摘要：相关ETF方面，科创芯片ETF盘中冲高，现涨超1%，成交额超8亿元，溢折率0.04%。成分股方面，思瑞浦涨超5%，澜起科技、芯原股份、佰维存储等跟涨；源杰科技、芯源微、芯动联科小幅下跌。

3月18日，A股三大指数集体高开，创业板指涨逾1%，存储芯片概念股异动。上证科创板芯片指数（588200，下称“科创芯片指数”）高开强势。

相关ETF方面，科创芯片ETF盘中冲高，现涨超1%，成交额超8亿元，溢折率0.04%。成分股方面，思瑞浦涨超5%，澜起科技、芯原股份、佰维存储等跟涨；源杰科技、芯源微、芯动联科小幅下跌。

消息面上，继闪迪此前通知4月1日将上调NAND闪存报价后，由于三星电子、SK海力士进行减产，美光日前新加坡NAND厂发生跳电，导致NAND供货转趋吃紧，美光、三星电子、SK海力士等厂商均将从4月起提高NAND闪存报价。NAND价格回涨速度高于原先预期。

科创芯片ETF跟踪科创芯片指数，该指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本，前十大重仓股包括寒武纪-U、海光信息、中芯国际、中微公司、澜起科技等。

此外，科创芯片ETF还配备了场外联接基金（A类：017469；C类：017470）。

华福证券表示，供需节奏错位可能是存储价格上涨的主要原因。在供给端，从去年末以来，三大存储原厂不断释放减产的信号。在需求端，AI资本开支骤增加大了对存储的需求规模。AI大模型包括训练和推理环节都对算力提出了更高的要求。数据中心对于高带宽存储（HBM）、大容量DDR5及企业级SSD的需求也在快速激增。存储供需缺口扩大有望反转过往对于存储市场的悲观预期，给存储板块带来新一轮投资行情。

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来源：打工人加油Come