摘要：倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半导体器件

倾佳电子行业洞察：中国SiC碳化硅功率半导体发展趋势与企业采购策略深度解析

倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半导体器件以及新能源汽车连接器。

倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！

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第一部分：中国碳化硅功率半导体产业战略格局

第一章：市场动态与增长轨迹

中国乃至全球的碳化硅（SiC）功率半导体市场正处于指数级增长的快车道。根据国际权威机构Yole的预测，全球SiC功率器件市场规模预计将从2023年的约27亿美元增长至2029年的超过104亿美元，年均复合增长率（CAGR）高达25% 。中国作为全球最大的电力电子应用市场，其国内SiC市场的增速在强劲内需的驱动下，预计将与全球趋势保持一致甚至超越。这一历史性的市场机遇主要由三大核心驱动力、一项关键国家战略以及由此衍生的深刻产业变革所共同塑造。

主要需求驱动力深度剖析

新能源汽车（NEV）：不可动摇的核心引擎 新能源汽车是当前及未来数年内驱动SiC市场增长的最主要力量，其应用占据了超过70%的SiC器件市场份额，并预计到2029年将达到82% 。这一趋势的根本原因在于汽车行业向高压电气架构的集体转型。为了提升充电速度、降低能量损耗并延长续航里程，主流车企正加速从400V平台迁移至800V甚至更高的电压平台，例如比亚迪已推出千伏（1000V）架构 。在高压平台下，SiC MOSFET相较于传统的硅基IGBT，在高频、高温下的性能优势被极致放大，成为主驱动逆变器的必然选择。新能源汽车中功率半导体的价值量是传统燃油车的五倍以上，为SiC器件创造了巨大的增量市场 。从特斯拉Model 3首次大规模采用SiC开始，比亚迪、小鹏、吉利等国内外车企纷纷跟进，已形成强大的市场“拉动效应”，带动了整个汽车供应链对SiC器件的强劲需求 。

光伏与储能系统（PV & ESS）：效率提升的关键推手 在“双碳”目标背景下，光伏逆变器和储能双向变流器（PCS）对更高转换效率和功率密度的追求，构成了SiC市场的第二大驱动力。SiC器件的低开关损耗和高工作频率特性，使得系统设计者可以大幅缩小电感、电容等磁性元件的尺寸和重量，从而降低系统整体成本、提升功率密度 。例如，在光伏逆变器的MPPT-BOOST电路中，采用SiC MOSFET和SiC SBD可以显著提高系统效率并支持更高工作频率 。

工业与电网应用：未来增长的“第二波浪潮” 尽管目前市场份额相对较小，但大功率工业应用（如高端工业电焊机、感应加热电源）和智能电网基础设施（如固态变压器、高压直流输电HVDC）被视为SiC应用的下一个万亿级增量市场 。行业专家普遍认为，继电动汽车之后，SiC应用的“第二波浪潮”将在电网领域掀起，其需求规模有望与汽车市场相媲美 。

催化：国家产业政策的战略扶持

中国将半导体产业的自主可控提升至国家战略高度，为国内SiC产业的发展提供了前所未有的政策支持。以《“十四五”规划》为代表的国家顶层设计，以及由国家集成电路产业投资基金（“大基金”）三期募集的约475亿美元巨额资金，为本土SiC企业的技术研发和产能扩张注入了强大动力 。此外，地方政府（如深圳市）也出台了一系列配套政策，对企业的研发投入、产线升级、EDA软件采购等给予直接补贴，进一步加速了本土龙头企业的成长 。

汽车市场的“引力井”及其对工业采购方的深远影响

新能源汽车市场的压倒性主导地位，为SiC供应商的产能规划和研发方向创造了一个巨大的“引力井”。供应商会自然地将其资源优先配置给能够提供大批量、长期稳定订单且质量要求严苛的汽车Tier 1和整车厂。这一现象的形成逻辑在于：首先，汽车应用占据了市场需求的绝大部分（超过70%）；其次，通过AEC-Q101和IATF 16949等车规级认证不仅是进入汽车供应链的门票，更成为供应商展示其技术和质量实力的最高荣誉，是其核心营销资产 ；因此，供应商的产品路线图、产能扩张计划和技术迭代方向将不可避免地向满足车规要求倾斜，例如开发专为主驱逆变器设计的Pcore™6 HPD系列功率模块 。

对于电力电子或电源等非汽车领域的采购团队而言，这既是机遇也是挑战。机遇在于，可以借力已达到车规级质量水平的供应商，获得高可靠性的元器件。而挑战在于，当市场供应紧张时，非汽车客户的订单优先级可能会被排在汽车大客户之后，面临产能分配不足的风险。因此，采购经理在评估供应商时，必须提出一个关键的战略问题：“该供应商是否设有独立的工业事业部，并具备明确的战略来支持非汽车领域的客户？还是仅仅将我们视为填补其汽车订单生产间隙的补充业务？”这个问题的答案，将直接关系到供应链的长期稳定性和可靠性。

第二章：核心技术与制造生态系统趋势

中国SiC产业生态正在快速演进，技术路线和产业结构呈现出鲜明特征。理解这些趋势，是制定有效采购策略的前提。

从6英寸到8英寸：成本与规模化的关键一跃

晶圆尺寸从主流的6英寸向8英寸过渡，是当前SiC产业实现成本降低和规模化生产的最核心趋势。一片8英寸晶圆的有效利用面积是6英寸的1.83倍，理论上可切割出的芯片数量接近翻倍，综合制造成本有望降低30%以上，这对价格敏感的汽车市场尤为重要 。然而，大尺寸SiC单晶生长技术壁垒极高，面临着应力控制、缺陷密度和热场均匀性等严峻挑战 。尽管天科合达等国内衬底龙头企业已在8英寸技术上取得突破，但实现高质量、大规模的稳定量产仍是衡量各厂商核心竞争力的关键指标 。

架构之争：平面栅（Planar） vs. 沟槽栅（Trench）

在SiC MOSFET的芯片结构上，主要存在两种技术路线：

平面栅技术：这是一种更为成熟和稳健的技术。其栅极氧化层位于电场较低的器件表面，因此具有更高的可靠性和更好的短路耐受能力。包括基本半导体在内的多家国内厂商，都将技术重心放在优化和完善平面栅工艺上，其第三代平面栅产品在性能上已对标国际主流水平 。

沟槽栅技术：这种结构通过垂直的沟槽来形成导电沟道，可以实现更小的元胞间距和更高的沟道密度，理论上能以更小的芯片面积实现更低的导通电阻（RDS(on)​）。但其技术难点在于，栅极氧化层位于沟槽底部的高电场区域，面临着严峻的长期可靠性考验，需要复杂的屏蔽结构来保护栅氧层 。中车时代电气等国内企业正在积极布局沟槽栅技术 。

国内产业结构图谱

中国的SiC产业链呈现出多元化的竞争格局，主要参与者可分为以下几类：

IDM（垂直整合制造商）：这类企业覆盖从芯片设计、晶圆制造到封装测试的全流程。典型代表是比亚迪半导体，其凭借集团内部新能源汽车的巨大需求，实现了产业链的深度垂直整合 。另一代表是中车时代电气，依托其在轨道交通领域的深厚积累，建有6英寸SiC产线，并积极拓展汽车和工业市场 。

Fabless（无晶圆厂设计公司）：这类公司专注于芯片设计和销售，将制造环节外包给晶圆代工厂。例如新洁能，其拥有丰富的MOSFET产品组合，并与华虹宏力等代工厂建立了长期战略合作关系 。

准IDM / Fab-Lite模式：这类企业以芯片设计为核心，同时积极布局自有制造能力，向IDM模式转型。基本半导体是其中的典型代表，公司不仅拥有完整的分立器件和模块产品线，还在深圳大力投资建设自有6英寸晶圆制造基地，旨在实现核心环节的自主可控 。

上游材料供应商：天科合达和天岳先进等衬底材料企业，是整个国产SiC产业链发展的基石和关键赋能者 。

表1：中国碳化硅功率器件主要厂商及商业模式

公司名称

商业模式

主要产品

目标市场

主要投资者/战略伙伴

比亚迪半导体

IDM

SiC MOSFET, 功率模块

汽车（自供为主）

比亚迪集团

中车时代电气

IDM

SiC MOSFET/SBD, 功率模块

轨道交通, 汽车, 电网

中国中车

基本半导体

准IDM (Fab-Lite)

SiC MOSFET/SBD, 功率模块, 驱动IC

汽车, 工业, 光伏储能

博世, 广汽资本, 中国中车

华润微

IDM

SiC MOSFET/SBD

工业, 消费电子

华润集团

三安光电

IDM

SiC MOSFET/SBD, 外延片

汽车, 通信, 工业

国家大基金

新洁能

Fabless

SiC MOSFET

汽车, 光伏储能, 服务器电源

-

斯达半导

Fab-Lite (封装为主)

SiC功率模块

汽车, 工业

-

天岳先进

材料

SiC衬底

供应给器件制造商

-

天科合达

材料

SiC衬底

供应给器件制造商

-

成熟度与性能的技术抉择

对于采购团队而言，在平面栅与沟槽栅技术路线之间的选择，已超越单纯的技术参数对比，演变为一项关乎产品长期可靠性与前沿性能的战略决策。平面栅技术历经多年发展，其工艺稳定，失效机理清晰，可靠性已得到广泛验证。基本半导体在其产品介绍中，将其平面栅产品与国际一线品牌的同类平面栅产品进行对标，这本身就体现了其在成熟技术框架内追求极致性能和可靠性的战略定力 。

另一方面，沟槽栅技术为实现更低的导通电阻和更小的芯片尺寸提供了可能，这对成本控制和功率密度提升极具吸引力 。然而，其固有的栅氧可靠性问题，对厂商的工艺控制能力提出了极高的要求 。因此，一个设计生命周期长达10至15年的产品，如光伏逆变器或电网设备，可能会更倾向于选择技术成熟、长期可靠性数据更充分的平面栅器件。相反，一个身处激烈竞争、快速迭代市场的产品，如高性能电动汽车充电模块，则可能愿意承担一定的风险，采用更新的沟槽栅技术以获取性能上的领先优势。

这意味着采购评估不能仅仅停留在数据手册上的导通电阻值。评估团队必须深入考察供应商的技术路线选择、长期可靠性测试数据（特别是高温栅偏HTGB等关键测试结果），并判断其技术发展蓝图是否与自身产品的生命周期和可靠性要求相匹配。

第二部分：企业战略供应商选择框架

从宏观市场分析转向微观实操层面，本部分为电力电子或电源公司的策略采购（策采）团队提供一个多维度的供应商评估框架，旨在从众多国产厂商中筛选出真正符合公司长期发展利益的战略合作伙伴。

第三章：供应商评估的四大维度

维度一：技术性能与产品竞争力（超越数据手册）

数据手册是评估的起点，但绝非终点。专业的采购团队必须具备深入解读并验证关键参数的能力。

静态参数基准测试 以基本半导体的产品为例，通过分析其数据手册，可以建立一套有效的静态参数对比方法：

RDS(on)​ 及其温度特性：这是计算导通损耗的核心参数。不仅要关注25°C时的标称值，更要关注其在实际工作结温（如150°C或175°C）下的表现。例如，B3M013C120Z的$R_{DS(on)}$从25°C的13.5 mΩ上升至175°C的23 mΩ，温升系数约为1.7倍 。一个更平缓的温升曲线意味着器件在高温下能保持更高的效率。

VGS(th)​ 及其稳定性：栅极开启阈值电压直接关系到器件的抗干扰能力。一个更高且随温度变化更小的V_{GS(th)}能有效降低由噪声引发的寄生导通风险。B3M013C120Z的V_{GS(th)}从25°C的2.7V下降至175°C的1.9V，这种变化趋势是评估时需要重点关注的 。

器件电容 (Ciss​,Coss​,Crss​) 与栅极电荷 (Qg​)：这些参数共同决定了器件的开关速度和驱动损耗。其中，反向传输电容C_{rss}与输入电容C_{iss}的比值（即米勒电容比）尤为关键，较低的比值有助于抑制桥式电路中由高$v/dt引起的寄生导通。

动态性能基准测试（双脉冲测试的重要性） 静态参数相似的器件，在实际开关过程中的表现可能大相径庭。因此，获取在目标应用工况下的双脉冲测试数据至关重要。基本半导体提供的与国际竞品的对比测试数据极具参考价值 。分析显示，在相同的测试平台和条件下（VDS​=800V,ID​=40A,Tj​=125∘C），不同厂商的开关损耗（Eon​,Eoff​）、体二极管反向恢复特性（Qrr​,IRRpeak​）存在显著差异。例如，在125°C时，基本半导体B3M040120Z的总开关损耗(Etotal​)为918 μJ，优于竞品B2M040120Z的1070 μJ，但略高于C3M0040120K的996 μJ 。这些细微的差异将直接影响系统的最终能效和热设计。

品质因数（Figure of Merit, FOM） 使用如R_{DS(on)} \times Q_{g}这样的品质因数，可以对器件的综合性能进行快速评估。一个更低的FOM值通常意味着器件在导通损耗和开关损耗之间取得了更好的平衡。根据基本半导体的对比数据，其B3M040120Z的FOM值为3400 mΩ⋅nC，优于部分竞品，但低于采用沟槽栅工艺的I***产品（1521 mΩ⋅nC）。这再次印证了不同技术路线带来的性能权衡。

表2：1200V等级SiC MOSFET静态参数基准测试模板

参数

测试条件

基本半导体 (B3M040120Z)

竞品 C (C3M0040120K)

竞品 I (IMZA120R040M1H)

RDS(on)​@25∘C

VGS​=18V (或15V)

40 mΩ

40 mΩ

39 mΩ

RDS(on)​@175∘C

VGS​=18V (或15V)

75 mΩ

68 mΩ

77 mΩ

RDS(on)​ 温升系数

(计算值)

≈1.88x

≈1.70x

≈1.97x

VGS(th)​@25∘C

-

2.7 V

2.7 V

4.2 V

VGS(th)​@175∘C

-

1.9 V

2.2 V

3.6 V

Ciss​

VDS​=800V

1870 pF

2900 pF

1620 pF

Coss​

VDS​=800V

82 pF

103 pF

75 pF

Crss​

VDS​=800V

6 pF

5 pF

11 pF

Crss​/Ciss​ 比值

(计算值)

≈0.0032

≈0.0017

≈0.0068

Qg​

VDS​=800V,ID​=40A

85 nC

99 nC

39 nC

FOM (RDS(on)​×Qg​)

@ 25∘C

3400 mΩ⋅nC

3960 mΩ⋅nC

1521 mΩ⋅nC

数据来源:

表3：动态性能基准测试模板（双脉冲测试数据）

参数

测试条件

基本半导体 (B3M040120Z)

竞品 C (C3M0040120K)

竞品 I (IMZA120R040M1H)

Eon​ (开通损耗)

Tj​=125∘C

767 μJ

765 μJ

820 μJ

Eoff​ (关断损耗)

Tj​=125∘C

151 μJ

231 μJ

180 μJ

Etotal​ (总开关损耗)

Tj​=125∘C

918 μJ

996 μJ

1000 μJ

VDS_peak​ (关断电压尖峰)

Tj​=25∘C

1141 V

1068 V

1118 V

体二极管 Qrr​

Tj​=125∘C

0.54 μC

0.50 μC

0.57 μC

体二极管 IRRpeak​

Tj​=125∘C

-38.63 A

-38.85 A

-46.35 A

测试条件: VDS​=800V,ID​=40A,Rgon​=Rgoff​=8.2Ω. 数据来源:

维度二：质量体系与可靠性保证

对于功率半导体，尤其是应用于长寿命、高可靠性要求的电力电子产品，供应商的质量管理体系和产品可靠性验证是评估的重中之重。

车规级为金标准：汽车行业对元器件的质量和可靠性要求是所有行业中最为严苛的。因此，一个供应商是否具备车规级产品的供应能力，是其整体质量水平的最佳试金石。

AEC-Q101分立器件认证：这是由汽车电子委员会（AEC）针对分立半导体器件制定的一系列应力测试标准 。核心测试项目包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）、温度循环（TC）、高压高湿高温反偏（HV-H3TRB）等，旨在模拟器件在严苛汽车环境下的长期工作状态 。采购方必须要求供应商提供完整、未经删减的AEC-Q101认证报告，以评估其产品的长期可靠性 。

IATF 16949质量管理体系认证：该认证超越了单个元器件，是对供应商整个生产制造流程的体系认证 。它确保了从原材料到最终成品的每一个环节都具备可追溯性、过程控制的稳定性和持续改进的机制 。采购方应核实供应商的晶圆厂、封装测试厂是否均已通过IATF 16949认证。基本半导体在其产品介绍中反复强调其“车规级产品设计理念”和制造基地，这正是其质量体系能力的体现 。

维度三：制造能力与供应链韧性

强大的制造能力和先进的封装技术是确保产品性能、成本和供应稳定性的基础。

晶圆制造能力：评估供应商的晶圆制造能力，包括晶圆尺寸（6英寸或8英寸）、工艺成熟度、产能规模以及商业模式。IDM模式（如比亚迪、中车）或与头部代工厂深度绑定的Fabless模式（如新洁能与华虹），通常能提供更强的供应保障 。基本半导体对自有晶圆厂的投资，是其致力于保障供应链安全和长期发展的明确信号 。

先进封装技术：封装技术对SiC器件的性能和可靠性影响巨大。应关注供应商是否掌握并应用了以下先进技术：

银烧结（Silver Sintering）：基本半导体的多款产品均采用了银烧结技术 。相比传统焊料，银烧结层具有更高的导热率和抗热疲劳能力，能够支持更高的功率密度和更长的工作寿命。

高性能陶瓷基板：在功率模块中，采用氮化硅（Si3​N4​）AMB陶瓷基板，相比传统的氧化铝（Al2​O3​）或氮化铝（AlN）基板，拥有更优异的抗弯强度和温度循环可靠性，能更好地匹配SiC芯片与铜基板的热膨胀系数（CTE），是高端模块的标志 。

低寄生电感设计：为了充分发挥SiC的高频优势，必须最大限度地降低封装寄生电感。采用带开尔文源极（Kelvin Source）引脚的封装（如TO-247-4，基本半导体的分立器件广泛采用）和优化的模块内部布局，对于抑制开关过程中的电压过冲和振铃至关重要 。

维度四：战略协同与生态系统支持

顶级的供应商提供的不仅仅是一颗器件，而是一套完整的解决方案和长期的战略协同。

技术路线图与研发实力：供应商是否有清晰的下一代产品规划（例如更低RDS(on)​、更高电压等级、新封装形式）其核心团队的技术背景是评估其研发潜力的重要依据。例如，基本半导体创始团队源自剑桥大学和清华大学的深厚学术背景，为其持续创新能力提供了有力背书 。

财务状况与股东结构：一个拥有强大战略投资者（如博世、广汽、中车等产业资本）支持的供应商，相比单纯依赖风险投资的初创公司，通常具有更强的抗风险能力和更长远的战略眼光，是更可靠的长期合作伙伴 。

生态系统与应用支持：这是区分“元器件销售商”与“解决方案提供商”的关键。一个完善的生态系统应包括：

配套的门极驱动方案：SiC MOSFET对驱动电路有特殊要求。像基本半导体这样，能够同时提供为其MOSFET优化设计的智能门极驱动芯片（如BTD5452R）、驱动电源芯片（如BTP1521P）以及参考设计板，可以极大地降低客户的开发难度和风险，缩短产品上市时间 。

专业的应用支持：供应商是否拥有经验丰富的现场应用工程师（FAE）团队，能够提供版图设计、热仿真、EMC调试等方面的支持？是否提供精准的PLECS/SPICE仿真模型？

丰富的产品组合：拥有覆盖不同电压、电流等级的分立器件和功率模块的供应商，能让客户在多个项目中实现供应商归一化，从而简化采购、认证流程，并增强议价能力 。

这种从“元器件供应商”到“整体方案合作伙伴”的转变，是衡量一个供应商战略价值的核心。SiC器件独特的驱动要求和对系统寄生参数的敏感性，使得系统级集成的挑战远大于传统硅器件。如果供应商能提供一个经过预验证和优化的系统模块（包括功率器件、驱动芯片、电源方案和仿真模型），就相当于为客户承担了大部分的研发风险和集成工作。这不仅能显著加快客户产品的开发周期，还能降低整体拥有成本。因此，在评估体系中，应对供应商生态系统的完整性和质量给予高权重。一个器件单价略高但提供完整解决方案的供应商，其综合价值可能远超一个只提供裸器件的低价供应商。

第四章：供应商选择流程分步指南

基于上述四维评估框架，建议采用以下结构化的四阶段流程来选择和管理SiC供应商：

阶段一：市场筛选与初步清单建立 通过行业报告、展会交流和供应商产品选型手册 ，初步筛选出产品线覆盖目标应用电压、电流等级的国内供应商，建立一个包含5-8家潜在供应商的初步清单。

阶段二：深度技术基准测试 向初步清单中的供应商索取详细的数据手册、完整的可靠性报告（特别是HTGB、HTRB等长期老化数据）以及在指定工况下的双脉冲测试报告。利用前述的表2和表3模板进行横向对比。同时，索取PLECS或SPICE模型进行初步的系统级仿真验证。

阶段三：质量与制造体系审核 对通过技术筛选的2-3家供应商进行现场审核。审核内容应包括：查验IATF 16949等质量体系证书的有效性和覆盖范围；审阅其生产过程控制计划（PCP）、失效模式与影响分析（FMEA）文档；考察其统计过程控制（SPC）的实际应用情况和晶圆/模块制造产线的管理水平。

阶段四：战略协同评估与最终决策 对最终入围的供应商进行商务和战略层面的综合评估。考察其技术路线图与公司产品规划的匹配度、财务健康状况、以及应用支持团队的响应速度和专业水平。可设计一个包含技术、质量、商务、战略四大维度的加权评分卡，进行量化评估，从而做出数据驱动的最终决策。

第三部分：战略建议与未来展望

第五章：构建兼具韧性与竞争力的SiC采购策略

面对一个快速增长且充满变数的市场，企业必须制定前瞻性的采购策略，以确保供应链的稳定和产品的市场竞争力。

实施双源或多源供应策略：对于SiC MOSFET等核心器件，应避免单一供应商依赖。在完成严格的认证流程后，至少确定两家合格的供应商，并合理分配采购份额。这不仅能有效对冲单一供应商可能出现的产能、质量或商务风险，还能通过适度竞争获得更有利的商务条件。

从采购关系到战略伙伴关系：改变传统的交易型采购模式，与核心供应商建立战略合作伙伴关系。在产品设计初期就让供应商的应用专家介入，共同进行器件选型、版图优化和热设计，充分利用供应商的系统级知识。这种深度合作不仅能优化产品性能，还能影响供应商未来的产品路线图，使其更符合公司的长期需求。

关注系统总成本（TCO）而非器件单价：SiC器件的价值体现在其对整个系统的优化上。一颗开关损耗更低的SiC MOSFET，虽然单价可能更高，但它可能使散热器、电感、电容等被动元件的成本大幅降低，最终实现系统总物料清单（BOM）成本的下降。因此，采购决策必须基于系统级的成本效益分析，而非孤立的器件价格比较。

第六章：总结与展望

中国碳化硅功率半导体产业正处在一个由政策扶持和市场需求双轮驱动的黄金发展期。新能源汽车和可再生能源的蓬勃发展，为本土SiC企业提供了前所未有的发展机遇。然而，机遇与挑战并存，激烈的市场竞争将加速行业洗牌。未来几年，那些在8英寸晶圆制造技术上取得突破、建立了车规级质量体系、并能为客户提供完整生态系统支持的企业，将有望脱颖而出，成为行业领导者。

对于电力电子和电源企业而言，成功驾驭这一变革浪潮的关键，在于建立一套科学、严谨、多维度的供应商评估和选择体系。采购团队需要超越传统的成本考量，从技术性能、质量可靠性、制造能力和战略协同四个维度，全面审视潜在合作伙伴。通过识别并绑定那些不仅提供优质元器件，更能提供系统级解决方案的“整体方案合作伙伴”，企业才能在这场由第三代半导体引领的能源效率革命中，构建起持久的核心竞争力。

来源：杨茜碳化硅半导体