摘要：不过大家都清楚，虽然全球的芯片技术如此之先进，但中国大陆的芯片制造技术却落后好几代，目前我们公开的技术还在14nm，至于没公开的大家猜测最多也就是等效7nm。

目前，全球最先进的芯片技术是3nm，而预计今年能实现2nm。

不过大家都清楚，虽然全球的芯片技术如此之先进，但中国大陆的芯片制造技术却落后好几代，目前我们公开的技术还在14nm，至于没公开的大家猜测最多也就是等效7nm。

为什么会落后几代呢？其中最关键的设备就是光刻机，因为按照大家常规的理解，在实现7nm以下的芯片技术中，必须要用到EUV光刻机。

这种光刻机只有荷兰的ASML才能够制造，而美国不允许它卖给中国，所以中国至今都没有一台这样的EUV光刻机，所以，这严重卡住了我们进入7nm以下芯片的脚步。

但是近日有专家指出，事实上生产7nm以下的芯片，并不一定就需要EUV光刻机，使用浸润式DUV光刻机，甚至能够制造2nm芯片。

首先大家要明白一个道理了，2nm芯片并不一定是真正的2纳米，以台积电的2nm技术为例，台积电的2nm芯片，其最小（金属）半节距为 10nm，这个才是最关键的指标。

而先进的浸润式DUV光刻机，其能达到的分辨率，一般是38 nm。

用这种浸润式DUV光刻机，来直接制造2nm芯片，肯定是不行的的，38nm地分辨率对10nm的半节距，肯定达不到要求。

但目前业界有几种多重曝光方案，比如双重图案化 (SADP)，还有三重曝光方案（SATP），这两种技术，在业界其实普遍在采用了。

采用浸润式DUV光刻机，可以先进行三重曝光方案（SATP），再叠加双重图案化 (SADP)，就相当于6重对准曝光了，那么38nm分辨率的浸润式DUV，实际可以缩小至6分之1，也就是6.3 nm 半间距，小于2nm芯片的10nm半节距。

所以理论上来讲，确实是可以做到的。浸润式光刻机之父林本坚也曾经表示过，浸没式DUV光刻技术最高可以实现六重光刻模式。

不过，这样的缺点就是不仅耗时，而且价格昂贵，还会影响整体良率，在有EUV光刻机的情况之下，没有谁会这么干，但如果没有EUV光刻机，那也不是不能干。

目前，我们没有EUV光刻机，但浸润式DUV光刻机还是不缺的，所以大家不必太过于担心，其实我们在付出一些成本、效率的代价的情况之下，其实也不是不能进入到5nm、3nm、2nm工艺的。

来源：互联网乱侃秀