我国力推TGV玻璃基板技术，京东方、亿晶等加速布局并取得大进展

摘要：我国多家企业正加速推进通过玻璃通孔（TGV）玻璃基板技术，这一关键创新已成为先进芯片封装的焦点。TGV技术以其优异的散热、导电性和平坦度，适用于大芯片高功率封装，显著降低有机材料的变形风险。多家公司已建立试点生产线，标志着我国在半导体供应链中的自主化步伐加快。

我国多家企业正加速推进通过玻璃通孔（TGV）玻璃基板技术，这一关键创新已成为先进芯片封装的焦点。TGV技术以其优异的散热、导电性和平坦度，适用于大芯片高功率封装，显著降低有机材料的变形风险。多家公司已建立试点生产线，标志着我国在半导体供应链中的自主化步伐加快。这一进展不仅回应了AI和硅光子等高性能计算需求，还体现了从显示面板向半导体封装的跨界融合。

BOE作为领军企业，利用其显示技术积累，开发出集成TGV的半导体封装方案。其8英寸试点线已投产，实现了高密度3D互连和高深宽比TGV的突破，计划2026年后量产AI芯片用标准玻璃芯基板。亿晶科技（ECHINT）则率先实现玻璃面板级封装的量产，2024年启动高密度扇出多芯片模块（FOMCM）平台的生产，成为我国唯一具备此能力的厂商。这些努力源于国家对先进封装的支持，推动产业链从材料到集成的一体化。

玻璃通孔（TGV）技术示意图，图片来源于网络，侵删

TGV玻璃基板的核心在于通过玻璃通孔的精密形成和填充，确保垂直互连的高可靠性。3D CHIPS作为成都微电子子公司，率先提出TGV 3.0标准，实现亚10微米通孔和填充技术，2022年建成试点线，支持3D微系统集成。Sky Semiconductor突破4微米通孔直径，2024年掌握2.5D高密度玻璃中介层技术，其晶圆级封装出货量已超2万片，适用于AI、CPU和GPU大芯片封装。

广东佛智芯微电子则在面板级扇出封装和玻璃基板加工上领先，最小通孔直径达1微米，深宽比高达150:1，已建成我国首条自主知识产权的大面板级扇出封装量产线。未来，该公司将扩展玻璃基芯片let解决方案。WG Tech通过子公司TGV TECH，专注于玻璃基TGV多层精密电路板研发和制造。这些工程亮点依赖激光诱导深蚀刻（LIDE）和飞秒激光技术，确保通孔形态均匀，减少表面粗糙度。

在材料选择上，石英/熔融硅基玻璃因低热膨胀系数和光学透明度脱颖而出，支持高频电子和光刻应用。测试显示，优化后的TGV连接CPW结构在10W@6GHz输入下插入损耗仅0.51dB，温度升至36.2°C，证明其在高功率场景下的稳定性。

TGV玻璃基板市场正处于爆发前夜，2024年全球规模约7.2亿美元，预计2025-2034年复合年增长率超3.7%，驱动因素包括电子产业对高密度互连的需求。TGV芯基板细分市场2024年达1.88亿美元，到2032年将增至5.94亿美元，CAGR 17.4%。我国企业通过试点线布局，预计抢占先进封装市场10%以上份额，尤其在服务器模块和硅光子领域。

这一趋势源于全球供应链多元化，BOE等显示巨头转向半导体，类似于三星和英特尔在玻璃芯基板上的投资。2025年iTGV国际论坛主题“构建玻璃基板供应链”，聚焦TGV工艺、玻璃中介层和可靠性测试，凸显行业共识。工程上，TGV取代传统镀通孔（PTH），实现1微米线宽/间距，支持更高集成度，但面临缺陷敏感性和成本挑战。专利数据显示，激光设备商如LPKF的TGV相关授权激增，推动商业化。

竞争中，我国厂商凭借面板级扇出（FOPLP）优势领先，ECHINT的FOMCM平台填补国内空白。全球看，北美主导高端应用，但亚太地区CAGR更高，预计到2031年TGV设备市场从4.13亿美元增至6.52亿美元，增长6.7%。这一格局或加速芯片let架构普及，降低AI硬件成本。