摘要：存储模组厂十铨召开法说会，总经理陈庆文表示，受惠于AI服务器持续强劲需求、原厂产能高度集中于HBM与高阶DDR5，加上PC与笔电升级需求带动DDR4拉货潮，公司预期第三季DRAM价格仍将续涨，涨幅约3%至5%，第四季价格则应持稳，全年内存价格应不会下跌。

存储模组厂十铨召开法说会，总经理陈庆文表示，受惠于AI服务器持续强劲需求、原厂产能高度集中于HBM与高阶DDR5，加上PC与笔电升级需求带动DDR4拉货潮，公司预期第三季DRAM价格仍将续涨，涨幅约3%至5%，第四季价格则应持稳，全年内存价格应不会下跌。

而在NAND Flash方面，尽管需求尚未全面复苏，但受限于原厂减产，价格也维持上行趋势。

综合产品线、价格与市场需求等观察，公司对第二季与第三季营运展望偏向乐观态度。

库存方面，十铨指出，目前整体DRAM与NAND Flash的库存水位约为三至四个月，部分主力产品会拉高至四至五个月。

DRAM库存中，DDR5占54%、DDR4占44%、DDR3则剩2%。

公司表示，DDR4在工控与产业用电脑等领域仍有大量需求，因此自去年第三、第四季起已开始增加DDR4库存以因应。

近期市场上DDR4价格走扬，主因是三大原厂陆续减产、规划停产DDR4，进一步使供给趋紧。

十铨指出，尽管市场仍可见DRAM颗粒每Gb单价2.7美元的DDR4模组，但实际供货吃紧，部分工控客户已转向DDR5。

目前仍有80％工控应用停留于DDR4，转换速度不会过快，为支应该需求，公司持续拉高DDR4库存。

来源：随性自由的溪流qJt一点号