摘要：今日，SEMICON China大会第一天，国产半导体设备商们展台人潮汹涌，热度爆棚，跟上海今天的温度一样火热。

神秘的明星半导体设备创企首秀，连发5款新品。

作者 | ZeR0

编辑 | 漠影

芯东西3月26日报道，今日，SEMICON China大会第一天，国产半导体设备商们展台人潮汹涌，热度爆棚，跟上海今天的温度一样火热。

国内半导体设备龙头北方华创发布首款12英寸电镀设备（ECP）Ausip T830，正式进军电镀设备市场，并在先进封装领域构建了包括刻蚀、去胶、PVD、CVD、电镀、PIQ 和清洗设备的完整互连解决方案。Ausip T830设备突破30多项关键技术，电镀膜厚均匀性满足客户要求，能够有效填充孔直径2-12微米，孔深16-120微米的多种孔型产品。

背靠深圳国资委的国内半导体设备新锐创企新凯来，展台更是火爆，首次展示其工艺装备、量检测装备等全系列产品，并发布外延沉积设备EPI（峨眉山）、原子层沉积设备ALD（阿里山）、物理气相沉积设备PVD（普陀山）、刻蚀设备ETCH（武夷山）、薄膜沉积设备CVD（长白山）等5款新品：

新凯来总部位于深圳，核心团队具备20年以上电子设备技术开发经验，致力于先进半导体工艺装备、量检测装备的开发与制造，在上海、北京、西安、武汉、成都、杭州等国内城市以及海外设有研发中心，建立了基础材料工艺-零部件-装备的端到端研发体系，服务逻辑、DRAM、NAND等客户。

该公司用山来命名各产品线：

以下是其工艺装备和量检测装备两大产品线介绍：

01.

18类工艺装备：

刻蚀、扩散、薄膜沉积

新凯来的工艺装备包括18类产品，其中刻蚀产品包括4款ETCH（武夷山），扩散产品包括3款EPI（峨眉山）、3款RTP（三清山），薄膜产品包括3款PVD（普陀山）、3款ALD（阿里山）、2款CVD（长白山）。

1、ETCH（武夷山）：12英寸刻蚀设备

ETCH（武夷山）包括4款，分别是武夷山1号（介质精细化刻蚀）、武夷山2号（高深宽比介质孔刻蚀）、武夷山3号（硅&金属精细化刻蚀）、武夷山5号（高选择比刻蚀）。

其中武夷山1号是电容耦合等离子体（CCP）干法刻蚀设备，腔室采用全对称架构设计，整机可配置6个工艺腔（PM），满足先进节点各类精细介质刻蚀场景需求，适用工艺包括接触孔刻蚀、硬掩膜刻蚀、双大马士革工艺等，适用材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。

武夷山3号为电感耦合等离子体（ICP）干法刻蚀设备，全对称、高流导架构设计，整机可配置6个工艺腔（PM），腔室特点包括高同步、百区ESC、定制化射频解决方案等，可满足先进节点各类精细硅及金属刻蚀场景需求，适用工艺包括栅极刻蚀、多重图形、鳍刻蚀等，适用材料包括硅、锗硅、氮化钛等。

武夷山5号为自由基干法刻蚀没备，氧化硅及硅选择性刻蚀组合解决方案，单腔设计，整机可配置6个工艺腔（PM），满足先进节点高选择性刻蚀场景需求，适用工艺包括伪栅去除、无定形硅去除、源漏极回刻等，适用材料包括硅、绪硅、氧化硅、氮化硅等。

2、EPI（峨眉山）：12英寸单片减压外延生长设备

峨眉山采用创新架构设计，全面覆盖逻辑及存储外延等应用场景，支持向未来先进节点演进。

（1）峨眉山1号：源漏极锗硅外延工艺，硼摻杂锗硅，硼摻杂锗硅镓等材料。

（2）峨眉山2号：源漏极磷硅外延工艺，磷硅、磷硅砷等材料。

（3）峨眉山3号：沟道外延、超晶格叠层外延、埋层外延工艺，锗硅、纯硅、纯锗等材料。

该产品采用多分区温控和流控系统设计，实现热流场精准调控，有效提高外延膜层均匀性；创新小腔室架构设计，搭配智能调度算法，实现资源高效利用，大幅降低运营成本。

其核心部件自主可控，与系统设计高度匹配，可达到最佳性能组合，有效提升设备稳定性。

3、RTP（三清山）：12英寸单片退火设备

RTP（三清山）系列包括3款，分别是三清山1号（超薄致密硅氧生长）、三清山2号（超浅源漏尖峰退火）、三清山3号（超快阱激活）。

（1）三清山1号：12英寸单片栅极氧化/氮化设备

三清山1号覆盖氧化/氮化/退火等逻辑及存储应用场景，具备精准温度控制和等离子体控制能力，适用工艺包括浅沟槽氧化、栅氧生长、高K材料退火、钛硅化物退火、ALD栅氧致密化等。

该产品的特点包括：采用智能温控算法及微米级精度磁悬浮技术，实现高均匀性氧化及退火工艺；低占空比射频技术、高精度检测技术及毫秒级匹配算法，支持低损伤浅表面氮化工艺；器件级同步技术及毫秒级控制环路技术，提升片间重复性；智能凋度算法及高效传输系统，大幅提升设备产能。

（2）三清山2号：12英寸单片超快尖峰退火设备

三清山2号覆盖尖峰退火/超快尖峰退火等逻辑及存储应用场最，具备大行程磁悬浮升降运动控制及背照式退火能力，适用工艺包括轻掺杂源漏退火、源漏退火、高K材料盖帽层退火等。

其产品特点包括：大行程磁悬浮升降技术及高吸收选择性反射板设计，有效降低尖峰退火工艺热预算；非对称式多区边缘补偿技术及智能温控算法，实现高均匀性退火工艺；器件级同步技术及毫秒级控制环路技术，提升片间重复性；智能开环温控算法及自适应热预算匹配设计，大幅提升工艺开发效率。

（3）三清山3号：12英寸单片均温/尖峰退火设备

三清山3号覆盖均温退火/尖峰退火等逻辑及存储应用场景，具备低热预算调控及超低温退火能力，使用工艺包括阱退火、深N阱退火、源漏退火、钴硅化物退火、镍硅化物退火等。

其产品特点包括：高吸收选绎性反射板设计及近表面氮冷流场控制技术，实现低热预算灵活调控；辐射式超低温测温技术及选择性透射石英窗技术，实观超低温退火工艺；器件级同步技术及毫秒级控制环路技术，提升片间重复性。

4、PVD（普陀山）：12英寸物理气相沉积设备

PVD（普陀山）包括3款设备，分别是普陀山1号（金属平面膜沉积）、普陀山2号（中道金属接触层及硬掩膜沉积）、普陀山3号（后道金属互连沉积）。

普陀山1号适用于逻辑、存储及先进封装等主流半导体金属平面膜应用场景，键膜均匀性高，同时具备高产能与高稳定性。

（1）普陀山1号AIOx：刻蚀阻挡层工艺，氮化铝材料。

（2）普陀山1号TTN：衬垫层、扩散阻挡层、硬掩模等工艺，钛、氮化钛等材料。

（3）普陀山1号SiN：DRAM位线电极封盖层工艺，氮化硅材料。

（4）普陀山1号W：DRAM位线工艺，钨材料。

其产品特点包括：全靶腐蚀算法搭配创新磁控溅射技术，显著提升膜层均匀性和靶材利用率；智能调度算法，提升多腔集成系统产能；创新人机交互界面，操作简单。

普陀山2号适用于逻辑、存储等主流半导体中道金属接触层及硬掩膜等应用场景，颗粒缺陷低，同时具备高性能与高稳定性。

（1）普陀山2号TiSi：中道金属硅化物工艺，钛、氮化钛等材料。

（2）普陀山2号Co Seed：中道钴种子层，钴、氮化钛等材料。

（3）普陀山2号VHF TiN：中后道硬掩膜，氮化钛材料。

其产品特点：高离化率射频等离子体技术，搭配卡盘偏压智能调控设计，确保卓越台阶覆盖率；创新甚高频射频源极架构，融合自适应抑弧算法，大幅减少Arcing和Particle；全流程磁控管设计快速迭代，高效适配客户工艺开发需求。

普陀山3号适用于逻辑、存储和先进封装等主流半导体后道金属互连场景，架构领先，填孔品质优异，支持向未来先进节点演进，适用工艺包括后道金属互连，使用材料包括钽、氮化钽、钴、铜等。

其产品特点：多重电磁调控与高离化自电离等离子体技术，实现高质量金属填孔；创新磁控管轨迹规划和新型烘烤灯设计，实观全靶腐蚀与快速复机，助力客户降低运营成本；10个主腔体配置，平台架构灵活应对多元应用场景，一代设计支持多代制程。

5、ALD（阿里山）：12英寸原子层沉积设备

ALD（阿里山）设备有3款，分别是阿里山1号（PEALD，高保形性介质薄膜原子层沉积）、阿里山2号（Thermal ALD，介质刻蚀阻挡层薄膜沉积）、阿里山3号（Metal ALD，高深宽比金属栅极原子层沉积）。

阿里山1号搭配五边形平台和Twin腔领先架构，覆盖先进逻辑/存储前中后段介质薄膜应用场景，满足图形化，超薄薄膜，超高深宽比gap fill需求。其适用工艺包括多重曝光、栅氧化层、刻蚀阻挡层、超高深宽比填充层，适用材料包括低温氧化硅、高温氧化硅、高质量氧化硅、氧化钛、氮化硅等。

阿里山1号的特点包括：超高速射频匹配以及毫秒级采样控制系统，保障成膜稳定性和一致性；小体积腔室+快速换气，提高等离子体密度，确保高速、高均匀性薄膜沉积；高精度控温花洒，降低Particle，提升MTBC；高集成化腔室+高速Wafer传输系统设计，增加Station密度，提高WPH。

阿里山2号具备单腔4-Station领先架构，覆盖先进逻辑刻蚀阻挡层薄膜应用场景，支持向未来先进节点演进，适用工艺包括刻蚀阻挡层，适用材料包括氮化铝、氧化铝等。

其产品特点包括：高均匀流热场腔室设计保障成膜均匀性；高精度射频系统搭配Sequential Process工艺模式保障成膜一致性；单腔4-Station先进架构搭配智能凋度算法保障生产稳定高效；高均匀温控花洒，腔室全量吹扫功能，延长腔室PM周期。

阿里山3号可全面覆盖逻组和存储金属原子层沉积应用场景，具备创新架构和领先性能，多种工艺高度集成，金属栅极全场景覆盖。

（1）阿里山3号NWF：金属栅N功函数层（含盖帽层）工艺，钛铝、氮化钛等材料。

（2）阿里山3号HK Cap：高介电常数介质盖帽层（含尖峰退火）工艺，钛硅氮材料。

（3）阿里山3号：金履栅P功函数层工艺，氮化硅材料。

（4）阿里山3号：刻蚀阻挡层工艺，氮化钽材料。

（5）阿里山3号：金属栅极填充工艺，钨材料。

其产品特点包括：高均匀流热场设计，保障成膜均匀性；智能调度算法、毫秒级控制系统，实现产品一致性、稳定性；快速换气、零死区设计，减少Particle，提升MTBC；更大的工艺窗口，更卓越的性能与良率。

6、CVD（长白山）：12英寸化学气相淀积设备

CVD（长白山）有2款设备，分别是长白山1号（PECVD，介质薄膜沉积）和长白山3号（高保形性&选择性金属薄膜沉积）。

长白山1号具备单腔4-Station领先架构，全面覆盖還辑及存储介质薄膜多种工艺，适用工艺包括扩散阻挡层、抗反射层、硬掩膜层、层间介质层、钝化保护层等，适用材料包括掺杂碳化硅、掺氮氧化硅、掺碳氧化硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、氟化玻璃等。

其产品特点包括：高均匀流热场腔室设计保障成膜均匀性；高精度射频系统搭配Sequential Process工艺模式保障成膜一致性；单腔4-Station先进架构搭配智能调度算法保障生产稳定高效；宽范围工艺位可调、宽RF系统匹配能力，满足多种制程工艺需求。

长自山3号全面覆盖逻辑和存储金属化学气相沉积应用场景，具备创新架构和领先性能，多种工艺高度集成。

（1）长白山3号Co：后段Cu覆盖层工艺，钴材料。

（2）长白山3号Sel W：中段Via填充层工艺，钨材料。

（3）长白山3号W：金属栅层W填充、中段Via填充层工艺，钨材料。

其产品特点包括：创新架构提供更大工艺窗口，确保卓越性能与质量；稳定可靠晶座、防Arcing和零死区混气设计，保证工艺一致性、长期稳定；智能调度算法与毫秒级控制系统实现稳定生产和高效产出。

02.

13类量检测装备：光学量检测、

光学量测、PX量测、功率检测

新凯来已完成13类关键量检测产品开发，并在国内逻辑、存储和化合物的主要半导体制造企业开始量产应用。

1、BFI（岳麓山）：明场有图案晶圆缺陷检测产品

BFI产品采用自研深紫外宽谱等离子体光源、大NA物镜和高速探测器，为逻辑、存储客户提供高灵敏度、高产率、高检出率的有图案晶圆纳米级缺陷检测解决方案。

其应用场景覆盖研发独特缺陷和量产良率关键缺陷检测，包括但不限于桥接、断线、颗粒、残留、划痕和欠蚀；光刻工艺参数优化，包括但不限于光学邻近效应修正迭代、光刻窗口鉴别。

岳麓山产品有四大特点：

（1）高产率：高功率照明，大视场，高速探测器。

（2）高灵敏度：深紫外光源，大NA物镜，高动态范围成像。

（3）高检出率：高精准定位，先进缺陷检测算法。

（4）高适应性：多种光学模式覆盖前、中、后道各种关键类型缺陷。

2、DFI（丹霞山）：暗场有图案晶圆缺陷检测产品

DFI产品采用自研大NA三通道收集物费和大功率深紫外连续激光，为逻辑、存储客户提供高灵敏度、低损伤、高产率的有图案晶圆纳米级缺陷检测解决方案。

其应用场景包括：全场景高灵敏、高检出随机缺陷检测；在线光刻显影后缺陷检测；工艺设备状态监控。

丹霞山的产品特点包括：

（1）高灵敏度：大功率深紫外连续激光，兼顾高散射效率与低损伤优势。

（2）高检出率：大NA三通道缺陷散射信号收集，检出率高。

（3）高适应性：高性能算法，独特的通道融合降低晶圆圈形噪声。

（4）高产率：高速、高精度探测器，优异的整机动力学。

3、PC（蓬莱山）：无图案晶圆表面缺陷检测产品

PC产品采用自研低噪声探测器、高功率深紫外激光、高速旋转台，为IC厂、晶圆、设备、材料的研发与量产提供高产率、极致灵敏度的无图案缺陷检测解决方案。

应用场景包括晶圆出货及进货质量检查；镀膜工艺研发及监控，包括但不限于外延、氧化物、氮化物、金属、光刻胶等；工艺设备日常颗粒监控。

其产品特点包括：

（1）高灵敏度&高产率：低噪声探测器，高性能光学系统，像素级融合算法。

（2）高适应性：多种偏振、光阑等光学模式，支撑各类膜层检测。

（3）高检出率：多重检测算法，通道融合，机器学习。

（4）多维数据分析：智能化缺陷来源定位，高效控片管理。

4、MBI（莫干山）：空白掩模缺陷检测产品

MBI产品采用自研大NA三通道物镜，超高洁净控制等技术，为客户提供高员教度、高检出率和高产率的全场最空白掩模敏路检测解决方案。

其应用场景包括掩模基板厂和光罩厂工艺过程控制、出货检、来料检和设备颗粒监控；支持掩模基板、掩模背面、镀膜层和光刻胶全场景检测；覆盖颗粒、污染、凸起、凹坑和划痕等多种缺陷类型。

莫干山的产品特点包括：

（1）高灵敏度&高产率：大NA三通道收集物镜，高均匀性照明，高速探测器。

（2）高检出率：自适应阈值及多通道融合算法。

（3）高洁净度：超高洁净度控制技术，极低发尘率材料及运动部件设计。

（4）高适应性：照明与收集偏振调制，具备傅里叶滤波的周期性图形掩模检测能力。

5、DBO（天门山）：衍射套刻量测产品

DBO产品采用自研高亮宽谱光源、大NA物镜和低噪声探测髁，为客户提供高产率、高精度和高重复性的套刻量测解决方案。

其应用场景包括逻辑和存储显影后套刻量测，SWL、 MWL、 XYS等多种量测模式，多种量测标记。

天门山的产品特点：

（1）高产率：高亮光源，高速滤波，多波长产率高。

（2）高精度＆高重复性：对称光路设计，多模态照明模式。

（3）高适应性：近红外波段拓展，自适应套刻算法。

（4）智能高效：自动菜单创建，全局快速量测条件寻优。

（5）端到端解决方案：标记设计，套刻数据分析，无缝集成工艺闭环控制。

6、IBO（天门山）：图形套刻量测产品

IBO产品采用自研高亮宽谱光源、高像质物镜和低噪声深测器，树立高产率、高精度和高重复性的图形套刻量测标杆。其应用场景包括广泛工艺的显影后套刻量测，SG、DG、XYS、CPL等多种量测模式，多种量测标记。

其产品特点包括：

（1）高产率：高亮光源，混合自动对焦架构，提供更高产率。

（2）高精度&高重复性：宽光谱连续滤波，高量测信噪比。

（3）高适应性：近红外波段拓展，自适应套刻算法。

（4）智能高效：自动菜单创建，全局快速量测条件寻优。

（5）端到端解决方案：标记设计，套刻数据分析，无缝集成工艺闭环控制。

7、AFM（沂蒙山）：原子力显微镜量测产品

AFM产品具备全自动表面形貌和结构量测能力，为客户提供高产率、高精度和高可靠的亚纳米级至毫米级量测解决方案。

其应用场景包括：逻辑、存储、化合物和封装的平坦化、干/湿法刻蚀、沉积和扩散等工艺后的量测；粗糙度、浅孔、尺寸、平面度、凹陷/腐蚀、台阶、晶粒和粘附力等多样化量测；AFM与台阶仪二合一，扩展台阶量测至毫米级。

沂蒙山的产品特点包括：

（1）高产率：高速工件台和快速光学定位系统，实现更高产率。

（2）高精度：极致平面度的长行程扫描器，实现轮廓精准量测。

（3）高可用：全自动探针更换和寿命管理，提升设备在线时间，节省探针成本。

（4）高效率：离线数据分析软件，直观高效数据后处理。

8、XPS（赤壁山-XP）：X射线光电子能谱量测产品

XPS产品具备全自动光电子能谱量测能力，为客户提供高产率，高精度和高再现性的超薄膜厚度与元素含量量测解决方案。

其应用场景包括离子氨化、金属栅极、超薄介质、侧壁隔离和外延等工艺后的量测；大小光斑量测模式，支持无图案和有图案晶圆量测；XPS与低能量X射线荧光能谱二合一，使能超晶格共价化合物（硅-锗）薄膜量测。

赤壁山-XP产品特点包括：

（1）高产率：高通量的X射线光源和光路设计，支撑高产率。

（2）高精度：优异的系统信噪比，量测结果更精确。

（3）高再现性：全自动健康自检自校，确保量测结果常稳可靠。

9、XRD（赤壁山-XD）：X射线衍射量测产品

XRD产品具备全自动外延表征能力，为客户提供高产率、高精度和高重复性的多样化量测解决方案。

其应用场景包括：单晶和多晶薄膜材料的晶体质量和相位分析，高分辨X射线衍射、微焦斑高分辨X射线衍射、快速微焦斑高分辨X射线衍射、广角散射、掠入射X射线衍射、极图、面内X射线衍射和X射线反射等多种量测模式；大小光斑量测模式，支持无图案和有图案晶圆量测。

赤壁山-XD有如下产品特点：

（1）高产率：优异的X射线光路和五轴台设计，有效提升产率。

（2）高精度：高分辨测角仪，保证量测精度。

（3）高重复性：可靠稳定的硬件系统，支撑量测高重复性。

（4）高灵活性：多种量测模式自动切换，灵活适配多种薄膜材料应用。

10、XRF（赤壁山-XF）：X射线荧光光谱量测产品

XRF产品具备全自动X射线荧光光谱量测能力，为客户提供高产率，高再现性和高灵活性的薄膜厚度与元累含量量测解决方案。

其应用场景包括扩散阻隔、金属栅板和金属沉积等工艺后的膜厚量测；硼磷硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃、氟硅酸盐玻璃和合金薄膜的膜厚与元素含量量测；单层和复杂多层金属膜厚量测。

赤壁山-XF的产品特点有：

（1）高产率：优异的真空和高效的传片设计，实现高产率。

（2）高再现性：全自动健康自检自校，确保量测结果常稳可靠。

（3）高灵活性：波长色散与能潜色散X射线荧光二合一，灵活适配高产率和高分辨应用场景。

11、RATE-CP：晶圆电性能检测产品

CP产品主要应用于碳化硅晶圆电性能检测，为客户提供高规格、高集成、高兼容的自动化检测解决方案。其应用场景包括搭配探针台，支持晶圆自动化电性能检测和筛选；搭配夹具，支持单管静态电性能检测和筛选。

其产品特点包括：

（1）高规格：高电压、大电流、高精度。

（2）高集成：支持DC、RGCG、EAS等多种检测。

（3）高兼容：适配各类型探针台，支持研发和量产检测。

（4）高稳定：系统级抗干扰与智能算法结合，实现数据稳定可靠。

12、RATE-KGD：功率Die电性能检测产品

KGD产品具备功率Die动静态电性能检测能力，为容户提供高规格、高效率、高兼容的自动化检期解决方案，应用场景包括功率Die电性能检测和筛选。

其产品特点如下：

（1）高规格：高电压，大电流、超低杂感、超高精度。

（2）高效率：创新Handler架构实现更高UPH，支持快速换线.

（3）高兼容：支持多种芯片尺寸、多种上下料方式；

（4）高精度：支持微米级六面外观检测；

（5）高灵活性：支持按工艺流程、多Site需求灵活部署。

13、RATE-FT：功率单管和模组电性能检测产品

FT产品具备功率单管和模组动静态电性能检测能力，为客户提供超低杂散电感、超高精度、高效率的自动化检测解决方案，应用场景包括中大功率单管电性能检测和筛选、功率模组电性能检测和筛选。

其产品特点包括：

（1）高规格：高电压、大电流、超低杂感、超高精度。

（2）高效率：支持多管井测配套高速Handler实现高UPH，支持快速换线。

（3）高可靠：极速过流保护，多重安全防护。

（4）高兼容：支持多种封装单管和模组检测，支持上顶和下压等多种场景。

（5）高灵活性：支持一线多站按需配置，支持客户极简应用开发。

来源：芯东西