摘要：1nm工艺刚被视为“圣杯”，BEUV就已经加速赶来，把圣杯当成入门标准。半导体这条路，没有终点，有的是一次次“重定义的可能”。

1nm工艺刚被视为“圣杯”，BEUV就已经加速赶来，把圣杯当成入门标准。半导体这条路，没有终点，有的是一次次“重定义的可能”。

重新定义未来的，不再是熟悉的EUV，更不是传统微缩，而是BEUV Beyond EUV，真正跨入电子物理极限的下一个技术平台。

EUV用的是13.5纳米极紫外光，BEUV就是下一代的“超极紫外”，直接把波长腰斩至6.7纳米。它的光子能量直接翻倍，达到惊人的185eV，已经不止是紫外了，而是进入了软X射线领域。

之前的EUV已经极其苛刻，连阿斯麦都搞了十几年才量产。BEUV要解决的问题，只有更复杂，没有最复杂。

BEUV可以让芯片精度向“原子尺度”逼近。1nm？不好意思，在BEUV面前，不过是“开胃菜”。

从产业节奏看，台积电正全力推进1nm节点准备，其A10制程已在工艺对接中。它依然基于EUV技术，即便是ASML最新款EXE系，也只能支持到0.55NA+13.5nm光源=理论线宽2nm左右。

1nm已经压榨到了EUV的极限，再往下，ASML也没法靠13.5nm搞定。这个时候BEUV就成了“接棒者”。

可别小看这一步跨越，它不仅仅是光刻技术的升级，而是一整套材料、能源、镜头、光刻胶乃至物理机制的全面改造。

BEUV到底难在：

第一关，光源系统。EUV的13.5纳米光是用高功率CO₂激光轰击锡（Sn）靶材，制造出LPP等离子体辐射得到的。如今BEUV这么搞不通了，波长太短，能量太高，锡根本不够用了。

目前被重点研究的靶材是钆（Gd）、铽（Tb）、铽赫（Ho）等稀土金属，它们的4f轨道跃迁正好对应185eV，完美匹配6.7nm波长。这不是玄学，是纯粹的量子物理原理。

稀土原子质量大，轰击后容易产生高动能碎片，对反射镜破坏性更强。

第二关是反射光学系统。EUV用的多层钼/硅镜，在13.5nm处反射率最高。BEUV必须用新型多层拉铌（La/B）反射镜，最多也就70%反射率。加上光源衰减、镜片污染，这个系统的耐用性与寿命，是生死问题。

第三关是光刻胶。EUV使用的是有机光刻胶，在92eV能量下还能维持灵敏度，但到了185eV，有机胶几乎完全“透明”，要曝光量提升5倍！必须转向无机材料。

现在被看好的方向是金属氧化物类胶体，铪（Hf）、锆（Zr）、钛（Ti）等氧化物掺杂MOF框架，有望成为BEUV的光刻胶基础配方。这不是科幻，这是目前材料化学正在做的事。

BEUV就是光源、反射镜、光刻胶三杀重修，不破不立。

能做到什么程度，业界真实期待是“原子级制造”

基于6.7nm波长，配合Index Approximation Quadruple Patterning（IAQP）等多重图图工艺，BEUV理论上可以做到1.125nm线宽精度，大概是5个硅原子的长度！

从7nm到5nm砸钱如水，从3nm到2nm难如登天，而1nm对现有EUV来说，已经是最终章。但对BEUV而言，只是地板线。

这个精度打开的不是芯片性能，而是量产层级的原子精度控制能力。

AI芯片的高密度低功耗集成、深度神经网络推理模块的异构加速、甚至空间计算、量子模拟在CMOS层级的实现……BEUV一旦站得住脚，那就是人类芯片工业的另一个宇宙大门。

整套BEUV光源系统的生死点在稀土。中国拥有全球最多、最全的稀土矿产资源储备，钆、铽、铽赫等关键元素我们不仅不缺，部分还有国际价格定价权。

未来BEUV时代，谁掌握合理的稀土靶材提纯工艺，谁就能跟ASML对话。不再是纯客户，而是“技术一环”的焦点。

目前国内已有企业在试图推进稀土光源模块化设计、开展低碎片等离子源控制研究。虽然尚未临门一脚，但全球历史证明：技术的下一跳，往往不是从现有领头羊那里来。

据VLSI 2025会议披露，中国高校与企业已经在以“Hot Carrier 机制”优化稀土激发效率的路径上取得进展。北京大学甚至在触点和BEOL金属层同步图案控制方案中嵌入了BEUV对接的设计标准。

欧美方面，IME（比利时微电子中心）也公布其Complementary FET适配1nm BEUV节点的新器件结构，力图在电性能、电压控制与散热平衡上突破。

ASML虽然当前尚未公布正式BEUV光刻机型号，但早前技术路演中已明确提到“Soft X-Ray 系统正在联合研发中”。

美国加州同步辐射中心近期也披露与Lam Research合作开发新型“稀土靶材LPP装置”，计划在2027年前进入工程化验证。

这是全球共振，不是单点突围。

不能再玩“等你领跑我跟随”的游戏了，BEUV时代，中国必须要有定义权、标准权、话语权。

路径有产业端重构组合。中科院、北大、华为、中芯国际等要打破机构壁垒，快、狠、准地成立BEUV专项联合研发平台，对准的是靶材精制、镜层沉积与光胶三线并发。

政策端给出产学研一体化激励机制，实施类似“02专项”的新一代光刻技术跳跃攻坚项目。

聚焦稀土靶材主控话语，为全球布局提供配套，不卖生矿、只输出靶丸制备+控制软件+激光束调控系统。

总结

谁说中国人不可能定义下一代技术，机会就在眼前，关键看你敢不敢下注。

从7nm到3nm，我们追了十年，从3nm到1nm，我们还有机会卡位，从1nm到0.Xnm，全是BEUV的主场，今天不动明天就彻底失声。

半导体是技术的财富战，更是未来国家的战略游戏。

下一个技术大爆发，不在4G/5G芯片，不在算力堆料，而是在6.7nm的光里，看谁能过这BEUV的“炼狱十关”。

别等ASML公布BEUV代工机型才叫“风口”，那时候账单也摆在桌子上了。

赶在前面，才有话语权；等在后面，只剩买单的份。

来源：老孙市井聊