摘要：就板块指数来看，截至昨天，Wind存储器指数已经录得月线5连阳，累计涨幅接近90%，而板块中的个股如香农新创、江波龙、德明利等，近期均已经实现了3倍以上甚至更多的涨幅。值得注意的是，除了A股之外，其他外围市场的存储芯片股价同样一路上涨，诸如美股的闪迪、美光科技

文 | 付一夫

盘点近期市场表现最好的板块，存储芯片必然能占得一席。

就板块指数来看，截至昨天，Wind存储器指数已经录得月线5连阳，累计涨幅接近90%，而板块中的个股如香农新创、江波龙、德明利等，近期均已经实现了3倍以上甚至更多的涨幅。值得注意的是，除了A股之外，其他外围市场的存储芯片股价同样一路上涨，诸如美股的闪迪、美光科技、西部数据等存储芯片巨头的股价都实现了数倍的涨幅。

为何存储芯片能够表现如此耀眼呢？本文将尝试给出答案。

先来简单介绍一下何为存储芯片。

顾名思义，存储芯片是数据存储的重要载体，也是芯片半导体产业当中极为重要的一环，应用范围广且市场占比高，其规模长期占整个集成电路市场的1/4，仅次于逻辑芯片，为集成电路第二大细分市场。

品类层面，根据断电后存储的信息是否保留，存储芯片可以分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片，其中易失性存储芯片的代表性产品有 DRAM和SRAM，非易失性存储芯片则是以NAND Flash和NOR Flash为主流。而在市场层面，国外厂商凭借先发优势以及在终端市场的品牌优势，占据了大部分的市场份额，行业头部厂商三星电子、美光科技、海力士、铠侠、西部数据等已经在各自领域形成了寡头垄断的竞争格局。

由于存储芯片标准化程度高，可替代性强，带有大宗商品属性，其价格受下游需求的影响较为敏感，因此具备极为明显的周期性。自2012年以来，存储芯片行业大体经历了四轮涨跌周期：

第一轮（2012~2015）：由于iPhone 4/4s的横空出世，智能手机行业被引爆，拉动了市场对于存储芯片的需求，各大存储厂商纷纷扩产，致使市场供过于求，价格由涨转跌，随即步入下行周期。

第二轮（2016~2019）：随着安卓手机实力的日益增强，市场又开启了一轮提升内存和存储空间的追逐战，其间三星、SK海力士、美光等主要存储厂商纷纷将产能转向3D NAND，DRAM在需求提振同时面临产能不足，导致价格上涨。而后的周期下行主要是各大厂商3D NAND扩产后，PC、服务器端需求动能不足，整体上出现供大于求的局面。

第三轮（2020~2023）：2020年初，全球公共卫生事件的爆发引发居家办公需求的大幅度增加，继而拉动PC、服务器等市场需求量的提升；而5G终端的更新也为存储下游增长开辟出新的空间。但受到公共卫生事件反复、国际形势不确定性增强等多方面原因，下游需求持续疲软，叠加行业库存产能严重过剩，致使存储芯片价格持续下跌，部分细分领域产品甚至在2023年突破历史低点。

第四轮（2024年至今）：自2024年起，受一系列因素影响，存储芯片价格开始步入上行区间。进入2025年以来，国际巨头纷纷宣布提价，其中美光率先打响了“第一枪”，宣布产品价格上调20%到30%；紧接着，闪迪也跟风喊出10%的涨幅，随后行业就像多米诺骨牌被推倒一般，三星、SK海力士、铠侠等巨头纷纷表态，宣布将对自家存储芯片产品的价格进行上调。就连央视对此都进行了相关报道。这也是近期存储芯片板块股价持续大涨的根源所在。

近期存储芯片市场的持续涨价，背后主要原因有以下两点。

一方面，AI需求的大爆发所致。

本轮存储芯片涨价的根本动力来自于AI技术革命带来的需求结构性变化。与传统消费电子需求不同，AI应用的不断发展，客观上对于存储芯片的性能和容量提出了更高要求，尤其是高带宽内存（HBM） 和服务器DRAM需求呈现井喷式增长。有行业数据显示，2025年AI服务器对HBM的需求量从2024年的30万颗激增至120万颗，增长率高达300%。单台AI服务器的DRAM容量是普通服务器的8倍，NAND需求达到普通服务器的3倍，这种“吞噬式需求”彻底改变了存储市场的传统供需逻辑。

另一方面，行业供需格局的演变也是重要因素。

AI服务器需求的爆发性增长，造成了存储芯片供需的结构性失衡。具体而言，HBM作为AI GPU的核心组件，其生产消耗的晶圆容量是标准DRAM的3倍以上。在总产能增长有限的情况下，存储芯片巨头为追求更高利润（HBM毛利率高达50%-60%，远超传统DRAM的30%水平），纷纷将先进产线资源转向HBM和DDR5，大幅挤压了传统DRAM（如DDR4）和NAND Flash的产能。

例如，三星、SK海力士和美光等巨头已陆续宣布停产或大幅削减DDR4产能，将资源集中于HBM和服务器级DDR5产品；其中，美光2026年底前的HBM产能已全部预售，SK海力士12层堆叠HBM3e产品即便良率仅75%，其2026年产能也被英伟达、AMD等企业锁定。如此一来，这种产能转移不仅减少了传统存储芯片的供应，还在很大程度上导致了半导体产业链的整体紧张，进而引发了整个存储芯片市场的价格上涨。

正因上述原因，近两年存储芯片的价格才得以持续稳步上行。根据TrendForce数据，2025年第四季度DRAM合约价预计单季度增长13%-18%，NAND Flash价格涨幅达5%-10%。具体到产品类型，HBM价格表现尤为强劲，2025年HBM单颗价格突破5000美元，同比上涨500%。三星、SK海力士等厂商已正式通知客户，将在2025年第四季度把DRAM和NAND Flash芯片价格上调最高达30%。

有意思的是，为了应对“越涨越缺”的市场局面，下游客户的采购策略正悄然发生变化，多家国际电子和服务器公司正与原厂磋商“2-3年”的中长期供货协议，同时也摒弃了以往按季度或年度签约的传统。这种采购模式的变革反映了市场对长期供应紧张的预期，如此反而进一步强化了存储芯片价格上涨的持续性。

综合上述分析可知，本轮存储芯片涨价并非传统的周期性波动，而是一场由AI技术革命驱动的结构性变革；其核心逻辑在于AI需求爆发性地增长，彻底重塑了存储芯片的供需格局，并引发了产业链的连锁反应。

值得注意的是，市场普遍预期，接下来存储芯片涨价周期仍将持续。

有分析表明，由于原厂产能调整需要时间，且AI需求依然旺盛，DDR4等产品的紧缺状态预计至少会持续到 2026年上半年，这也意味着本轮存储芯片涨价趋势也至少会延续至2026年上半年。而摩根士丹利研报更是指出，本轮存储芯片涨价非短期现象，预计会开启一个持续数年的“超级周期”。

这样看来，随着存储芯片产品的持续涨价，相关厂商的业绩也将得到持续性改善，继而有望引发存储芯片板块业绩与估值的“戴维斯双击”。再叠加国产替代、自主可控的宏大叙事背景，存储芯片板块着实有机会出现一波大级别上涨行情。

就目前来看，板块上涨趋势已成，有行业周期和基本面等因素作为支撑，后续板块只要回调，都应视为“倒车接人”的机会。感兴趣的投资者不妨予以关注，逢低买入，或许能有不错的收获。

来源：付一夫