摘要：X-FAB Silicon Foundries推出了新一代XbloX平台XSICM03，推进了功率MOSFET的SiC工艺技术，显著降低了单元间距，从而在不影响可靠性的前提下增加了每片晶圆的裸片数量，并提高了导通电阻。

来源：雅时化合物半导体

经简化的SiC工艺有望加快定制功率MOSFET的开发

X-FAB Silicon Foundries推出了新一代XbloX平台XSICM03，推进了功率MOSFET的SiC工艺技术，显著降低了单元间距，从而在不影响可靠性的前提下增加了每片晶圆的裸片数量，并提高了导通电阻。

XbloX是X-FAB的业务流程和技术平台，用于加速先进SiC MOSFET技术的开发。它集成了合格的SiC工艺开发模块和用于平面MOSFET生产的模块，从而加快了原型设计，简化了设计评估，缩短了产品上市时间。

该公司表示，这一方法使设计人员能够创建多样化的产品组合，同时比传统开发方法提前9个月实现生产。

这一新一代平台在保持稳健的工艺控制以及漏电和击穿器件性能的同时，缩小了有源区域设计单元的尺寸。XSICM03平台采用稳健的设计规则，使客户能够创建单元间距比上一代产品小25%以上的SiC平面MOSFET。与上一代产品相比，这一改进可使每片晶圆的裸片数量增加30%。

X-FAB Texas的首席执行官Rico Tillner解释道：“我们的新一代工艺平台采用了简化方法，满足了汽车、工业和能源应用对高性能SiC器件日益增长的需求。我们通过加速原型设计和设计评估，帮助现有客户和新客户创建应用优化的产品组合，从而大幅缩短了产品上市时间。”

现可抢先体验新一代平台XSICM03。

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来源：CSC化合物半导体