摘要：近日，三星电子宣布一项重大技术突破与未来愿景，就是计划将鳍式场效应晶体管（FinFET）制程技术应用于NAND Flash快闪存储器生产上。此动作被解读为三星为应对人工智能（AI）对更大容量NAND Flash快闪存储器的需求所做的准备。不过，这项技术属于未来

近日，三星电子宣布一项重大技术突破与未来愿景，就是计划将鳍式场效应晶体管（FinFET）制程技术应用于NAND Flash快闪存储器生产上。此动作被解读为三星为应对人工智能（AI）对更大容量NAND Flash快闪存储器的需求所做的准备。不过，这项技术属于未来技术，实际应用仍需一段时间。

此前FinFET主要用于晶圆代工（Foundry），预计搭载3D DRAM。这次三星宣布将FinFET应用于NAND Flash快闪存储器的计划，是产业界的首次。

三星电子DS部门技术长Song Jae-hyuk在SEDEX 2025主题演讲时表示，三星目前正致力于技术创新，目标是在晶体管必须堆叠的单位面积内，实现客户所期望的性能和功率。当中，FinFET技术正是这项创新战略的核心之一。FinFET是一种3D结构的制程技术，由于其结构类似鱼鳍（Fin），因此得名FinFET。其三星导入该技术的主要目的，就是为了克服传统平面（2D）结构的限制。

目前，FinFET主要应用于逻辑晶圆制造领域。这次三星宣布将FinFET应用于NAND Flash闪存的计划，是产业界的首次。而半导体界普遍认为，一旦FinFET应用于NAND Flash闪存，与现有的闪存相较，集成度将大幅提升。而且，在密集度越高的情况下，就能够在越小的空间内能容纳越多的元件，进一步显著提高性能。

三星指出，高密集度带来的优势涵盖多个方面，包括：信号传输速度更快、容量更高、功耗降低、芯片尺寸缩小，这也意味着NAND Flash在性能、能效、容量提升的同时，可以更有效地利用空间。

FinFET是一种三维晶体管结构，因其形状类似鱼鳍而得名。该技术此前主要应用于逻辑芯片的代工制造，如CPU、GPU等，以提升性能并降低功耗。三星此次计划将其引入NAND闪存生产，尚属全球业界首次，标志着存储芯片技术进入新阶段。

三星表示，随着传统平面（2D）结构逐渐逼近物理极限，3D堆叠技术已成为提升存储密度的关键。而FinFET的引入，将进一步优化晶体管的控制能力，显著提升单位面积内的集成密度。更高的集成度意味着在相同芯片尺寸下可容纳更多存储单元，从而实现更大容量和更快速的数据传输。

此外，FinFET技术还有助于降低功耗、提升信号传输速度，并缩小芯片整体尺寸，为智能手机、笔记本电脑及数据中心等设备提供更高效、更紧凑的存储解决方案。尽管该技术目前仍处于规划阶段，尚未投入量产，但其潜在优势已引发业界广泛关注。

随着AI和大数据应用的快速发展，对高性能存储的需求持续攀升。三星此举不仅展现了其在半导体技术上的领先布局，也为未来NAND闪存的演进方向提供了新的可能。

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来源：裴裴科技智慧