【高峰论坛】氧化镓专场报告，邀您共话氧化镓技术产业化破局之路

摘要：7月15日-17日，“2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛”将于安徽省芜湖市盛大召开。论坛将聚焦宽禁带半导体产业链耗材-设备-材料-外延-器件-应用上中下游全产业链，设有产业链协同发展的关键技术突破、宽禁带半导体应用场景新拓展

7月15日-17日，“2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛” 将于安徽省芜湖市盛大召开。论坛将聚焦宽禁带半导体产业链耗材-设备-材料-外延-器件-应用上中下游全产业链，设有产业链协同发展的关键技术突破、宽禁带半导体应用场景新拓展、氧化镓技术研发与产业发展、高端智能传感器技术发展与创新四大专场，深入探讨宽禁带半导体产业链协同发展的新路径，为宽禁带半导体产业的未来发展贡献智慧与力量。

会议安排

氧化镓（Ga₂O₃）凭借其超高的临界击穿场强、优异的化学稳定性和低成本制备潜力，正成为下一代功率电子器件与光电探测领域的核心材料。当前，全球氧化镓技术已进入从实验室研究向产业化应用的关键跨越期，其在大功率转换、深紫外探测、核辐射监测等领域的突破性进展，正为能源革命、智能电网、航空航天等战略领域注入新动能。

氧化镓技术与产业发展专场由宽禁带半导体技术创新联盟和亚洲氧化镓联盟共同举办，邀请到八位来自高校、研究机构及产业一线的重要嘉宾，将从战略规划、材料突破、器件攻坚、应用拓展到产业化实践五大维度，深度解析氧化镓技术的最新进展与产业生态构建路径。氧化镓专场在促进氧化镓领域的技术交流、成果共享与产业合作，为氧化镓产业链协同创新提供新思路，推动我国在超宽禁带半导体领域蓬勃发展！诚邀学术界、产业界、投资界及政策研究机构同仁共聚一堂，共绘氧化镓发展蓝图！

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专场概览

齐红基

杭州光机所所长

杭州富加镓业科技有限公司董事长

报告方向：氧化镓产业化推进路径

齐红基，研究员二级，博士生导师，上海光机所学术委员会委员，中国科学院青年创新促进会优秀会员，科技部重点研发计划首席专家，省先进光电功能材料工程研究中心副主任、半导体材料与器件方向学术带头人。主要从事光电功能材料领域研究，主持国家及省部级项目20余项，在国际期刊发表论文150余篇，国内外授权专利近百项，其中国际授权专利16项，兼任中国光学学会光学材料专委会秘书长、中国晶体学会晶体应用与产业分会理事、中国稀土学会稀土晶体专业委员会理事等。

龙世兵

中国科学技术大学

教授，微电子学院常务副院长、执行院长

报告方向：氧化镓材料和器件方向

龙世兵，中国科学技术大学教授、博士生导师，中国科学技术大学微电子学院常务副院长、执行院长，从事微纳加工、阻变存储器、超宽禁带半导体器件（功率器件及探测器件）、存储器电路设计等领域的研究。国家杰出青年科学基金获得者，IEEE高级会员。在IEEE EDL、Adv. Mater.、Nat. Commun.等国际学术期刊上发表论文100余篇，SCI他引5500余次。申请专利100余项，主持国家自然科学基金、科技部（863、973、重大专项、重点研发计划）、中科院、广东省等资助科研项目20多项。参与获得国家技术发明奖二等奖、国家自然科学二等奖、中国科学院杰出科技成就奖。

叶建东

南京大学教授，博士生导师

电子科学与工程学院副院长

报告方向：氧化镓材料和器件方向

叶建东，2006年至2015年分别于新加坡微电子研究所任职Senior Research Engineer和澳大利亚国立大学QE II Fellow。2010年于南京大学电子科学与工程学院任职教授、博导。长期从事氧化镓超宽禁带半导体材料与器件研究。作为通讯作者近5年发表80余篇高水平论文，主/参编专著4本，授权发明专利14件。主持国家重点研发计划、基金委杰青/重点/优青、江苏省杰青、江苏省重大科技专项、江苏省重点研发计划等。第一完成人获江苏省科学技术二等奖和澳大利亚QE II研究奖等。

李炳生

东北师范大学教授

报告主题：新型多级沟槽氧化镓功率器件的研究

李炳生，2002年博士毕业，获得凝聚态物理专业博士学位。2002-2019年先后在日本产业技术综合研究所，美国纽约城市大学，东京大学，哈尔滨工业大学从事半导体薄膜外延及其光电子器件方面的研究。2019年3月份特聘教授人才引进到东北师范大学，开展宽带隙薄膜MOCVD氧化物和氮化物外延及其光电器件方面的工作。已经发表科技文章100多篇，申请专利30多项。

袁俊

九峰山实验室

研究员、功率器件负责人

袁俊，湖北九峰山实验室功率器件负责人，专注于化合物半导体材料及芯片技术的研究。

周弘

西安电子科技大学

领军教授

报告主题：百安及千-万伏氧化镓功率器件研究进展

周弘，西安电子科技大学郝院士团队领军教授、国家人才项目获得者。主要研究领域为宽禁带半导体射频功率和高压器件。获国防和陕西省技术发明奖一等奖2项(均排名2)，入选全球前2%顶尖科学家和中国高被引学者。以一作或通讯作者身份发表了包括Nat. Comm.、IEEE TIE/TPE/EDL/TED等领域顶级期刊及IEDM/VLSI领域顶级会议论文100余篇，学术引用超过7500次，ESI高被引论文10篇。研究成果被CompoundSemiconductor、Semiconductor Today、Electronic Component News、PhySiCs Or、Nano werk等领域知名杂志报道十余次。

麻尧斌

中国电子信息产业发展研究院集成电路研究所制造研究室

副主任高级工程师

报告主题：科技创新和产业创新融合背景下金属氧化物半导体将为宽禁带半导体产业发展注入新动能

麻尧斌，2020年1月毕业于北京交通大学光电子技术研究所，获电子科学与技术博士学位，博士期间主要研究方向为氧化物半导体材料体系的薄膜晶体管机理研究、器件设计及工艺开发。现任工业和信息化部中国电子信息产业发展研究院集成电路研究所制造研究室副主任，长期从事半导体器件与工艺、集成电路制造和光电子领域的技术与产业研究工作。

周磊簜

西安交通大学微电子学院

副教授

报告主题：氧化镓半导体核辐射探测器研究进展

周磊簜，九三学社成员，西安交通大学微电子学院副教授，博士生导师。主要从事新型宽禁带半导体核辐射探测技术及宽禁带半导体辐照损伤及其可靠性研究。2017年开展氧化镓半导体核辐射探测器研制及性能研究，突破氧化镓半导体核辐射探测器单粒子测量技术难题；目前主要致力于超临界流体技术对氧化镓材料及其器件表界面态调控研究。近三年以第一或通讯作者发表SCI论文14篇。

*以上排名不分先后