。
四、投资风险与应对策略
尽管大基金三期为半导体设备行业带来历史性机遇,但投资者需警惕以下风险:
1、技术验证周期风险: 半导体设备从研发到量产需经历“实验室验证→客户试用→量产导入”三阶段,平均周期3-5年。例如,中微公司的5nm刻蚀设备虽完成技术开发,但量产导入可能延迟至2026年。投资者需关注企业研发管线进度及客户验证公告。
2、地缘政治扰动风险: 美国于2024年12月将北方华创、拓荆科技等列入实体清单,限制其获取美国产零部件。尽管富创精密等企业已实现7nm部件国产化,但光刻机双工件台、EUV光源等尖端部件仍无法替代。建议优先选择供应链自主化率超过70%的企业。
3、行业周期性波动风险: 全球半导体设备行业呈现3-4年周期性波动,2025年处于上行周期,但需警惕2026年后可能的产能过剩。可通过关注晶圆厂资本开支指引(如台积电2025年资本开支计划同比+12%)预判行业拐点。
五、结论与展望
国家大基金三期通过“精准投资+产业链整合”双轮驱动,将加速半导体设备国产化进程。2025-2027年,刻蚀、薄膜沉积、量检测设备三大领域有望诞生全球前十的国产设备厂商。建议投资者沿两条主线布局:
平台型龙头:北方华创、中微公司,受益于全工艺覆盖能力及大基金直接注资;
细分赛道隐形冠军:芯源微(涂胶显影)、中科飞测(量检测),受益于国产替代深化及并购整合红利。
(免责声明:以上部分内容、数据、信息来源于网络,由本人基于公开信息收集汇总、编辑整理。其相关内容仅代表个人观点,仅供交流参考使用,不构成市场投资买卖操作依据。据此操作,盈亏自负,风险自担。市场有风险,投资需谨慎。)
来源:看见价值