摘要：今年以来，存储芯片市场开启了一场波澜壮阔的“超级周期”。截至10月30日，A股存储器指数近三个月已暴涨59.42%，7只概念股股价实现翻倍。其中，江波龙市值突破1000亿元，累计涨幅高达210.89%；德明利上涨160.95%，香农芯创更是狂飙275%。

一条内存条的价格涨幅超过黄金，小米创始人雷军公开感叹“内存涨价实在太多”，A股存储概念正迎来史诗级行情。

今年以来，存储芯片市场开启了一场波澜壮阔的“超级周期”。截至10月30日，A股存储器指数近三个月已暴涨59.42%，7只概念股股价实现翻倍。其中，江波龙市值突破1000亿元，累计涨幅高达210.89%；德明利上涨160.95%，香农芯创更是狂飙275%。

这场由AI革命驱动的存储芯片涨价潮，正以不可阻挡之势席卷全球。三星、SK海力士等国际存储巨头计划在第四季度将DRAM和NAND闪存价格上调高达30%，远超此前市场预期。

01 价格狂飙，存储芯片迎来“超级周期”

存储芯片市场的火爆程度，可能远超普通人想象。

从9月开始，存储芯片价格便开始攀升，进入四季度后涨势进一步加速。市场上甚至传出消息，部分DRAM和Flash产品已停止报价，或者“一天一个价”。有业内人士直言，存储芯片的涨幅甚至超过了黄金。

全球存储巨头纷纷亮出涨价牌。三星电子、SK海力士等主要内存供应商将在第四季度继续上调报价，幅度上，包括DRAM和NAND在内的存储产品价格将上调高达30%。

这一涨幅明显高于市场预期——9月下旬，三星的计划还只是将部分DRAM价格上调15%至30%，NAND闪存价格上调5%至10%。

价格数据的背后，是整个行业的景气度飙升。研究机构CFM数据显示，仅在2025年上半年，DRAM综合价格指数就大幅上涨了47.7%，NAND Flash综合价格指数上涨了9.2%。进入10月份，512Gb Flash Wafer的价格累计涨幅超过了20%。

连小米创始人雷军也在10月24日发微博直言：“最近内存涨价实在太多”。这句感慨，道出了整个电子产业面临的压力与机遇。

02 七股翻倍，A股存储概念集体狂欢

存储芯片价格的暴涨，迅速传导至A股市场，引发了一场资本盛宴。

Wind数据显示，截至10月30日，近3个月存储器指数已上涨59.42%。在这场存储概念的狂欢中，七只个股表现尤为抢眼，实现了股价翻倍：

江波龙成为最大赢家，累计上涨210.89%，总市值达1186亿元，市盈率181倍。这家曾经的“存储一哥”发布了与HBM应用互补的创新内存SOCAMM2产品，能显著降低AI的推理延迟。

香农芯创涨幅惊人，达到275%，总市值596亿元。公司表示，作为分销商，上游采购价格上涨，分销给下游的价格也会随之上涨，存储的市场波动对其毛利变化影响不大。

德明利上涨160.95%，总市值513亿元；普冉股份和东芯股份均涨超110%，总市值分别为202亿元和428亿元。

此外，大为股份近期表现同样亮眼。自10月21日以来，6个交易日内已录得4个涨停板。从今年4月低点算起，其股价已在半年多的时间内上涨161%。

这些公司的共同特征是业绩与估值双双提升。江波龙前三季度财报显示，营业收入同比增长26.12%，归属于上市公司股东的净利润同比增长27.95%，呈现出典型的“戴维斯双击”特征。

03 AI驱动，超级周期背后有深意

与以往不同，本轮存储芯片涨价潮被业内视为“超级周期”的启动，而非普通的周期性波动。

AI技术的爆发性增长是这一结构性转变的核心驱动力。摩根士丹利研报指出，AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计将开启持续数年的“超级周期”。该机构预测，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进。

AI的蓬勃发展带来了海量算力需求，这对存储芯片，特别是高性能的HBM（高带宽内存）提出了更高要求。HBM是AI芯片模块的主存储器，英伟达、亚马逊、谷歌和AMD这四家自主研发AI芯片的公司占据了HBM需求的95%。

美光公司首席商务官苏米特·萨达纳道出了关键：DRAM价格上涨部分原因是供应紧张，而这一趋势很大程度上是由HBM需求激增推动的，因为HBM消耗的晶圆容量是标准DRAM的三倍多。

与此同时，各大终端厂商在下半年集中推出手机、PC、AI眼镜等智能终端设备新品，进一步刺激了对大容量、高性能存储的需求。需求端的爆发，恰逢供给端的收缩——TechInsights的10月统计数据显示，第三季DRAM平均库存降至8周，低于去年同期的10周与2023年初的31周，市场供应快速吃紧。

04 国产崛起，全球格局悄然生变

在这场由AI引发的存储“超级周期”中，中国存储企业正迎来历史性机遇。

国际存储巨头将主要产能和研发重心转向利润更丰厚的HBM等高端产品，并相继宣布减产，这为国内存储厂商腾出了发展空间，特别是在利基型产品端的国产替代。

中国存储企业的技术突破令人振奋。长鑫科技子公司长鑫存储近期宣布已量产高端移动存储芯片LPDDR5X产品，覆盖最高达10667Mbps速率，这一速率与SK海力士去年10月量产的同规格产品完全对标，已达到业界先进水平。

长江存储则计划重点推进3D NAND芯片产能爬坡，力争到2026年占据全球NAND闪存市场15%的份额。其自主研发的Xtacking架构已实现232层以上堆叠3D NAND Flash量产，产能设备国产化率达45%。

资本市场也在为国产存储助力。国家外汇管理局近期推出的跨境贸易便利化措施，进一步优化了存储芯片企业的跨境资金使用效率。在存储芯片进口替代加速的背景下，政策支持为国产化进程注入了强心剂。

一位关注存储芯片的行业分析师指出，尽管目前全球存储产能格局仍呈现高度集中的状态，但中长期看，随着国内存储企业的技术迭代，全球存储市场被巨头垄断的格局可能被打破，逐渐走向更加充分竞争的产业态势。

05 前景可期，超级周期还能持续多久？

面对如此火热的存储市场，投资者最关心的问题是：这场“超级周期”还能持续多久？

行业内的头部玩家纷纷表示乐观。SK海力士CEO郭鲁正近日在一场活动上公开表示，“对明年存储器半导体市场持乐观态度”。

全球第二大存储模组厂商威刚董事长陈立白更为乐观，他认为“2025年第四季度才是起点，明年产业荣景可期”。

多名知名存储分析师也预测，DRAM和NAND Flash市场目前均出现缺货现象，预计今年四季度及2026年行业价格将进一步上涨。公开信息显示，三星、SK海力士等存储原厂正计划将2025年第四季度DRAM的合约价格上调15%到30%。

从供需关系看，TrendForce预计，由于三大DRAM原厂持续优先分配先进制程产能给高阶服务器DRAM和HBM，同时受各终端产品需求分化影响，今年四季度旧制程DRAM价格涨幅将依旧可观，预计整体价格将环比增长8%~13%，HBM价格环比增长13%~18%。

国泰君安证券在10月发布的研报中指出，存储行业已进入新一轮上行周期，随着大模型训练和推理对内存容量的需求激增，HBM和DDR5内存的紧缺将进一步传导至整个存储产业链。

存储芯片的“超级周期”不仅仅是价格的上涨，更是AI时代数据爆发的必然结果。随着人工智能从训练走向推理，从云端走向终端，对存储芯片的需求将从单纯的容量增长转向“容量+性能”的双重提升。

在这场技术革命中，中国存储企业凭借国产替代的东风和技术创新的双轮驱动，正迅速缩小与国际巨头的差距。从HBM到LPDDR5X，从长江存储到长鑫科技，中国存储芯片的自主可控之路越走越宽。

存储芯片的超级周期，或许才刚刚开始。

你对这轮存储芯片涨价潮有什么看法？你认为哪家中国存储企业最有潜力成为国际巨头？欢迎在评论区分享你的观点！

温馨提示：投资有风险，入市需谨慎。本文仅为个人观点，不构成投资建议。

来源：岩间滴落的水滴