摘要：CFM闪存市场近日发布2025年Q4存储市场展望报告。报告指出，预计四季度，服务器eSSD涨幅将达到10%以上，DDR5 RDIMM价格涨幅约10%~15%；Mobile嵌入式NAND涨幅约5%~10%，LPDDR4X/5X涨幅约10%~15%；PC端LPDD

存储芯片涨不停！CFM预测Q4服务器eSSD DDR5涨幅超10%，最新名单～

近年来，由于全球AI业务的迅速发展，AI芯片的需求疯狂扩张，这直接导致传统存储芯片的生产线受到了挤压，进而导致存储芯片供不应求、价格持续攀升。

就在刚刚，CFM发布四季度闪存芯片产品价格预测报告，存储芯片还将大幅涨价——

据格隆汇9月29日报道，CFM闪存市场近日发布2025年Q4存储市场展望报告。报告指出，预计四季度，服务器eSSD涨幅将达到10%以上，DDR5 RDIMM价格涨幅约10%~15%；Mobile嵌入式NAND涨幅约5%~10%，LPDDR4X/5X涨幅约10%~15%；PC端LPDDR5X/D5价格涨幅预计将落在10%~15%，cSSD价格涨幅达5%~10%。

值得注意的是，仅仅在本月即9月份，全球已经有多家大型存储芯片厂商大幅提高了存储芯片的价格。

其中，闪迪（SanDisk）在9月4日宣布自即日起所有存储产品价格上调10%以上，涵盖SSD、U盘及存储卡等消费级和企业级市场。

这是本月首份由国际大厂发布的涨价声明，直接反映AI算力需求对存储供应链的冲击。

随后， 三星于9月23日向主要客户发出通知，Q4 DRAM类产品（LPDDR4X、LPDDR5/5X）价格预计上涨15%-30%，Mobile NAND（eMMC/UFS）涨幅5%-10%。此举旨在应对云厂商2026年订单激增导致的产能缺口，同时将产能优先分配给HBM等高毛利产品 。

紧随其后，美光科技于9月24日的2025财年Q4财报中披露，DRAM和NAND价格全面上调20%-30%，其中车用与工业级产品涨幅高达70%。

美光科技财报显示，其HBM收入环比增长213%，带动整体营收同比增长46%至113.2亿美元。美光CEO明确表示，“客户对存储芯片的需求已从周期性复苏转向结构性增长”。

与此同时，TrendForce于9月24日发布报告指出，Q4一般型DRAM价格将环比上涨8%-13%，若计入HBM则涨幅扩大至13%-18%；NAND Flash因HDD短缺引发的替代需求，合约价预计上涨5%-10% 。

还有就是SK海力士也跟进涨价，9月24日，市场消息称，SK海力士已启动Q4价格谈判，涨幅或参考三星（15%-30%），同时加速将DDR4产能转向HBM和DDR5。

随后，群联于9月28日宣布恢复部分NAND闪存控制芯片报价，涨幅约10%，被视为NAND市场“开涨信号”。此举源于云厂商紧急采购大容量QLC SSD以替代HDD，导致NAND颗粒供不应求 。

至此，国际知名存储芯片大厂基本全部跟进闪存产品的调价。

需要强调的是，本轮国际存储芯片厂商密集上调存储产品价格的本质，仍然是供需关系失衡、供不应求所致。

接下来，随着AI算力芯片需求的持续爆发，传统存储芯片供应链可能会更加紧张；中短期内，国际主要存储芯片的市场价格可能会面临涨不停、不停涨的局面。

来源：御今论股