摘要：传统分立器件组合的电路方案往往存在外围器件多、驱动设计复杂、PCB面积占用大等问题。随着氮化镓功率器件的不断成熟，厂商们逐渐将驱动与功率管集成，推出半桥氮化镓芯片。这类产品通过高度集成化的设计，有效简化了系统架构，同时还在效率、开关速度以及功率密度方面展现出优

传统分立器件组合的电路方案往往存在外围器件多、驱动设计复杂、PCB面积占用大等问题。随着氮化镓功率器件的不断成熟，厂商们逐渐将驱动与功率管集成，推出半桥氮化镓芯片。这类产品通过高度集成化的设计，有效简化了系统架构，同时还在效率、开关速度以及功率密度方面展现出优势，非常适合应用于电机驱动、开关电源、快充、光伏逆变器及车载电源等高性能场景。

目前，已有多家国内外厂商在650V等高压半桥GaN领域推出产品，并在不断丰富其型号和应用。本文将梳理十大厂商的代表性半桥GaN芯片，结合其主要参数与技术特点，为读者提供一个系统性的参考。

充电头网总结了十大厂商推出的多款高压氮化镓芯片，并汇总如上表所示。

文中排名不分先后，按企业首字母顺序排列。

梵塔FCG65N150QF氮化镓合封器件创新性地集成了半桥驱动器、两个对称半桥配置的650V耐压、150mΩ导阻的GaN晶体管，同时将自举二极管一并内置，外围精简，大幅削减了占板空间，并从根源上削弱了寄生效应对电路性能的影响。

FCG65N150QF具备无反向恢复损耗的优良特性，且开关延迟短，匹配误差小。芯片内置稳压器，低高两侧均配备UVLO保护功能，助力芯片的稳定工作，提升内置GaN工作效率，确保系统安全、高效运转。此外，该芯片支持可编程死区时间，用户能够依据实际产品需求精准、灵活配置，有效提升了使用的便利性与适配性。

该芯片拥有工业级别的-40~125℃的耐受区间，搭配紧凑的QFN 9×9mm封装，结构紧凑且受恶劣环境影响小。凭借此优势，该产品能广泛且适配地应用于半桥、全桥、LLC以及AHB电路，以及对体积要求苛刻的高功率密度PD适配器、笔电适配器等多种场景。

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IGI60L1111B1M 集成了一个半桥功率级，由两个110 mΩ/600 V增强型 CoolGaN开关 和集成栅极驱动器组成，封装在紧凑的6 x 8 mm TFLGA-27封装内。在低至中功率应用场景下，该器件非常适合用于支持高功率密度电机驱动和开关电源的设计，充分利用 CoolGaN功率开关优异的开关特性。

英飞凌的 CoolGaN及相关功率开关 具备非常坚固的栅极结构。当在导通状态下由数 mA 的连续栅极电流驱动时，总能保证实现最低导通电阻 Rdson。

英飞凌推出的半桥氮化镓集成功率级芯片 IGI60F1414A1L，适合低功率至中功率范围、小型轻量化的设计应用。外观为8x8 QFN-28封装型式，针对散热效能进行强化，可为系统提供极高的功率密度。此产品包含两个 140 mΩ / 600 V CoolGaN 增强型 （e-mode） HEMT 开关以及英飞凌 EiceDRIVER系列中的电气隔离专用高低侧栅极驱动器。

隔离栅极驱动器拥有两个数字 PWM 输入，让 IGI60F1414A1L 更易于控制。为了达到缩短开发时间、减少系统物料清单项目和降低总成本等目标，利用集成隔离功能、明确分隔数字和电源接地以及简化PCB配置等，皆是不可或缺的要素。

栅极驱动器采用英飞凌的单芯片无磁芯变压器（CT）技术，将输入与输出有效隔离。即便在电压上升或下降速率超过150 V/ns的超快速切换瞬时下，仍可确保高速特性和杰出的稳定性。

英飞凌 IGI60F1414A1L的切换特性可以简易地根据不同的应用借由一些栅极路径的被动元件诸如阻容器件实现。例如，此特性可使电流或电压速率优化，以降低电磁干扰（EMI）效应、稳态栅极电流调整和负栅极电压驱动，在硬切换开关应用中稳定运行。

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应用案例：

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IGI60L1414B1M 集成了一个半桥功率级，该功率级由两个140 mΩ/600 V增强型CoolGaN开关与集成栅极驱动器组成，封装于小巧的 6 x 8 mm TFLGA-27 封装中。在低到中功率应用领域，它非常适合用于支持高功率密度的电机驱动和开关电源的设计，充分利用CoolGaN功率开关优异的开关特性。

英飞凌的CoolGaN及相关功率开关 提供了非常稳健的栅极结构。当其在“导通”状态下由几 mA 的连续栅极电流驱动时，总能保证最小的导通电阻 Rdson。

IGI60L2727B1M 集成了一个半桥功率级，该功率级由两颗600 V / 270 mΩ增强型 CoolGaN开关与集成栅极驱动器组成，封装为小尺寸 6 x 8 mm TFLGA-27。在低到中等功率应用领域，它非常适合用于高功率密度电机驱动和开关电源的设计，充分发挥CoolGaN功率开关卓越的开关特性。

英飞凌的CoolGaN及相关功率开关提供了非常稳健的栅极结构。当在“导通”状态下由连续的毫安级栅极电流驱动时，器件始终能够保证最小导通电阻 Rdson。

IGI60L5050B1M 集成了一个半桥功率级，该功率级由两个500mΩ/600V增强型CoolGaN开关与集成栅极驱动器组成，封装在紧凑的6 x 8 mm TFLGA-27封装中。在低到中功率应用领域，该器件非常适合用于设计 高功率密度的电机驱动和开关电源，充分利用 CoolGaN功率开关优异的开关性能。

英飞凌的CoolGaN及相关功率开关提供了非常坚固的栅极结构。在“导通”状态下，当以数 mA的连续栅极电流驱动时，始终可以保证其具备最小的导通电阻Rdson。

ISG6102是一款耐压700V，导阻150mΩ的半桥氮化镓功率芯片，支持9-80V的输入电压而无需额外的低压差线性稳压器，能够维持6V栅极驱动电压，集成的智能栅极驱动器提供可编程的一级开启速度以控制转换速率，并延迟二级开启增强，从而实现高频率、高效率和低EMI性能。内部集成无损电流感应，具有可编程的开关启动斜率，支持零反向恢复电压，采用QFN6x8封装。

ISG6103是一款耐压700V，导阻230mΩ的半桥氮化镓功率芯片，内置高压线性稳压器、智能栅极驱动器和无损电流检测电路，支持9-80V的输入电压而无需额外的低压差线性稳压器，能够维持6V栅极驱动电压。集成的智能栅极驱动器提供可编程的一级开启速度以控制转换速率，并延迟二级开启增强，从而实现高频、高效率和低EMI性能，采用QFN6x8封装。

英诺赛科ISG6106是一款耐压700V，导阻100mΩ的半桥氮化镓功率芯片，内部集成了高压线性稳压器、智能棚极驱动器和无损电流检测电路，支持最高80V输入而无需额外的LDO需求，并可保持6.5V的栅极驱动电压。

ISG6106可耐受700V连续电压，800V的瞬时电压，静态电流仅有115μA，支持自动待机模式，支持零反向恢复电荷，高频操作可达2MHz，集成5V LDO用于供电数字隔离器，内置的智能栅极驱动器提供可编程开关以控制转换速率，采用QFN6x8封装。

英诺赛科ISG6107是一款耐压700V，导阻150mΩ的半桥氮化镓功率芯片，内部集成了高压线性稳压器、智能棚极驱动器和无损电流检测电路，支持最高80V输入而无需额外的LDO需求，并可保持6.5V的栅极驱动电压。

ISG6107可耐受700V连续电压，800V的瞬时电压，静态电流仅有115μA，支持自动待机模式，支持零反向恢复电荷，高频操作可达2MHz，集成5V LDO用于供电数字隔离器，内置的智能栅极驱动器提供可编程开关以控制转换速率，采用QFN6x8封装。

英诺赛科ISG6108是一款耐压700V，导阻230mΩ的半桥氮化镓功率芯片，内部集成了高压线性稳压器、智能棚极驱动器和无损电流检测电路，支持最高80V输入而无需额外的LDO需求，并可保持6.5V的栅极驱动电压。

ISG6108可耐受700V连续电压，800V的瞬时电压，静态电流仅有115μA，支持自动待机模式，支持零反向恢复电荷，高频操作可达2MHz，集成5V LDO用于供电数字隔离器，内置的智能栅极驱动器提供可编程开关以控制转换速率，采用QFN6x8封装。

英诺赛科ISG6109是一款耐压700V，导阻320mΩ的半桥氮化镓功率芯片，内部集成了高压线性稳压器、智能棚极驱动器和无损电流检测电路，支持最高80V输入而无需额外的LDO需求，并可保持6.5V的栅极驱动电压。

ISG6109可耐受700V连续电压，800V的瞬时电压，静态电流仅有115μA，支持自动待机模式，支持零反向恢复电荷，高频操作可达2MHz，集成5V LDO用于供电数字隔离器，内置的智能栅极驱动器提供可编程开关以控制转换速率，采用QFN6x8封装。

JW1568K集成了一个门极驱动器和两个增强模式的GaN晶体管，采用半桥配置。集成的功率GaN器件具有220 mΩ的导通电阻（RDS(ON)）和650 V的漏极-源极击穿电压，而嵌入式门极驱动器的高侧可以轻松地由集成的bootstrap二极管供电。

JW1568K具有下部和上部驱动部分的欠压锁定保护，可防止功率开关在低效率或危险条件下运行。JW1568K提供6mm*8mm的QFN封装。高度集成化使其成为一种简单易用、元件数量少且高效的隔离电源传递应用解决方案。

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NV624X是一款采用了Navitas 纳微半导体最新GaNSense技术的新一代半桥氮化镓功率芯片系列产品，相比于现有的分立式方案，纳微半桥功率芯片可实现MHz级的开关频率，将有效降低系统损耗和复杂度。

纳微NV624X系列目前已有 NV6245C、NV6247两款产品，额定电压均为 650V，均采用工业标准、薄型、低电感的 6x8mm PQFN 封装。纳微 NV6245C 内置2颗 275mΩ GaN FETs 和对应驱动器，可用于 65W ACF 拓扑快充电源、100W AHB 拓扑快充电源等产品中。

纳微NV6247内置2颗160mΩ GaN FETs和对应驱动器，实现桥式电源拓扑在 MHz 频率下运行。不仅如此，芯片同时还完美适配图腾柱PFC以及三相电机驱动等应用场景。

纳微NV624X 半桥氮化镓功率芯片为电子元件创建了一个易于使用的系统构建块。相较分立式方案，革命性的单片集成方案能有效减少 60% 的元件数量及布局结构，进而减少系统成本、尺寸、重量与复杂性。

纳微NV624X半桥氮化镓功率芯片集成的 GaNSense 技术实现了前所未有的自动保护，提升了系统可靠性和稳定性，并结合了无损电流感测，达到更高层级的效率和节能水平。

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为进一步发挥GaN高频、高速的特性优势，纳芯微同时推出了集成化的Power Stage产品NSG65N15K，内部集成了半桥驱动器NSD2621和两颗耐压650V、导阻电阻150mΩ的GaN开关管，工作电流可达20A。NSG65N15K内部还集成了自举二极管，并且内置可调死区时间、欠压保护、过温保护功能，可以用于图腾柱PFC、ACF和LLC等半桥或全桥拓扑。

NSG65N15K用一颗器件取代驱动器和两颗开关管组成的半桥，有效减少元件数量和布板面积。NSG65N15K是9*9mm的QFN封装，相比传统分立方案的两颗5*6mm DFN封装的GaN开关管加上一颗4*4mm QFN封装的高压半桥驱动，加上外围元件，总布板面积可以减小40%以上，从而有效提高电源的功率密度。同时，NSG65N15K的走线更方便PCB布局，有利于实现简洁快速的方案设计。

NSG65N15K的合封设计有助于减小驱动和开关管之间的寄生电感，简化系统设计并提高可靠性。如上图所示，传统的分立器件方案，会引入由于PCB走线造成的栅极环路电感Lg_pcb和由于GaN内部打线造成的共源极电感Lcs。

其中，栅极环路电感Lg_pcb会在栅极电压开通或关断过程产生振铃，如果振铃超出GaN的栅源电压范围，容易造成栅极击穿；并且在上管开通过程中，高dv/dt产生的米勒电流会在下管的Lg_pcb上产生正向压降，有可能造成GaN的栅极电压大于开启电压，从而误导通。而共源极电感Lcs造成的影响，主要是会限制GaN电流的di/dt，增加额外的开关损耗；此外，在GaN开通过程电流增大，由于di/dt会在Lcs上产生正向压降，降低了GaN的实际栅极电压，增大了开通损耗。

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YX45132将导阻400mΩ的高性能增强型700V GaN HEMT与全功能栅极驱动器集成在一起，实现了高频率和高效率运行。该器件采用了一种新颖的电流检测方法，该方法不受GaN动态导通电阻影响，可实现精准电流检测，从而进一步提升系统性能和可靠性，这是分立GaN器件无法实现的。

YX45132内部集成了一个从40V VCC降压的5V LDO，支持带迟滞的TTL和CMOS逻辑输入。同时还具备欠压锁定（UVLO）和过温保护（OTP）功能，以提高系统的鲁棒性；低待机电流设计可改善空载效率。

YX45134 集成了一颗700V 300mΩ增强型GaN HEMT与全功能栅极驱动器，可实现高频率和高效率运行。YX45134采用了一种新型电流检测方法，该方法独立于 GaN 的动态 Rdson，可实现高精度的电流检测，从而进一步提升系统性能与可靠性，这是分立式 GaN 器件所无法实现的。

YX45134内置从 40V VCC 转换的 5V LDO，支持带迟滞的 TTL 与 CMOS 逻辑输入。同时具备欠压锁定（UVLO）与过温保护功能，以增强系统的可靠性；其超低待机电流有助于提高空载效率。YX45134 可支持多种拓扑结构，包括反激（Flyback）、半桥（Half-Bridge）、降压/升压（Buck/Boost）、LLC 以及其他谐振变换器，在 MHz 级开关频率下实现高效率和低 EMI，并以低成本实现前所未有的功率密度。

YX45136将高性能增强型700V GaN HEMT与全功能栅极驱动器集成，实现了前所未有的高频率与高效率运行。YX45136采用一种新型电流检测方法，该方法不依赖GaN 动态 Rdson，可实现精确电流检测，进一步提升系统性能和鲁棒性，而这在分立式 GaN FET 中是无法实现的。

YX45136 集成了从 40V VCC 降压的 5V LDO，并支持带迟滞的 TTL 与 CMOS 输入逻辑。同时具备欠压锁定（UVLO）和过温保护，提高系统可靠性；低待机电流则改善了空载效率。

YX45136 可支持多种拓扑结构，如反激、半桥、Buck/Boost、LLC 以及其他谐振变换器，实现 MHz 级开关频率，具备高效率和低 EMI，同时在低成本下实现前所未有的功率密度。

ST意法半导体目前已推出至少5款MasterGaN半桥器件，MasterGaN器件内部集成了两颗 650V耐压的GaN开关管及驱动器，组成半桥器件，是一款先进的系统级功率封装，可输入逻辑电压信号轻松控制器件，支持零下40到125摄氏度工作温度范围。

ST意法半导体MasterGaN1内部集成半桥驱动器和两颗耐压650V，导阻150mΩ的高压GaN开关管，集成在9*9*1mm的QFN封装内，工作电流10A，低侧和高侧均具有欠压关闭保护。驱动器内置自举二极管，内置互锁功能，且具有准确的内部定时匹配。

图为ST MasterGaN1的评估板，连接为半桥输出，左侧为驱动信号输入，右侧为半桥输出，左侧下方是一颗稳压器，为MasterGaN1提供稳压供电。通过评估板图片可以看出，MasterGaN1器件将控制信号和功率走线分开，便于走线布局设计。

ST意法半导体 MasterGaN1 通过内部集成半桥驱动器和GaN开关管来减少元件数量，同时其走线方便布局设置，可实现灵活简洁快速的设计。

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意法MASTERGAN1L是一款先进的系统级功率封装器件，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成的功率GaN具有150 mΩ的RDS(ON)和650 V漏源闭锁电压，而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。

MASTERGAN1L在VCC上具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免出现交叉传导的情况。输入引脚的范围经过扩展，可与模拟控制器、微控制器和DSP单元轻松连接。MASTERGAN1L的工作温度范围为-40°C至125°C，采用紧凑型9x9 mm QFN封装。

ST意法半导体MasterGaN2内部集成了半桥驱动器和两颗耐压650V的高压GaN开关管组成非对称半桥，上管为225mΩ，下管为150mΩ，集成在9*9*1mm的QFN封装内，工作电流最高10A，低侧和高侧均具有欠压关闭保护，可用于ACF拓扑。

MASTERGAN2为非对称设计的半桥结构，上管为225mΩ，下管为150mΩ，其余功能与MASTERGAN1一致，可用于ACF拓扑。

ST意法半导体 MasterGaN2 集成的驱动器内置自举二极管，内置互锁功能，且具有准确的内部定时匹配。

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MASTERGAN3是一款先进的功率系统封装集成，采用门极驱动器和两个增强模式GaN晶体管的非对称半桥配置。集成的功率GaN具有650 V的击穿电压，同时嵌入式门极驱动器的高侧可以通过集成的自举二极管轻松供电。

ST意法半导体MasterGaN3 内部集成了半桥驱动器和两颗耐压650V的高压GaN开关管组成非对称半桥，上管为450mΩ，下管为225mΩ，集成在 9*9*1mm 的QFN封装内，工作电流最高6.5A，低侧和高侧均具有欠压关闭保护。

MASTERGAN3在上下驱动部分都具有UVLO保护，防止电源开关在低效率或危险条件下工作，互锁功能可以避免交叉传导条件。MASTERGAN3的工作温度范围为-40°C至125°C，适用于工业环境，采用9x9 mm QFN封装。

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ST意法半导体MasterGaN4 内部集成半桥驱动器和两颗耐压650V，导阻225mΩ的高压GaN开关管，集成在9*9*1mm的QFN封装内，工作电流6.5A，低侧和高侧均具有欠压关闭保护。驱动器内置自举二极管，内置互锁功能，且具有准确的内部定时匹配。

MasterGaN4为对称半桥结构，内置两颗225mΩ导阻的高压GaN开关管。

ST意法半导体MasterGaN4通过内部集成半桥驱动器和GaN开关管来减少元件数量，同时其走线方便布局设置，可实现灵活简洁快速的设计。

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意法MASTERGAN4L是一款先进的系统级功率封装器件，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成的功率GaN分别具有225 mΩ的RDS(ON)和650 V漏源阻断电压，而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。

MASTERGAN4L在VCC上具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免出现交叉传导的情况。输入引脚的范围经过扩展，可与模拟控制器、微控制器和DSP单元轻松连接。MASTERGAN4L的工作温度范围为-40°C至125°C，采用紧凑型9x9 mm QFN封装。

MASTERGAN5是一款先进的功率系统封装集成，采用门极驱动器和两个增强模式GaN功率晶体管的半桥配置。集成的功率GaNs具有650V的击穿电压，同时嵌入式门极驱动器的高侧可以通过集成的二极管轻松供电。

ST意法半导体MasterGaN5内部集成半桥驱动器和两颗耐压650V，导阻450mΩ的高压GaN开关管，集成在9*9*1mm的QFN封装内，工作电流4A，低侧和高侧均具有欠压关闭保护。驱动器内置自举二极管，内置互锁功能，且具有准确的内部定时匹配。

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泰高技术推出氮化镓半桥芯片TTHB100NM，这是一款集成2颗增强型氮化镓650V 100mΩ 氮化镓开关管及对应的驱动器的半桥功率芯片，用于高侧、低侧和电平转换。它内置了UVLO（欠压锁定）、过温和带故障输出信号的过电流保护，芯片内集成了用于高侧的启动电源。

泰高技术 TTHB100NM 具有12V~20V的宽电源工作范围，可应用在DC–DC转换、逆变器、手机/笔记本充电器、LED/电机驱动、图腾柱无桥PFC 应用、高频LLC转换器、服务器/AC-DC电源、有源钳位反激等场景中。

泰高技术 TTHB100NM 芯片采用低电感 8mm×10mm QFN 封装，低电感封装的集成驱动器允许在高压和高频中安全运行。开关频率高达2MHz，传输延迟低至 50ns，支持 50V/ns dV/dT 抗扰度, 外围元器件精简，具有非常紧凑和简便的布局，可实现灵活快捷的设计。

泰高技术 TTHB100NM 芯片 8mm×10mm QFN 封装看起来比较大，但是比起两颗8mm*8mm的GaN开关管加上独立的驱动器，占板面积大大缩小。同时合封器件也大大减小了寄生效应对效率的影响，提高电源产品的效率和可靠性。

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LMG2610是一款 650V GaN 功率 FET 半桥，适用于开关模式电源应用中

非对称GaN FET电阻针对 ACF 工作条件进行了优化。可编程导通压摆率可提供 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到冷却 PCB 电源接地。

高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。

LMG2610 具有低静态电流和快速启动时间，支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。

LMG2640 是一款 650V GaN功率FET半桥，适用于开关模式电源应用中。LMG2640通过在 9mm x 7mm QFN封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。

与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到 PCB 电源地进行冷却。高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。

LMG2640 具有低静态电流和快速启动时间，支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。

LMG2650 是一款 650V、95mΩ 氮化镓（GaN）功率 FET 半桥器件。它通过在 6mm × 8mm QFN 封装内集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平移位器，简化了设计，减少了元件数量，并节省了电路板空间。

器件支持 可编程的上升沿开启速率，用于 抑制 EMI 和振铃。低侧电流检测仿真功能相比传统电流检测电阻能够降低功耗，并允许低侧热焊盘直接连接到散热 PCB 电源地。

高侧GaN 功率 FET 可通过 低侧参考栅极驱动引脚 (INH) 或 高侧参考栅极驱动引脚 (GDH) 控制。高侧栅极驱动电平移位器能够在严苛的功率开关环境下，可靠地将 INH 引脚信号传输至高侧栅极驱动器。

LMG2652 是一款650V 140mΩ GaN 功率 FET 半桥。LMG2652 通过在 6mm x 8mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。

与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到 PCB 电源地进行冷却。

高侧GaN功率FET可通过低侧参考栅极驱动引脚(INH) 或高侧参考栅极驱动引脚 (GDH) 进行控制。在具有挑战性的电源开关环境中，高侧栅极驱动信号电平转换器能够可靠地将 INH 引脚信号传输到高侧栅极驱动器。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。

LMG2652 具有低静态电流和快速启动时间，可满足转换器轻负载效率要求，并实现突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。

LMG2656是一款650V 230mΩ GaN 功率 FET 半桥。LMG2656 通过在 6mm x 8mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举 FET 和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。

可编程导通压摆率可实现 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到 PCB 电源地。高侧 GaN 功率 FET 可通过低侧参考栅极驱动引脚(INH) 或高侧参考栅极驱动引脚 (GDH) 进行控制。在具有挑战性的电源开关环境中，高侧栅极驱动信号电平转换器能够可靠地将 INH 引脚信号传输到高侧栅极驱

动器。

智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。

LMG2656 具有低静态电流和快速启动时间，可满足转换器轻负载效率要求，并实现突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。超低压摆率设置支持电机驱动应用。

文中提及的多家半桥氮化镓芯片，覆盖600~700V高压段电源设计需求，并各具亮点，倍有特色，工程师可根据产品实际设计需求，选择适合的产品，以达成性能与成本的平衡点。

综合来看，半桥氮化镓芯片已经成为业界重点发力的方向之一。通过将功率器件与驱动电路深度集成，它们在降低设计复杂度、提升系统性能、提升功率密度展现出强大潜力。无论是在PD快充和DC适配器等消费级市场，还是在车载OBC、储能、光伏逆变等应用中，高压半桥GaN方案都加速渗透高功率电源领域。

来源：充电头网