长鑫存储申请熔丝电路及芯片控制方法专利,实现可控制的熔丝写入等过程 确保芯片正常启动

B站影视 2025-01-28 18:21 1

摘要:国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“熔丝电路及芯片控制方法”的专利,公开号CN 119360927 A,申请日期为2023年7月。

金融界2025年1月28日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“熔丝电路及芯片控制方法”的专利,公开号CN 119360927 A,申请日期为2023年7月。

专利摘要显示,本发明涉及一种熔丝电路及芯片控制方法。所述熔丝电路包括:控制信号生成模块,被配置为接收时钟信号和数据信号,根据所述时钟信号对所述数据信号进行采样、解码生成控制信号;控制模块,与所述控制信号生成模块连接,被配置为根据所述控制信号对熔丝单元进行对应操作;熔丝阵列,与所述控制模块连接,包括阵列排布的多个所述熔丝单元,每个所述熔丝单元包括一个选择晶体管和一个可击穿的电容。本发明可以实现可控制的熔丝写入、读取和广播过程,确保芯片的正常启动。

天眼查资料显示,长鑫存储技术有限公司,成立于2017年,位于合肥市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币,实缴资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析,长鑫存储技术有限公司参与招投标项目377次,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可45个。

来源:金融界

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